18a 制程文章最新資訊

英特爾將在 2025 VLSI 研討會(huì)上詳解 18A 制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)

4 月 21 日消息，2025 年超大規(guī)模集成電路研討會(huì)（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級(jí)國(guó)際會(huì)議。VLSI 官方今日發(fā)布預(yù)覽文檔，簡(jiǎn)要介紹了一系列將于 VLSI 研討會(huì)上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節(jié)點(diǎn)在性能、能耗及面積（PPA）指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升，將為消費(fèi)級(jí)客戶(hù)端產(chǎn)品與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來(lái)實(shí)質(zhì)性提升。英特爾聲稱(chēng)，在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度條件下，I
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AMD拿下臺(tái)積電2nm工藝首發(fā)

4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺(tái)積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，預(yù)計(jì)將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺(tái)積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋(píng)果公司的芯片首發(fā)。N2是臺(tái)積電首個(gè)依賴(lài)于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%，同時(shí)晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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英特爾宣布 18A 工藝節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)

英特爾的代工服務(wù)高級(jí)副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會(huì)上宣布了公司 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展。?在 2025 年愿景會(huì)議上，英特爾今天宣布已進(jìn)入其 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，這是一個(gè)關(guān)鍵的生產(chǎn)里程碑，標(biāo)志著該節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于小批量測(cè)試制造運(yùn)行的早期階段。英特爾的代工服務(wù)高級(jí)副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因?yàn)橛⑻貭柤磳⑼耆瓿善洹八哪晡鍌€(gè)節(jié)點(diǎn)”（5N4Y）計(jì)劃，該計(jì)劃最初由前首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）
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英特爾18A制程搶單臺(tái)積電，瞄準(zhǔn)英偉達(dá)和博通

臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來(lái)勢(shì)洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報(bào)告指出，英特爾在新任執(zhí)行長(zhǎng)陳立武帶領(lǐng)下，著重發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與代工能力，正積極爭(zhēng)取英偉達(dá)與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達(dá)比博通更有機(jī)會(huì)下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產(chǎn)品，但效能與功耗仍是英偉達(dá)考慮的重點(diǎn)。另一方面，英特爾透過(guò)改善先進(jìn)封裝技術(shù)，縮小與臺(tái)積電的差距，英特爾EMIB接近臺(tái)積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達(dá)為首的大客戶(hù)支持。此外，英特爾與聯(lián)電的合作相當(dāng)順利，最快可能在202
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中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)！

3月24日消息，中國(guó)科學(xué)院（CAS）研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，能發(fā)射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長(zhǎng)一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)（SPIE）的官網(wǎng)上。目前，全球主要的DUV光刻機(jī)制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光技術(shù)。這種技術(shù)通過(guò)氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193納米波長(zhǎng)的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射，輸出功
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Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早

Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠(chǎng)傳出了捷報(bào)，位于亞利桑那州的新晶圓廠(chǎng)的Intel 18A工藝開(kāi)始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計(jì)劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開(kāi)始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶(hù)進(jìn)行測(cè)試與評(píng)估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）正式進(jìn)入1.0版本，客戶(hù)已開(kāi)始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測(cè)試。Intel 18
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即使18A得到提升，英特爾也會(huì)繼續(xù)使用臺(tái)積電的服務(wù)

盡管英特爾希望減少對(duì)臺(tái)積電制造服務(wù)的使用，但該公司將在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)繼續(xù)從這家總部位于中國(guó)臺(tái)灣的代工廠(chǎng)訂購(gòu)芯片，一位高級(jí)管理人員昨天在一次技術(shù)會(huì)議上表示。英特爾的宏偉計(jì)劃是在英特爾代工內(nèi)部生產(chǎn)盡可能多的產(chǎn)品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評(píng)估其產(chǎn)品的百分比應(yīng)該在臺(tái)積電生產(chǎn)?！拔艺J(rèn)為一年前我們?cè)谡務(wù)摫M快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經(jīng)不是策略了，”英特爾企業(yè)規(guī)劃和投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會(huì)議上說(shuō)?！拔覀冋J(rèn)為，至少與臺(tái)積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個(gè)很
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2納米制程競(jìng)爭(zhēng) 臺(tái)積電穩(wěn)步向前或芒刺在背？

在半導(dǎo)體制程技術(shù)的競(jìng)賽中，2納米制程成為各大廠(chǎng)商爭(zhēng)奪的下一個(gè)重要里程碑。臺(tái)積電（TSMC）正在積極研發(fā)2納米制程，于2024年開(kāi)始試產(chǎn)，并計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。臺(tái)積電將在2納米節(jié)點(diǎn)引入GAA（環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，這是從傳統(tǒng)的FinFET轉(zhuǎn)向新一代晶體管架構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。臺(tái)積電也計(jì)劃興建2納米晶圓廠(chǎng)，以滿(mǎn)足未來(lái)的生產(chǎn)需求。臺(tái)積電在制程技術(shù)上一直保持領(lǐng)先，擁有穩(wěn)定的制造流程和廣泛的客戶(hù)基礎(chǔ)。與蘋(píng)果、AMD、高通等大客戶(hù)的緊密合作，使其在市場(chǎng)上具有強(qiáng)大的影響力。且需面對(duì)來(lái)自三星和英特爾在GA
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計(jì)劃上半年流片，英特爾18A制程準(zhǔn)備就緒

近日，英特爾宣布，其18A制程節(jié)點(diǎn)（1.8納米）已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，并計(jì)劃在今年上半年開(kāi)始設(shè)計(jì)定案。該制程將導(dǎo)入多項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計(jì)劃將18A制程應(yīng)用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過(guò)將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級(jí)硅穿孔（through-silicon
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英特爾18A節(jié)點(diǎn)SRAM密度與臺(tái)積電持平背面功率傳輸是一大優(yōu)勢(shì)

英特爾在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點(diǎn)介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點(diǎn)的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅(jiān)實(shí)進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類(lèi)似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和
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16/14nm也受限但擋不住中國(guó)崛起！光刻機(jī)采購(gòu)金額首次大幅下降

2月13日消息，雖然受到美國(guó)制裁，但中國(guó)一直是以光刻機(jī)為主的晶圓/芯片制造設(shè)備的最大采購(gòu)國(guó)，而根據(jù)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights的最新報(bào)告，2025年中國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)商的采購(gòu)將首次出現(xiàn)大幅下降。報(bào)告稱(chēng)，2024年，中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備的采購(gòu)額為410億美元，而在2025年預(yù)計(jì)會(huì)降至380億美元，降幅超過(guò)7％。TechInsights認(rèn)為，這一方面是美國(guó)的出口管制政策越發(fā)收緊，另一方面是中國(guó)半導(dǎo)體本身不斷取得突破，同時(shí)芯片供應(yīng)超過(guò)了需求。30億美元的下降很大，不過(guò)380億美元的采購(gòu)規(guī)模，仍然讓中國(guó)穩(wěn)居世
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英特爾宣布首款I(lǐng)ntel 18A芯片下半年發(fā)布

在CES 2025上的處理器大廠(chǎng)英特爾演講中，英特爾臨時(shí)聯(lián)合執(zhí)行長(zhǎng)Michelle Johnston宣布，首款I(lǐng)ntel 18A節(jié)點(diǎn)制程芯片，也就是英特爾Panther Lake處理器將于2025年下半年發(fā)表。演講中，Johnston還展示了 Panther Lake 芯片的樣品，并表示芯片已經(jīng)在測(cè)試中，她對(duì) intel 18A 節(jié)點(diǎn)制程的成果非常滿(mǎn)意。Johnston宣布Intel 18A節(jié)點(diǎn)制程將于2025年晚些時(shí)候發(fā)表。她強(qiáng)調(diào)，英特爾會(huì)在2025年及以后繼續(xù)增強(qiáng)AI PC產(chǎn)品組合，向客戶(hù)提供領(lǐng)先的
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求變！三星將全面整頓封裝供應(yīng)鏈：材料設(shè)備采購(gòu)規(guī)則全改

12月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星正計(jì)劃對(duì)其先進(jìn)半導(dǎo)體封裝供應(yīng)鏈進(jìn)行全面整頓，以加強(qiáng)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。這一舉措將從材料、零部件到設(shè)備進(jìn)行全面的“從零檢討”，預(yù)計(jì)將對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大影響。報(bào)道稱(chēng)，三星已經(jīng)開(kāi)始審查現(xiàn)有供應(yīng)鏈，并計(jì)劃建立一個(gè)新的供應(yīng)鏈體系，優(yōu)先關(guān)注設(shè)備，并以性能為首要要求，不考慮現(xiàn)有業(yè)務(wù)關(guān)系或合作。三星甚至正在考慮退回已采購(gòu)的設(shè)備，并重新評(píng)估其性能和適用性，目標(biāo)是推動(dòng)供應(yīng)鏈多元化，包括更換現(xiàn)有的供應(yīng)鏈。三星過(guò)去一直執(zhí)行“聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃”與單一供應(yīng)商合作開(kāi)發(fā)下一代產(chǎn)品，然而，由于半導(dǎo)體技術(shù)日益復(fù)
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臺(tái)積電2nm制程設(shè)計(jì)平臺(tái)準(zhǔn)備就緒，預(yù)計(jì)明年末開(kāi)始量產(chǎn)

在歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）論壇上，臺(tái)積電表示電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強(qiáng)型N2P/N2X制程技術(shù)做好準(zhǔn)備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經(jīng)通過(guò)N2P工藝開(kāi)發(fā)套件（PDK）版本0.9的認(rèn)證，該版本PDK被認(rèn)為足夠成熟。這意味著各種芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商現(xiàn)在可以基于臺(tái)積電第二代2nm制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)芯片。據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在2025年末開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝，同時(shí)A16工藝計(jì)劃在2026年末開(kāi)始投產(chǎn)。臺(tái)積電N2系
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三星“緊跟”臺(tái)積電：對(duì)中國(guó)大陸暫停提供7nm及以下制程的芯片

據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)商務(wù)部已向臺(tái)積電發(fā)函，對(duì)7nm及以下制程的芯片實(shí)施更為嚴(yán)格的出口管控措施，特別是針對(duì)人工智能（AI）和圖形處理器（GPU）領(lǐng)域。對(duì)此臺(tái)積電計(jì)劃提高與客戶(hù)洽談與投片的審核標(biāo)準(zhǔn)，擴(kuò)大產(chǎn)品審查范圍 —— 同時(shí)，已通知中國(guó)大陸的部分芯片設(shè)計(jì)公司，從即日起暫停向它們提供7nm或以下制程的芯片。臺(tái)積電回應(yīng)稱(chēng)，對(duì)于傳言不予置評(píng)。從最新的傳聞來(lái)看，雖然美國(guó)目前尚未正式出臺(tái)相關(guān)的限制細(xì)則，但三星似乎也受到了來(lái)自美國(guó)商務(wù)部的壓力，不得不采取與臺(tái)積電類(lèi)似的舉措。有消息稱(chēng)，三星與臺(tái)積電近日向他所投資的企業(yè)發(fā)送郵件
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