碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌基于ARM內(nèi)核的汽車級(jí)電機(jī)控制集成芯片

　　摘要：本文介紹了常見(jiàn)的幾種在汽車車身上的電機(jī)應(yīng)用，包括直流有刷電機(jī)控制，有霍爾/無(wú)霍爾直流無(wú)刷電機(jī)控制和永磁同步電機(jī)控制，不論是哪一種電機(jī)控制方案，英飛凌公司推出的基于ARM內(nèi)核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。　　引言　　隨著電機(jī)在汽車上的廣泛應(yīng)用，如何降低能耗，減少噪音，成了工程師們面臨的新難題，傳統(tǒng)的電動(dòng)油泵、電動(dòng)水泵和散熱風(fēng)扇由繼電器控制直流電機(jī)的開(kāi)通或者關(guān)斷，不能進(jìn)行調(diào)速，在怠速狀況時(shí)電機(jī)仍然高速運(yùn)轉(zhuǎn)，如果采用脈寬調(diào)制控制的直流電機(jī)或者三相電機(jī)，則可以在不同的工況
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM 電機(jī)控制 MOSFET 微控制器 201409

如何成為一個(gè)優(yōu)秀的硬件設(shè)計(jì)師

　　啟動(dòng)一個(gè)硬件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，原始的推動(dòng)力會(huì)來(lái)自于很多方面，比如市場(chǎng)的需要，基于整個(gè)系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應(yīng)用軟件部門的功能實(shí)現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個(gè)硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者，要主動(dòng)的去了解各個(gè)方面的需求，并且綜合起來(lái)，提出最合適的硬件解決方案。比如A項(xiàng)目的原始推動(dòng)力來(lái)自于公司內(nèi)部的一個(gè)高層軟件小組，他們?cè)趯?shí)際當(dāng)中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對(duì)于系統(tǒng)的配置和使用都會(huì)造成很大的不便，所以他們提出了對(duì)新硬件的需求。根據(jù)這個(gè)目標(biāo)，硬件方案中就針對(duì)性的選用了兩個(gè)高性能網(wǎng)絡(luò)處理器，然后還
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) Linear MOSFET

超薄雙管MOSFET

　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設(shè)計(jì)適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計(jì)所需的超薄的MOSFET時(shí)更顯得不可或缺。　　計(jì)算機(jī)、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點(diǎn)是如何設(shè)計(jì)出盡可能小的外形尺寸。現(xiàn)在，設(shè)計(jì)人員可通過(guò)與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時(shí)還可
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝 NexFET

宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開(kāi)發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
關(guān)鍵字：宜普 EPC MOSFET

DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器

具高級(jí)輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：降壓型穩(wěn)壓器負(fù)載保護(hù) MOSFET LTM4641 μModule

IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出汽車級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機(jī)控制和車身控制等?！　∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(zhǎng)管腳，管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接，從而
關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET

新日本無(wú)線變身綜合電子元器件供應(yīng)商

　　]新日本無(wú)線的MEMS傳感器累計(jì)出貨量突破1億枚，這是新日本無(wú)線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長(zhǎng)村田隆明先生今年來(lái)訪時(shí)帶來(lái)的最新消息，同時(shí)在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運(yùn)算放大器等各個(gè)方面都有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。　　記得去年七月份村田隆明來(lái)到本刊時(shí)，詳細(xì)介紹了新日本無(wú)線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。　　電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 　　縱觀新日本無(wú)線公司歷長(zhǎng)達(dá)50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨(dú)特的模擬技術(shù)和微
關(guān)鍵字： MEMS MOSFET 濾波器

IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET

超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國(guó)夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來(lái)，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。　　在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET

超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國(guó)夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會(huì)上的研究人員們表示，未來(lái)，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長(zhǎng)而成。　　在一場(chǎng)由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
關(guān)鍵字：矽晶 MOSFET

EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機(jī)遇

　　功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)份額。　　增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406

首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

　　5月29日，國(guó)內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品，成為國(guó)內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對(duì)于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
關(guān)鍵字：碳化硅外延晶片

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個(gè)門類的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是通過(guò)在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評(píng)審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計(jì)算設(shè)備中顯著提高效率
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界

三菱電機(jī)攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

　　三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?！　〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動(dòng)汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) PCIM 碳化硅