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3d dram 文章 最新資訊

福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過 打造中國內(nèi)存基地

  • 　　記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過專家論證，一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 　　據(jù)介紹，《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍(lán)圖，提出到2025年，將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。 　　論證會(huì)由工信部電子一所副所長萬鵬遠(yuǎn)主持。在3個(gè)多小時(shí)的論證會(huì)上，中科院半導(dǎo)體所所長李樹深，中科院微
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  • 　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
  • 關(guān)鍵字： 東芝  3D NAND  

集邦科技：DRAM價(jià)格Q3將漲4~8%

  • 　　由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價(jià)格，集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價(jià)上漲趨勢確立，漲幅約4～8%。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，經(jīng)過近兩年的續(xù)跌，6月合約價(jià)已呈現(xiàn)持平，普遍用12.5美元價(jià)格議定完成。DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，DDR3 4GB合約均價(jià)從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達(dá)62%。 　　吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價(jià)起漲，起因于標(biāo)準(zhǔn)
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技  DRAM  

Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
  • 關(guān)鍵字： 三星  3D NAND  

3D保護(hù)玻璃市場產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

  • 　　觸摸屏的保護(hù)玻璃，又稱之為保護(hù)蓋，用來保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求，保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要，這 也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。 　　2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬片，占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場總量的3.1%。IHS預(yù)測2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
  • 關(guān)鍵字： 3D  2D保護(hù)玻璃  

中國半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場前景

  • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類，國際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲(chǔ)芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  市場  DRAM  Flash  201607  

日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%，能見度到九月

  • 　　行動(dòng)記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí)， PC用DRAM卻也因此受惠，現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。 　　據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過去一個(gè)月上漲6%，目前來到1.74美元，某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見度明明不佳，但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升，是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品，以致供給減少。 　　PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市，盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月，
  • 關(guān)鍵字： PC  DRAM  

3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  半導(dǎo)體  

臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)要重蹈面板覆轍？這個(gè)鍋張忠謀背不背

  • 一個(gè)董事席位不至于讓知識(shí)產(chǎn)權(quán)輕松被轉(zhuǎn)移。不過一個(gè)錯(cuò)誤的決定卻可能讓臺(tái)灣集成電路產(chǎn)業(yè)重蹈面板的覆轍。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  集成電路  

TrendForce：原廠控制產(chǎn)出，2017年DRAM價(jià)格止跌回穩(wěn)露曙光

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)因長期需求不振，合約價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)19個(gè)月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價(jià)為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季個(gè)人電腦(PC)將進(jìn)入出貨高峰、中國品牌智能手機(jī)出貨持續(xù)走揚(yáng)，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動(dòng)能，將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外，各家DRAM供貨商對(duì)于制程轉(zhuǎn)進(jìn)的態(tài)度趨于
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  DRAM  

NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場趨于健康

  • 　　蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 　　創(chuàng)見預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 　　威剛董事長陳立白日
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

威剛：DRAM軍備賽三星帶頭喊卡　2年半空頭市場將走完

  • 　　臺(tái)存儲(chǔ)器模組廠威剛董事長陳立白指出，觀察國際龍頭大廠動(dòng)向，全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止，預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn)，為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。 　　陳立白認(rèn)為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來就要看SK海力士的態(tài)度，如果海力士也認(rèn)同避免軍備競賽的移動(dòng)，開始節(jié)制資本支出，對(duì)產(chǎn)業(yè)來說就是美事一樁。 　　據(jù)臺(tái)存儲(chǔ)器模組業(yè)者表示，SK海力士新董事長
  • 關(guān)鍵字： 威剛  DRAM  

三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。 　　盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價(jià)。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率，從去年第四
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

三星+海力士移動(dòng)DRAM逼近九成，美光瀕臨淘汰

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr) 　　盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價(jià)。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  
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