28nm 文章 進(jìn)入28nm技術(shù)社區(qū)
獲高通及聯(lián)發(fā)科訂單 聯(lián)電28nm向前沖
- 晶圓代工二哥聯(lián)電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破,順利拿下高通及聯(lián)發(fā)科訂單,將成下半年成長主要?jiǎng)幽堋? 為了拉近與龍頭臺(tái)積電間的差距,聯(lián)電14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產(chǎn),10納米世代將加入由IBM主導(dǎo)的通用平臺(tái)(CommonPlatform)聯(lián)盟,與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發(fā)。 聯(lián)電昨(11)日召開股東常會(huì),通過配發(fā)0.5元現(xiàn)金股利及私募案,董事長洪嘉聰除了強(qiáng)調(diào)私募案絕對(duì)不會(huì)折價(jià)發(fā)行的立場,也表
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大陸12英寸芯片生產(chǎn)線如何為產(chǎn)業(yè)而戰(zhàn)
- 發(fā)展中國大陸的12英寸生產(chǎn)線在近期內(nèi)可能還不是完全市場化的產(chǎn)物,但為了產(chǎn)業(yè)的利益,冒虧損的風(fēng)險(xiǎn)也要往前沖??墒钦驹谄髽I(yè)的立場,面對(duì)股市如何來解釋,這是中國大陸12英寸生產(chǎn)線左右為難的困惑。 企業(yè)處在兩難之中 企業(yè)為了跟蹤必須投資,而過多投資或致企業(yè)虧損,這樣的怪圈在近期還無法擺脫。 中國大陸的芯片制造業(yè)可以分為兩類:一類是以市場為導(dǎo)向,需要自負(fù)盈虧、自我增長發(fā)展的8英寸及以下芯片生產(chǎn)線;一類是先進(jìn)工藝制程的12英寸芯片生產(chǎn)線。 這樣劃分是因?yàn)橹袊箨懙?英寸及以
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臺(tái)積電高通格羅芳德等決戰(zhàn) 28nm來到臨界點(diǎn)
- 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每兩年縮小至原尺寸的70%的步伐前進(jìn)。如2007年達(dá)到45nm,2009年達(dá)到32nm,2011年達(dá)到22nm。但是到了2013年的14nm時(shí)開始出現(xiàn)偏差,英特爾原先承諾的量產(chǎn)時(shí)間推遲。 Fabless大廠Altera2013年把它原來交由臺(tái)積電生產(chǎn)的14nm代工訂單轉(zhuǎn)給英特爾,這一事件曾經(jīng)引起業(yè)界一陣躁動(dòng)。但是由于英特爾14nm量產(chǎn)的推遲,風(fēng)向又開始轉(zhuǎn)向,傳說將把訂單轉(zhuǎn)回給臺(tái)積電代工。這一事件反映出,集成電路微縮之路未來的前進(jìn)規(guī)則將要改
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本土收入高速增長 中芯國際忙擴(kuò)產(chǎn)能
- 連續(xù)六個(gè)季度盈利,五年內(nèi)中國區(qū)銷售收入增長8倍,基層經(jīng)理從幾乎全部來自海外到實(shí)現(xiàn)大多數(shù)的本土化——中芯國際的發(fā)展本身就是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的縮影。 坐落在上海張江高科技園區(qū)的中芯國際上海S1廠在2013年達(dá)到滿產(chǎn),產(chǎn)能約為9.5萬片/月。記者經(jīng)過更衣室、防護(hù)室進(jìn)入環(huán)繞這間廠房的參觀通道,卻在20分鐘走完半程后“被迫”原路折返。 已經(jīng)在中芯國際工作了8年的小孫向記者解釋說,幾度產(chǎn)能擴(kuò)大下來,越來越多的機(jī)臺(tái)占用了參觀通道,而使得原本環(huán)繞
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臺(tái)積電28nm 大爆單
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的28HPM制程去年產(chǎn)能全開,并拿下9成高市占率,今年為了因應(yīng)中低階智慧型手機(jī)需求,特別在28奈米HKMG技術(shù)上,推出低成本版本28HPC制程,獲得手機(jī)晶片廠全面采用,不僅28奈米大爆單,上半年產(chǎn)能已是供不應(yīng)求。 臺(tái)積電28奈米產(chǎn)能及營收去年出現(xiàn)高達(dá)3倍的成長,但因格羅方德(globalFoundries)、三星、聯(lián)電等競爭對(duì)手在28奈米多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)技術(shù)上持續(xù)追上,臺(tái)積電去年下半年將28奈米產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為以H
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高通28nm轉(zhuǎn)移大陸 稱將支持中國半導(dǎo)體業(yè)
- 在上周的巴塞羅那移動(dòng)通信展(MWC),美國高通新上任的集團(tuán)總裁DerekAberle接受小了一個(gè)小范圍的記者采訪,《國際電子商情》首席分析師孫昌旭也有幸參與其中,并就高通與中芯國際在先進(jìn)28nm工藝上的合作、這個(gè)對(duì)產(chǎn)業(yè)有著深遠(yuǎn)意義的問題與Derek展開討論。如果說過去十多年,高通公司對(duì)中國的通信與移動(dòng)終端市場的巨大幫助,讓中國廠商站到了世界同行前列,那么這一次,高通將最新的28nm工藝制造引入中芯國際,將是對(duì)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個(gè)巨大利好,通過分享高通在先進(jìn)工藝上的成熟經(jīng)驗(yàn),將能加快中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向先
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三星28納米工藝技術(shù)為客戶新增RF功能
- 作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè),三星電子今日宣布為其28納米工藝技術(shù)新增射頻(RF)功能。隨著物聯(lián)網(wǎng)快速成為現(xiàn)實(shí),三星晶圓代工事業(yè)部開始助力芯片設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中集成高級(jí)RF功能,使互聯(lián)家用電器、車載信息娛樂系統(tǒng)和供暖/制冷系統(tǒng)等連接應(yīng)用成為可能?! 艾F(xiàn)在市場上只有少數(shù)晶圓代工廠能夠提供先進(jìn)制程工藝,而能在芯片設(shè)計(jì)中集成RF功能的選擇則更為有限。“三星晶圓代工事業(yè)部市場營銷副總裁韓承勛指出,”隨著我們進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,智能連接設(shè)備也將更加普及,更小和節(jié)能型的RF設(shè)計(jì)對(duì)SoC解決方案來說至關(guān)重要。為
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瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項(xiàng)應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。 現(xiàn)代發(fā)動(dòng)機(jī)油耗不斷降低,要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來的進(jìn)一步系統(tǒng)升級(jí)。高速實(shí)時(shí)處理,例如根據(jù)對(duì)多個(gè)傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換將成為必備功能,車用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外,隨著ECU數(shù)目的不斷增多,如果我們考慮電源方面的限制,比如汽車臨時(shí)停車時(shí)關(guān)掉發(fā)
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臺(tái)積電仍是聯(lián)發(fā)科28nm芯片主要制造商
- 為回應(yīng)近期市場猜測,聯(lián)發(fā)科正在將一部分28nm芯片訂單轉(zhuǎn)移至Globalfoundries和聯(lián)華電子(UMC)。對(duì)此聯(lián)發(fā)科總裁謝清江表示,臺(tái)積電仍是其28nm設(shè)備的主要代工廠。 據(jù)報(bào)道,聯(lián)發(fā)科采用Globalfoundries公司的28nm PolySiON工藝來制造入門級(jí)解決方案。隨著聯(lián)電28納米制程工藝收益率日益提高,聯(lián)發(fā)科認(rèn)為,應(yīng)該考慮將聯(lián)電作為另一個(gè)28納米代工伙伴。 聯(lián)發(fā)科主要生產(chǎn)智能手機(jī)SoC,并一直積極擴(kuò)大其產(chǎn)品范圍至平板電腦。謝清江表示,2014年聯(lián)發(fā)科的平板電腦S
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移動(dòng)芯片大比拼之工藝制程分析
- 在移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域,高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動(dòng)芯片廠商,2013年是28nm制程的普及年,除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外,其余各家移動(dòng)通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個(gè)工藝方向:HighPerformance(HP,高性能型)和LowPower(LP,低功耗型)。LP低功耗型是最早量產(chǎn)的,不過它并非Gate-Last工藝,還是傳統(tǒng)的SiON(氮氧化硅)介質(zhì)和多晶硅柵極工藝,優(yōu)點(diǎn)是成本低,工藝簡單,適合對(duì)性能要求不高的手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備。HP才是真正的HK
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28nm以下工藝成本與收益現(xiàn)矛盾
- 三十多年來,半導(dǎo)體工業(yè)繞來繞去都繞不開“摩爾定律”,但是隨著工藝的提升,業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過15年后摩爾定律就不管用了,日前他在IEDM國際電子元件會(huì)議上同樣做了類似表示,現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝將在5nm階段達(dá)到極限,而且28nm工藝之后制造成本已不能從中獲益。 Samueli在接受EETimes采訪時(shí)談到了現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝狀態(tài),28nm及之后的工藝雖然會(huì)繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗,但在成本上已經(jīng)不能繼續(xù)受益,未
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