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3d dram 文章 最新資訊

FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺和磊晶技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。 　　應(yīng)用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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大陸景氣低迷　韓國存儲器廠前景恐難卜

  • 　　雖然大陸景氣疲軟，2015年韓國存儲器廠的業(yè)績展望相對明朗。然大陸智能型手機(jī)需求縮減，2016年移動DRAM價(jià)格可能下滑，2016年前景反而不透明。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，全球排名前一、二名的DRAM制造廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)下半年業(yè)績可能會與當(dāng)初預(yù)期相近，或小幅提升。近來大陸景氣迅速萎縮，但對下半年暫時(shí)不會有太大影響。 　　三星下半年IT及移動裝置(IM)事業(yè)部業(yè)績可能下滑，但半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部的存儲器和系統(tǒng)晶
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增

  • 　　微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個(gè)月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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Intel想滅了三星/海力士？

  • 由于對DRAM過于依賴，近年來英特爾半導(dǎo)體龍頭地位搖搖欲墜，現(xiàn)在英特爾似乎下決心要扳倒后進(jìn)：打算力推嵌入式DRAM (eDRAM)，三星、海力士表示亞歷山大。
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺股大漲逾265點(diǎn)下
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個(gè)東西屬不屬于PCM？

  • 　　美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點(diǎn)。 　　   　　3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。 　　本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項(xiàng)技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運(yùn)用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進(jìn)行了咨詢，并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點(diǎn)——同樣圍繞這兩點(diǎn)，該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。 　　本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
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研調(diào)：DRAM價(jià)未來幾季續(xù)跌

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場第2季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增長，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美金。在淡季影響下，各DRAM廠營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星、SK海力士與美光的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會落在未來的幾個(gè)季度。在需求端如筆電與智慧型手機(jī)領(lǐng)域持續(xù)疲弱，但供給端來自20nm/21nm的比例將持續(xù)提升，該機(jī)構(gòu)
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第二季DRAM位元產(chǎn)出量增、產(chǎn)值衰退

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價(jià)大幅衰退約10%的影響，雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加，總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退，來到114億美元。 　　在淡季影響下，各DRAM廠第二季營收都呈現(xiàn)衰退走勢，然而由于制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，毛利并未大幅縮減，三星(Samsung)、SK海力士(Hynix)與美光(Micron)的DRAM產(chǎn)品別營業(yè)獲利比例分別為48%、37%與21%，因此DRAM產(chǎn)業(yè)真正的考驗(yàn)將會落在未來的幾季;在需求端如筆電與智慧型
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三星降低DRAM產(chǎn)量 為滿足蘋果新iPhone的內(nèi)存需求

  • 　　猶如國內(nèi)股市，今年內(nèi)存持續(xù)降價(jià)，已經(jīng)降回多年前的低位。但現(xiàn)在壞消息來了，世界上最大的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商三星宣布將降低DRAM顆粒的生產(chǎn)量，下個(gè)月可能會引起內(nèi)存的價(jià)格反彈。 　　   　　據(jù)臺媒CTIMES News報(bào)道，三星將降低30%的普通DRAM顆粒產(chǎn)量，以騰出生產(chǎn)線用于生產(chǎn)手機(jī)用的LPDDR內(nèi)存顆粒，預(yù)計(jì)在8月到9月，普通內(nèi)存的價(jià)格將會提高。 　　傳聞蘋果的新一代iPhone將搭載2GB LPDDR4內(nèi)存，這意味著蘋果需要采購比去年更多的內(nèi)存顆粒，而現(xiàn)有的供應(yīng)商海力士和鎂光無法
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流

  • 　　據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場價(jià)格出現(xiàn)明顯松動。 　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 　　受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星輝煌已成過去 為保留市場份額苦苦爭斗

  • 　　憑借著Galaxy系列智能手機(jī)在市場中的巨大成功，三星電子過去四年通過與蘋果爭奪高端智能手機(jī)市場收獲了數(shù)十億美元。不過這家韓國科技巨頭的前景并不樂觀，因?yàn)闉榱嗽谥械投耸袌龅钟鶃碜孕∶?、華為等中國智能手機(jī)制造商發(fā)起的沖擊，該公司已被迫下調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，并接受降低手機(jī)部門利潤率的現(xiàn)實(shí)。 　　三星電子當(dāng)前所面臨的現(xiàn)實(shí)，是這家公司無法擺脫與低成本競爭對手共同采用Android操作系統(tǒng)的窘境，而后者已能夠自主開發(fā)出功能更多的智能手機(jī)。Stratechery.com分析師本·湯普森(Ben Thomp
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流

  • 　　據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場價(jià)格出現(xiàn)明顯松動。 　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 　　受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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三星減產(chǎn)三成 標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)回溫

  • 　　市場傳出，DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計(jì)劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動式記憶體(Mobile DRAM)，以因應(yīng)蘋果新機(jī)出貨，同時(shí)通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價(jià)。法人預(yù)期，盤跌近七個(gè)月的DRAM價(jià)格可望止跌回升，華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營運(yùn)可望再起。 　　蘋果供應(yīng)鏈透露，蘋果新款iPhone 6s與6s Plus，將搭載A9 升級版處理器與2GB LPDDR4 Mobile DRAM，搭載記憶體由1GB升級到2GB，容量倍增，原有供應(yīng)商美光和SK海力士無法滿足供貨，因
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全球新式存儲器大戰(zhàn)　臺控制芯片廠不缺席

  • 　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對外宣布。 　　存儲器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營對于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測可能是一種稱為可變電阻式存儲器(ReRAM)的新
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林文伯： DRAM壞了半導(dǎo)體景氣

  • 　　封測大廠硅品精密昨(29)日召開法說會，素有半導(dǎo)體景氣鐵嘴之稱的董事長林文伯直言，下半年景氣能見度很低，只能期待第4季出現(xiàn)急單效應(yīng)。林文伯指出，DRAM價(jià)格跌那么兇，說不定今年半導(dǎo)體市場可能不會成長。至于后段封測市場雖然數(shù)量成長，但營收規(guī)模大概只會較去年持平或小幅成長。 　　受到上游客戶調(diào)整庫存影響，硅品預(yù)估第3季營收介于186～198億元，較第2季衰退6.8～12.4%，毛利率介于22.5～24.5%，營業(yè)利益率介于12.5～14.5%，低于市場預(yù)期。昨日法說會中，法人不斷詢問林文伯對半導(dǎo)體景氣看
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