首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 鎂光

鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃 將專注于制程提升

  • 　　繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，鎂光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，鎂光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹(jǐn)慎，以避免犯下和過去一樣的錯(cuò)誤。 　　2005年，全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴(kuò)增
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  內(nèi)存芯片  

鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程

  • 　　鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 　　Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  NAND  25nm  

鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。     　　兩家廠商預(yù)計(jì)將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。 　　這款42nm 2Gb
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  內(nèi)存芯片  DDR3  

飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

  • 　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。 　　這款SSD具體型號(hào)RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號(hào)，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價(jià)大約450美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  34納米  NAND  SSD  

Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制

  • 　　在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信 息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對(duì)手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。 　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  NAND  閃存  

鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

  • 　　鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫入壽命達(dá)3萬次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  NAND  閃存芯片  34nm  

臺(tái)灣內(nèi)存公司有望與爾必達(dá)鎂光兩家達(dá)成技術(shù)合作

  • 　　近日業(yè)界有猜測(cè)稱鎂光科技正在請(qǐng)求美國政府幫助游說臺(tái)灣內(nèi)存公司（TMC），以便與TMC達(dá)成合作關(guān)系。TMC將于本月底對(duì)外正式公布自己的技術(shù)合作伙伴。 　　鎂光駁斥了這一猜測(cè)，他們宣稱自己通向TMC項(xiàng)目的大門并沒有被關(guān)閉，不過他們需要先與自己的臺(tái)灣合作商南亞洽談，以爭(zhēng)得對(duì)方的同意。 　　TMC負(fù)責(zé)人宣明智將在三月底對(duì)外公布TMC公司的技術(shù)合作伙伴。業(yè)界猜測(cè)他們可能會(huì)與日系爾必達(dá)與美系鎂光兩家廠商達(dá)成技術(shù)合作關(guān)系。
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  內(nèi)存  
共22條 2/2 « 1 2

鎂光介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條鎂光!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)鎂光的理解，并與今后在此搜索鎂光的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

鎂光    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473