意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。

　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)，讓開發(fā)人員能夠設(shè)計(jì)出更高效的電源。

　　同時，與市場現(xiàn)有產(chǎn)品的600V典型擊穿電壓相比，意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品將該參數(shù)提高至650V，確保新產(chǎn)品具有更高的安全系數(shù)，讓設(shè)備廠商能夠設(shè)計(jì)更穩(wěn)健且更可靠的電源系統(tǒng)。

　　新系列產(chǎn)品還增加了一款采用表面貼裝封裝的PowerFLAT 5x6 HV高壓產(chǎn)品，雖然封裝表面積和厚度都很小，但熱效率和電流處理能力俱佳。計(jì)劃于2015年第1季度投入量產(chǎn)的PowerFLAT 5x6 HV 封裝可有效提高功率容量，助力設(shè)備廠商研制尺寸更小的下一代產(chǎn)品，且在實(shí)現(xiàn)輸出功率變得更高的同時，不會影響其工作可靠性。

　　MDmesh M2 MOSFET的目標(biāo)應(yīng)用包括筆記本電腦、打印機(jī)和游戲機(jī)等設(shè)備的外接電源，以及電視機(jī)和音響系統(tǒng)的內(nèi)部電源。3W-25W單排以及大功率多排LED燈引擎驅(qū)動器也將受益于新產(chǎn)品的高熱效和高性能。PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇，為尺寸精巧的家用和商用逆變器模塊帶來MDmesh M2產(chǎn)品的能效優(yōu)勢。

　　22 MDmesh M2 650V MOSFET現(xiàn)已上市，最大額定電流范圍為4A至11A，最低導(dǎo)通電阻RDS(ON) 降至0.360?。STD6N65M2采用D2PAK封裝。

　　欲了解更多詳情，請?jiān)L問：www.st.com/mdmeshm2