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碳化硅！ 文章 最新資訊

第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

  • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展

  • 據(jù)深圳平湖實驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
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第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

  • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

  • 碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現(xiàn)分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應(yīng)離子蝕刻碳化硅反應(yīng)離子蝕刻案例ICP的應(yīng)用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當器件尺寸進入亞微米級（<1μm）時，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
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碳化硅大風，吹至半導(dǎo)體設(shè)備

  • 2025年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵發(fā)展節(jié)點，正式步入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨之后，碳化硅設(shè)備領(lǐng)域又傳動態(tài)：中導(dǎo)光電拿下SiC頭部客戶重復(fù)訂單。 近日，中導(dǎo)光電的納米級晶圓缺陷檢測設(shè)備NanoPro-150獲得國內(nèi)又一SiC頭部客戶的重復(fù)訂單，該設(shè)備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設(shè)備產(chǎn)品還成功贏得了國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)頭部企業(yè)的重復(fù)訂單。 中導(dǎo)光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
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英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

  • 英飛凌1992年開始碳化硅技術(shù)研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導(dǎo)體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術(shù)，2024年推出了集成.XT技術(shù)的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術(shù)方面的進展及其在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應(yīng)用和
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30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
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英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴

  • 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲能等其他應(yīng)用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
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格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)

  • 12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計、自主制造到整個全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。據(jù)報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設(shè)，2023年4月開始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當年10月設(shè)備移入，12個月實現(xiàn)通線。項目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關(guān)鍵核心工藝國產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過70%，據(jù)稱是全球第二組、亞洲第一座全自
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博世將獲美芯片補貼擴產(chǎn)SiC半導(dǎo)體

  • 據(jù)媒體報道，美國商務(wù)部13日宣布，已與德國汽車零部件供應(yīng)商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。此外，美國商務(wù)部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車 電源控制系統(tǒng)

  • ●? ?意法半導(dǎo)體與雷諾集團簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應(yīng)鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術(shù)設(shè)計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅(qū)動工廠開業(yè)

  • 據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅(qū)動工廠—采埃孚電驅(qū)動系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅(qū)動工廠，沈陽工廠將生產(chǎn)和銷售新能源汽車電驅(qū)動橋三合一總成等產(chǎn)品。據(jù)介紹，沈陽電驅(qū)動工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車的電驅(qū)動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅(qū)動工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動技術(shù)（杭州）有限公司二期項目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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手搓了一個3kW碳化硅電源！實測一下！

  • 做了一個3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設(shè)計出來的（第2章）？實測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設(shè)計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級PFC環(huán)節(jié)；② 
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名

  • 為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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碳化硅！介紹

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