14nm 文章 進入14nm技術(shù)社區(qū)
GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?
- 日前,GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù),其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問,對有關(guān)問題進行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫,作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu),它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計做了優(yōu)化,能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比,該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示:“201
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英特爾開始部署14nm產(chǎn)線
- 核心提示:英特爾于2009年關(guān)閉了位在都柏林附近Leixlip的Fab14廠,將當?shù)鼐A廠的數(shù)量減少至三個,分別為Fab10,24和24-2。2011年1月,英特爾花費約五億美元重建Fab14舊廠,但當時并未說明翻新這座晶圓廠的詳細規(guī)劃。 英特爾日前公布了將部署14nm及以下制程的晶圓廠投資計劃。據(jù)表示,總投資金額將超過十億美元。 英特爾CEO PaulOtellini稍早前說明了英特爾的晶圓廠部署14nm及未來更先進制程的藍圖及相關(guān)投資規(guī)劃。這些晶圓廠包括了位在美國奧勒岡州的D1X晶圓廠
- 關(guān)鍵字: 英特爾 14nm 晶圓
偏離摩爾定律晶片微縮腳步漸緩
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項挑戰(zhàn),即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束,我們正在跨入一個情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示,晶片微縮的路程愈來愈艱困了。 1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延長到了三年左右。2009年,45/40nm晶圓占代工廠營收比重僅10%;而2012年第四季,32/28nm占代工廠營收比重也是10%。 2.在32nm量產(chǎn)2年多以后,22nm的FinFET才宣布將邁入量產(chǎn)。FinFET是一項極具挑戰(zhàn)性的技術(shù)。英特爾在這方面的研究相當卓越,但仍需克服
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臺積電:14nm制程節(jié)點將用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)
- 據(jù)參加了比利時微納米電子技術(shù)研究機構(gòu)IMEC召開的技術(shù)論壇的消息來源透露,與會的各家半導體廠商目前已經(jīng)列出了從平面型晶體管轉(zhuǎn)型為垂直型晶體管(以Intel的三柵晶體管和IBM的FinFET為代表)的計劃。 其中來自半導體代工巨頭臺積電公司負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義在會上發(fā)言稱,臺積電公司已經(jīng)決定在14nm制程節(jié)點轉(zhuǎn)向使用垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。 蔣尚義表示:“經(jīng)過研究,我們決定在14nm制程節(jié)點放棄使用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)而采用能更好控制溝道性能的垂直型晶體管結(jié)構(gòu)。&rdq
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