福建省晉江市舉辦了“國際集成電路產業(yè)發(fā)展高峰論壇”。在高端對話環(huán)節(jié),部分企業(yè)家、協(xié)會領導、研發(fā)人員提出了發(fā)展內存/DRAM產業(yè)的思路和建議,對從較為落后的情況下趕超先進提供了啟迪。
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內存 制造 晉華 201608
藍色的戶外頂棚像鼓足的風帆,帆下高朋滿座,來自政府、科學院和企業(yè)的領導與學者濟濟一堂,參加7月16日在福建省晉江市舉行的晉華集成電路公司的開工儀式。
晉華素描
據悉,作為國家發(fā)展集成電路產業(yè)的重大戰(zhàn)略部署,該項目已成為國家首批重點支持的DRAM存儲器生產項目,并獲得國家第一筆專項建設扶持基金30億元。項目總規(guī)劃面積594畝,一期投資370億元,建設內容包括晶圓制造、產業(yè)鏈配套等,預計2018年9月形成月產6萬片內存晶圓的生產規(guī)模。二期形成12萬片產能。并最終期待上市。
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內存 集成電路
東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺NAND Flash產量,目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash,成毛康雄指出,將強化3D Flash的生產,目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產3D NAND Flash,三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進,短期內仍將掌握產能與技術優(yōu)勢。
三星已自2013年下半起陸續(xù)量產24層、32層
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三星 3D NAND
觸摸屏的保護玻璃,又稱之為保護蓋,用來保護顯示屏和觸控面板。為了適應智能機的不同設計需求,保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據保護玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機廠商越來越在外形和時尚設計方面競爭,舒適的手感和靈敏的觸控反應越來越重要,這 也鼓勵著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護玻璃。
2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬片,占手機用保護玻璃市場總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規(guī)模,
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3D 2D保護玻璃
韓媒NEWSIS報導,韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術,在這之前業(yè)界采用的是水平結構,3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點,對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務,3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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3D NAND 半導體
內存相信大家都聽說過,電腦速度慢了也許身邊的高手會建議我們升級更大容量的內存。那么電腦內存究竟是干什么用的呢?內存容量高低為什么會影響電腦的運行速度呢?這里面有不少的奧秘,不過董師傅相信大家讀完下面這篇文章,一切都會明白了。
帶你先認識一下內存
內存,也叫內存儲器,是一種快速存儲設備,在計算機角色扮演里占據著核心的位置?,F在的內存條是一塊長方形薄片狀的電路板,上面焊接有很多黑色“方塊”的存儲芯片,讓人在主板上可以一眼發(fā)現它。
內存條
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內存 存儲器
任何一個行業(yè)的領導者,都有義務去推進新技術的發(fā)展,隨著后續(xù)功能的適配,3D Touch的未來一片光明。
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蘋果 3D Touch
去年10月,全球3D打印醫(yī)療應用領域的領先企業(yè)3D Medical,與頂級醫(yī)學圖像處理技術開商Mach7合并。如今,這樁交易已經宣布完成,合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies,并將在澳大利亞證交所上市,交易代碼M7T。
據悉,3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務則是醫(yī)學影像技術。在這筆總額高達6000萬美元的合并交易完成之后,新公司將會把總部設在澳洲的墨爾本。
據了解,3D Medical和Ma
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3D Medical Mach7
國內大力扶持存儲,各種巨額的投資項目爭議不小,但是為了存儲自主的未來,也值。
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存儲器 3D NAND
國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資,將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升,預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%,達372億美元;而2017年則可望再成長13%,達421億美元。
SEMI指出,2015年晶圓廠設備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成
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晶圓 3D NAND
國內終于要有了存儲,剩下的問題就是國產閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢?初期的價格戰(zhàn)是不可避免的,但長久來看還得是技術立足。
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3D NAND 存儲
為了進一步提高NAND Flash生產效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產,但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限,加快向3D技術導入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產,提高成本競爭力
與2D工藝相比,3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是,預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場,DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%,并在2016年進一步下降6.7%。
DRAM市場2016年供過于求
近期,我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
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3D NAND
3d 內存介紹
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