- 便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
- 關鍵字：
飛兆 MOSFET P溝道
- 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率芯片非對稱N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設計人員應對這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
- 關鍵字：
飛兆 MOSFET FDPC8011S N溝道
- 新型純控制器降壓LED驅動器成本優(yōu)勢明顯、效率傲視群雄
中國上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓撲結構的高功率非調光型LED照明應用。SSL2109 LED驅動器IC與外部功率開關一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設計平臺。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
- 關鍵字：
恩智浦 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計，在4.5V下導通電阻低至1.35m?，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
- 關鍵字：
Vishay MOSFET
- 在現今的汽車應用中，設計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負載，這類應用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等。現在要實現這一目的，設計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制于市場上數量有限的解決方案。
- 關鍵字：
飛兆 MOSFET F085A
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。
- 關鍵字：
Vishay MOSFET 轉換器
- 在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和...
- 關鍵字：
MOSFET 驅動器 電源性能
- 工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
- 關鍵字：
MOSFET 車用 保護 性能
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。
- 關鍵字：
IR MOSFET
- 功率因數校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
- 關鍵字：
電源應用 碳化硅 肖特基二極管
- 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
- 關鍵字：
氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 在電源設計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現 2A 范圍的驅動電流。在本設計小貼士中，我們來了解一下自驅動同整流器并探討何時需要分
- 關鍵字：
MOSFET 驅動器 卓越 解決方案 集成 替代 設計 分立 器件
- 在電源設計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
- 關鍵字：
電源設計 分立器件 MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成許可協議。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
- 關鍵字：
飛兆 英飛凌 MOSFET
- 英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導體產品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質量認證標準AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉換器和HID(高強度放電)照明等諧振拓撲。
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
