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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

  • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種
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Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

  • 引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
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飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

  • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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可編程大電流熱插拔控制

  • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會中斷原電路板正在進行的工作狀態(tài)，并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時，保護MOSFET器件。
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MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

  • 在同步降壓電源應用中,降低MOSFET導通電阻對同步整流器而言十分關(guān)鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復式整流電...
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電源測試之-MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性能、...
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2016年LED照明領(lǐng)域大功率半導體市場將達30億美元

  • 　　據(jù)市場研究機構(gòu)IMS Research的最新報告顯示，2016年，LED照明應用領(lǐng)域的全球功率半導體市場預計將超過30億美元。 　　報告認為，隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場快速增長，這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場，到2016年，大功率LED出貨量將達190億個，總值超過30億美元。 　　LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇，到2016年將可帶動20億美元的功率半導體市場。市面上具有各種不同的電子設(shè)計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
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集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)

  • 1引言開關(guān)電源中大功率器件驅(qū)動電路的設(shè)計一向是電源領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。普通大功率三極管和絕緣柵功...
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Alpha MOS在PFC應用中的注意事項與設(shè)計要點

  • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導通電阻，因此在通信電源，服務器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
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[組圖]800瓦MOSFET功放

  • 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
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Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎(chǔ)上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
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智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設(shè)計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術(shù)進步。由于各醫(yī)療設(shè)備公司間競爭激烈，他們的最終應用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
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羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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碳化硅 mosfet介紹

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