近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業(yè)
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
在現代制造業(yè)中，打印機的零部件裝配是一個復雜而關鍵的環(huán)節(jié)。由于零部件種類繁多，傳統(tǒng)的人工視覺檢測方式難以滿足高效率、高準確性的需求。漏裝、反裝、錯裝等問題可能導致產品質量缺陷，影響生產效率。因此，引入AI視覺軟件進行自動化檢測成為提高裝配過程質量的一種創(chuàng)新解決方案。1. 目前的漏檢率在傳統(tǒng)的人工檢測環(huán)節(jié)，由于人工疲勞、視覺差異等因素，漏檢率相對較高，導致一些裝配缺陷未能及時發(fā)現。根據過去的統(tǒng)計數據，傳統(tǒng)的人工檢測漏檢率約為5%。2. AI視覺檢測原理AI機器視覺系統(tǒng)采用深度學習技術，主要基于卷積神經網絡（
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檢測 AI 打印機
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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3D NAND
●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統(tǒng)中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應用場景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL傳感器
●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業(yè)應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D ToF 相機 物流倉儲 自動化 臺達
近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
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