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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 14nm

GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

  •    日前,GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù),其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問,對有關(guān)問題進行了解讀。   XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫,作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu),它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計做了優(yōu)化,能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比,該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。   Noonen表示:“201
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IDF:英特爾預(yù)計將于2013年年底之前進入14nm時代

  • ?  英特爾公司在最近召開的英特爾信息技術(shù)峰會(IDF)上表示,他們將在2013年年底之前進入14nm時代。目前,英特爾的22nm工藝技術(shù)已經(jīng)相當成熟,它大量用于Haswell處理器的生產(chǎn)線上。
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線

  •   核心提示:英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠,將當?shù)鼐A廠的數(shù)量減少至三個,分別為Fab10,24和24-2。2011年1月,英特爾花費約五億美元重建Fab14舊廠,但當時并未說明翻新這座晶圓廠的詳細規(guī)劃。   英特爾日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據(jù)表示,總投資金額將超過十億美元。   英特爾CEO PaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶圓廠包括了位在美國奧勒岡州的D1X晶圓廠
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偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩

  •   半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn),即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束,我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示,晶片微縮的路程愈來愈艱困了。   1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延長到了三年左右。2009年,45/40nm晶圓占代工廠營收比重僅10%;而2012年第四季,32/28nm占代工廠營收比重也是10%。   2.在32nm量產(chǎn)2年多以后,22nm的FinFET才宣布將邁入量產(chǎn)。FinFET是一項極具挑戰(zhàn)性的技術(shù)。英特爾在這方面的研究相當卓越,但仍需克服
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14nm會是硅芯片的盡頭?

  •   盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片,但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。   近年來,芯片的發(fā)展進程始終嚴格遵守著“摩爾定律”,并有條不紊地進行著,直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實驗室中被研制成功,業(yè)界開始有了擔憂。   據(jù)摩爾定律所說,集成在同一芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年增加一倍,同時相同大小的芯片將具有雙倍的性能。一旦達到14nm的制程,將極其接近硅晶體的理論極限數(shù)字(大約為9nm到11nm)。   盡管英特爾
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耗資大周期長 臺積電14nm投產(chǎn)一時難如愿

  •   雖然在40nm、28nm兩度折戟,境況堪憂,但臺積電畢竟是全球第一大代工廠,正所謂樹大根深。近日據(jù)悉,臺積電資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-yi Chiang)已經(jīng)宣稱,臺積電將在2012年開始14nm工藝的研發(fā),并將于2015年投入批量生產(chǎn)。   蔣尚義說,臺積電會使用450毫米(18英寸)新晶圓來制造14nm工藝芯片,而不是現(xiàn)在主流的300毫米,因為更大尺寸的晶圓將有助于降低生產(chǎn)成本。   
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英特爾調(diào)整芯片策略 3年內(nèi)跨向14nm

  •   由于對目前Atom處理器路線圖的不滿,Intel公司首席執(zhí)行官Paul Otellini認為應(yīng)該改變原有路線圖,尋找新的中心點,同時Paul Otellini稱公司已經(jīng)加快新款A(yù)tom處理器的設(shè)計進度,并表示Intel公司的一個目標是在智能手機和平板電腦設(shè)備上部署Atom處理器。  
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臺積電:14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)

  •   據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露,與會的各家半導體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。   其中來自半導體代工巨頭臺積電公司負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義在會上發(fā)言稱,臺積電公司已經(jīng)決定在14nm制程節(jié)點轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。   蔣尚義表示:“經(jīng)過研究,我們決定在14nm制程節(jié)點放棄使用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)而采用能更好控制溝道性能的垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。&rdq
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