3d 內(nèi)存 文章 進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布,位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利,將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器??扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤,并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。 市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出,三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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手機(jī)廠家紛紛漲價(jià)全是因?yàn)樗?/a>

- 3月1日,樂視宣布,對(duì)旗下樂Pro 3進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。在這之前,魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價(jià)措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價(jià)措施,往常都想用低價(jià)策略吸引用戶的廠家們這次都是因?yàn)槭裁茨? 有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場(chǎng)上的閃存類產(chǎn)品價(jià)格在悄悄增長,包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品,這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價(jià)的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件:Flash Memory,也就是大家說的“閃存”,而這類器件由于目前生產(chǎn)減少,出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況,導(dǎo)致其價(jià)格上漲,最終
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利用Cortex M7緊密耦合內(nèi)存運(yùn)行快速算法

- 對(duì)于那些需要低功耗、成本效益和中等性能的嵌入式系統(tǒng)而言,ARM Cortex M系列無疑是首選的處理器系列。 Cortex M系列中最早得到應(yīng)用的是其光譜中的小部分產(chǎn)品: Cortex M0用于實(shí)現(xiàn)最低的成本,Cortex M0+用于實(shí)現(xiàn)最高 的能效,Cortex M3用于實(shí)現(xiàn)功耗與性能之間的最佳平衡, Cortex M4用于實(shí)現(xiàn)那些需要數(shù)字信號(hào)處理(DSP)功能的應(yīng) 用。 該系列中最高性能的Cortex M7的首批應(yīng)用現(xiàn)已開
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內(nèi)存與物聯(lián)網(wǎng)等帶動(dòng) 全球半導(dǎo)體年增率調(diào)升至7.2%
- 隨著存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與其它市場(chǎng)用特殊應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(app-specific standard products;ASSPs)庫存狀況獲得改善,以及平均售價(jià)(ASP)揚(yáng)升,預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)??赏暝?.2%,達(dá)3,641億美元。年增幅度高于2016年的1.5%,一掃先前整體市場(chǎng)沉悶陰霾。 調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner表示,2016年上半全球半導(dǎo)體市場(chǎng)表現(xiàn)不佳,不過隨著下半年庫存獲得補(bǔ)充,再加上平均售價(jià)與市場(chǎng)需求改善等因素,開始出現(xiàn)好轉(zhuǎn)。由于預(yù)期庫存與需求改善狀況會(huì)一直延續(xù)到2017
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迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元

- 據(jù)海外媒體報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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美光CEO退休 與大陸的內(nèi)存合作事宜將暫停

- 美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)宣布即將退休,美光宣布董事會(huì)已組成監(jiān)督接班程序的特別委員會(huì),并且在高管搜尋咨詢公司的協(xié)助下尋找與審查適合人選。 美光合并華亞科后,臺(tái)灣部分也在新年度展開高層人事調(diào)整,原華亞科總經(jīng)理牟瑞德在春節(jié)后轉(zhuǎn)調(diào)日本,另調(diào)派一位新加坡籍華人來臺(tái)接任。 外界關(guān)注美光是否會(huì)啟動(dòng)收購東芝半導(dǎo)體部門及出售編碼型閃存(NOR Flash)事業(yè),以及是否重啟和大陸的內(nèi)存合作。 美光表示,董事會(huì)還未針對(duì)鄧肯退休有明確時(shí)間表,但強(qiáng)調(diào)會(huì)慎重對(duì)候選人進(jìn)行審查
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物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代性價(jià)比最好的內(nèi)存測(cè)試解決方案

- 隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨,我們不應(yīng)該再注意手機(jī)或是任何移動(dòng)式裝置,而是應(yīng)該注意新的需求。臺(tái)灣要放手一搏扭轉(zhuǎn)產(chǎn)業(yè)的機(jī)會(huì)是把握物聯(lián)網(wǎng),而不是專注于硬件開發(fā),這并不意味著要放棄硬件,而是要學(xué)會(huì)掌握硬件可以發(fā)展的智能服務(wù)。臺(tái)灣若繼續(xù)做硬件,也許還是會(huì)有未來,但贏家又會(huì)是誰呢?因此不能只是看硬件,要看在這些平臺(tái)上還有哪些應(yīng)用還沒被挖掘?! ∧敲匆绾蝿?chuàng)造出『萬物聯(lián)網(wǎng)』的價(jià)值呢?首先就是要讓開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)的硬件的價(jià)格能夠低廉到讓許多『創(chuàng)客(Maker)』可以接受,讓有興趣開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)的智慧服務(wù)的『創(chuàng)客』,可以輕易的拿到相關(guān)
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內(nèi)存測(cè)試與ISO 26262的關(guān)聯(lián)性

- 隨著 Google、Apple 等國際資通訊大廠跨入車用電子產(chǎn)業(yè),電子化產(chǎn)品應(yīng)用車內(nèi)比例逐漸攀升,根據(jù)工研院 IEK 分析,全球汽車電子在 2019年可達(dá) 3,011 億美元,其中車用安全電子系統(tǒng)為 240.6 億美元,是新興電子市場(chǎng)中成長最為強(qiáng)勁的區(qū)塊,這對(duì)臺(tái)灣想進(jìn)入車用電子產(chǎn)業(yè)的廠商創(chuàng)造了絕佳的機(jī)會(huì)。自從 ISO 26262 于 2011 年底發(fā)布后,已迅速成為全球各大車廠全力推動(dòng)的車用電子安全性標(biāo)準(zhǔn);此安全標(biāo)準(zhǔn)定義了 3.5 噸以下乘用車中有關(guān)電子系統(tǒng)的功能安全規(guī)范,并依據(jù)汽車安全整合等級(jí)(AS
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度,而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度,而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧

- 摘要:由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目,其中國家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工,整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
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3d 內(nèi)存介紹
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