- 據(jù)荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導體廠商對沉浸式光刻設備的需求量劇增，著名光刻廠商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時還 招聘了數(shù)百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時還預計公司將可保證各個客戶對光刻設備的訂單需求。
由于消費電子設備以及PC市場對高密度芯片的需求在不斷上升，ASML公司的高管表示他預計他的客戶們在今明兩年不會碰上所生產的芯片產品供過于求的情況。
據(jù)ASML公司今年一季度公布的財報數(shù)據(jù)顯示，這家光刻廠商今年一季度末的N
- 關鍵字：
ASML 32nm 光刻設備
- Intel公司近日宣布，今年1月份正式發(fā)布的幾款32nm制程處理器，包括：奔騰G6950,Core i3-530， i3-540, i5-650, i5-660, i5-661以及i5-670這7款處理器今年夏季將由目前的C2步進制程提升到K0步進制程。新K0步進32nm制程處理器與原有的C0步進處理器針腳 完全兼容，不過需要對主板BIOS更新之后才能正常使用，以下是K0步進的主要改進之處：
- 新K0步進處理器將采用新的S-spec代號和MM產品代號;
- CPUID數(shù)據(jù)將由原來的0
- 關鍵字：
Intel 處理器 32nm
- 從今年三月份開始，Intel發(fā)布沒多久的32nm工藝Arrandale Core ix系列移動處理器陷入了短缺，時至今日仍然沒有緩解，而且有越發(fā)嚴重的架勢。
全球大型分銷商肯沃(Converge)的最新報告稱：“我們正經歷著Intel Arrandale處理器的全面短缺。Core i3-330M、Core i3-350M、Core i5-430M(均為熱門型號)的供貨都嚴重不足，因為OEM廠商正在從 Intel Montevina平臺(迅馳2)轉移。這就導致(上述處理器)四月份期間的
- 關鍵字：
Intel 處理器 32nm
- 據(jù)Intel的內部計劃顯示，45nm制程處理器目前占了其桌面處理器總數(shù)的87%，而32nm制程產品則占10%的Nehalem處理器份額。另 外，65nm制程處理器所占的份額則仍有3%左右，不過在今年第二季度，65nm制程的產品在桌面處理器中所占的份額將降到2%，45nm產品則會降到 83%，而32nm制程產品則會增長60%，達到16%的水平。
到第三季度，Intel計劃繼續(xù)縮減其65nm制程產品的份額，將其降到僅1%左右，而45nm制程產品的份額則會降到79%，32nm制程產品則會提升到20%。
- 關鍵字：
Intel 32nm 處理器
- SanDisk公司近日宣布推出一款32GB超大容量的智能手機microSDHC存儲卡產品，這款產品也是目前為止容量最大的手機存儲卡。目前，智能手 機用外插MicroSD存儲卡的容量最大只有16GB，不過這款32GB的大容量產品卻正好可以滿足蘋果iPhone 3GS和谷歌Nexus One等手機的最大外插存儲卡容量。此外，今年一月份，SanDisk--東芝閃存聯(lián)盟的對手韓國廠商三星曾宣布會于本月開始批量銷售32GB容量的 MicroSD卡產品。
這次SanDisk上市的32GB
- 關鍵字：
SanDisk 32nm 手機存儲卡
- 盡管過去Intel一直在遵守 ”tick - tock“法則定期輪番推出采用基于新制程和新架構的處理器產品，但這一次他們恐怕不會按照這道鐵律的規(guī)定于今年第四季度推出基于下一代Sandy Bridge架構的新處理器產品，據(jù)Fudzzilla網站從主板業(yè)者那里得到的消息顯示，Intel這款新處理器的發(fā)布日期恐怕會稍微后延到明年第一季度。
Sandy Bridge 將是現(xiàn)有Nehalem架構的下一代處理器架構，預計在Sandy Bridge中Intel會進一步提升處理器的性能并
- 關鍵字：
Intel Nehalem 處理器 32nm
- 全球最受矚目的消費電子大展CES 2010即將在本月7號美國拉斯維加斯如期舉辦舉辦。據(jù)悉本次展會將規(guī)?？涨?，預期會有950余家廠商參展，并吸引來自140個國家逾2萬多名專業(yè)人士參觀。
CES2010即將上演
CES展會不僅是消費電子廠商的展示盛宴，也是平板電視和相關娛樂行業(yè)的重要展示窗口。歷年在CES上出現(xiàn)的產品甚至一些概念性產品都會迅速的出現(xiàn)在零售市場。因此CES展會也被看成了解本年度平板電視發(fā)展動態(tài)的風向標之一。
本次CES展會下設廠商交流會議專場，從6號開始共計250余場分
- 關鍵字：
CES 32nm 無線通訊
- 日本東芝公司在NAND閃存制造領域的地位可謂舉足輕重，其有關產品的產銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產品中采用了自己設計的 NAND閃存控制器，這種產品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經開始量產32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產品仍以43nm NAND型產品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術帶來低成本實惠。
不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產品，并將于本季度推出
- 關鍵字：
東芝 32nm NAND 閃存制造
- 2010年1月7日，Intel將會借著CES 2010大展的機會正式發(fā)布首批32nm工藝處理器，包括桌面版Clarkdale和移動版Arrandale。關于32nm，我們一般只知道它是個非常小的尺度，那么到底有多小呢?
1、“nm”中文名納米，1納米相當于1米的十億分之一。十億是個很大的數(shù)了：這么多紙張堆疊起來會有100公里高，人走上十億步就可以環(huán)繞地球20圈了。
2、貝爾實驗室1947年制造的第一個晶體管是手工打造的，而現(xiàn)在一個針頭的空間就能塞進去6000多萬個3
- 關鍵字：
Intel 32nm 處理器
- 據(jù)稱，全球第一大半導體代工廠臺積電已經完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。
臺積電方面尚未就此發(fā)表官方評論，不過已經有多個消息來源確認了這一點。
不過這并不意味著臺積電的新工藝研發(fā)就走進了死胡同。
事實上，臺積電在今年八月底就已經在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實現(xiàn)了相同的良品率。
按照規(guī)劃，臺積電將在明年前三個季度分別開始試產28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗
- 關鍵字：
臺積電 32nm 40nm 高K金屬柵極
- 根據(jù)日前披露的路線圖，AMD將于2011年推出采用32nm新工藝的下一代架構Bulldozer(推土機)，第一款處理器開發(fā)代號“Zambezi”(非洲贊比西河)，隸屬于高端平臺“Scorpius”(天蝎座)。Zambezi將會首次出現(xiàn)八核心版本，同時也有六核心、四核心型號;接口為Socket AM3r2，應該繼續(xù)向下兼容，那樣現(xiàn)有AM3主板只需升級BIOS即可新架構處理器;三級緩存擴容到8MB，而目前為6MB;內存支持方面比較特殊，仍是雙通道DDR3，但
- 關鍵字：
AMD 32nm Zambezi
- 32nm離我們還有多遠?技術難點該如何突破?材料與設備要扮演何種角色?10月28日于北京舉辦的先進半導體技術研討會即圍繞“32nm技術發(fā)展與挑戰(zhàn)”這一主題進行了探討。
32nm節(jié)點挑戰(zhàn)無限
“45nm已進入量產，32nm甚至更小的22nm所面臨的挑戰(zhàn)已擺在我們面前。”中芯國際資深研發(fā)副總裁季明華博士在主題演講時說，“總體來說，有四個方面值得我們注意。首先是CMOS邏輯器件如何與存儲器件更還的集成在一起;其次是SOC技術的巨大挑戰(zhàn)，
- 關鍵字：
Cymer 32nm 光刻
- 在22日舉辦的ARM Techcon03技術年會上，通用平臺聯(lián)盟(CPA:由IBM,特許半導體以及三星等公司組成的組織)與ARM一起介紹了32/28nm HKMG低功耗制程技術在ARM處理器上的應用計劃。
ARM的32/28nm HKMG低功耗制程化工作進展及推廣計劃：
去年ARM曾在Cortex-M3處理器上試用了32nm制程技術，今年8月份，首款測試用28nm制程的Cortex-M3處理器也進行了展示。會上雙方講解了從40nm制程遷移至更高級別制程的優(yōu)點和需要克服的技術問題，而本月AR
- 關鍵字：
ARM 32nm Cortex-M3
- 在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經達到兩位數(shù)水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。
據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經進入正式量產階段，在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
- 關鍵字：
GlobalFoundries 32nm SOI
- IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。
IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個存儲單元只有一個單管，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時間可以小于2納秒，與同類SRAM相比待機功耗降低4倍，軟錯誤率降低1000多倍，功耗也大大減少。
IBM希望將3
- 關鍵字：
IBM 32nm DRAM 動態(tài)存儲器
32nm介紹
32nm
CPU構架的一種，
除了架構與以往不同，32nm的全新制程也是受到消費者們關注的另一大亮點。了解芯片行業(yè)的人知道，要想提高CPU的性能一方面是提高他的主頻，一方面是更改他的架構，再有一方面就是提高他的制作工藝了。制造工藝的改進理論上可以帶來功耗的降低，使得產品的默認時鐘頻率可以更高，直接提升性能。
和現(xiàn)有的45nm工藝相比，32nm工藝在以下幾個方面有著顯著的變化：3 [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
