碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計(jì)并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
關(guān)鍵字： Nexperia 自動(dòng)安全氣囊 MOSFET

安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對(duì)適合高功率密度設(shè)計(jì)的高性能開關(guān)組件迅速增長(zhǎng)的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
關(guān)鍵字：安森美 TOLL封裝碳化硅 MOSFET

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強(qiáng)特性進(jìn)一步提高系統(tǒng)能效

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時(shí)，隨著柵極運(yùn)行
關(guān)鍵字： SiC 太陽(yáng)能 MOSFET

場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)
關(guān)鍵字： MOSFET MOS 場(chǎng)效應(yīng)管

開關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少M(fèi)OS管損耗

一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個(gè)人電腦，而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關(guān)損耗開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOS MOSFET

10A電子保險(xiǎn)絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護(hù)

摘要傳統(tǒng)上，過流保護(hù)使用的是保險(xiǎn)絲。但是，保險(xiǎn)絲體積龐大，響應(yīng)速度慢，跳閘電流公差大，需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應(yīng)速度快的10 A電子保險(xiǎn)絲，它沒有上述這些無(wú)源保險(xiǎn)絲缺點(diǎn)。電子保險(xiǎn)絲可在高達(dá)48 V的DC電源軌上提供過流保護(hù)。簡(jiǎn)介為了盡量減少由電氣故障引起的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間，使用率高的電源或全年無(wú)休的系統(tǒng)需要在供電板上增加過載和短路保護(hù)。當(dāng)電源為多個(gè)子系統(tǒng)或板（例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務(wù)器和路由器）供電時(shí)，必須為電源提供過流保護(hù)。快速斷開發(fā)生故障的子系統(tǒng)與共享電源總
關(guān)鍵字： MOSFET

功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)

全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學(xué)家已達(dá)成共識(shí)，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個(gè)可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)。要實(shí)現(xiàn)面向未來(lái)的可持續(xù)能源網(wǎng)絡(luò)，綠色轉(zhuǎn)型勢(shì)在必行，下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施必須對(duì)環(huán)境有利。安森美認(rèn)為下一代能源網(wǎng)絡(luò)將主要基于太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源，并結(jié)合能源儲(chǔ)存的能力。此外，我們認(rèn)為能耗必須向電動(dòng)汽車 (EV) 等高效和零排放的負(fù)載遷移，以實(shí)現(xiàn)可行且可持續(xù)的能源網(wǎng)絡(luò)。圖1 21世紀(jì)能源網(wǎng)絡(luò)無(wú)論是太陽(yáng)能、風(fēng)能和儲(chǔ)能等可再生能源，還是電動(dòng)汽車
關(guān)鍵字： MOSFET

健康催生可穿戴多功能需求東芝多款器件直面新機(jī)遇

可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂、運(yùn)動(dòng)和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢(shì)和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費(fèi)電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機(jī)遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設(shè)備已成為過去5年來(lái)消費(fèi)電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴(yán)重的新冠疫情影響，部
關(guān)鍵字： 202009 MOSFET

如何用無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實(shí)現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設(shè)備都需要直流電，這意味著進(jìn)行這種轉(zhuǎn)換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負(fù)載之一。隨著世界關(guān)注能效以保護(hù)環(huán)境并管理運(yùn)營(yíng)成本，這些電源的高效運(yùn)行變得越來(lái)越重要。效率作為輸入功率與供給負(fù)載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設(shè)備（包括電源）消耗的有用（真實(shí)）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉(zhuǎn)換為有用功輸出的有效性。如果負(fù)載是純阻性負(fù)載，PF 將等于1，但任何負(fù)載內(nèi)的無(wú)功
關(guān)鍵字： 202204 MOSFET 無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器

貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測(cè)傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測(cè)方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測(cè)器、紅外源和光學(xué)濾波器）、用
關(guān)鍵字：貿(mào)澤電子英飛凌 XENSIV PAS CO2傳感器 MOSFET

揚(yáng)杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝

4月8日消息，揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核
關(guān)鍵字： MOSFET 楊杰科技

板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！

MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！
關(guān)鍵字： MOSFET ZLG

瑞森 SGT MOSFET 介紹及應(yīng)用

最近，瑞森研發(fā)部對(duì)功率MOSFET的技術(shù)進(jìn)行了更新?lián)Q代，這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
關(guān)鍵字： MOSFET 瑞森

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制，并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通，在選取MOSFET時(shí)應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。
關(guān)鍵字： MOSFET 英飛凌

你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？

在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來(lái)帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對(duì)于N溝道型的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，如圖2所
關(guān)鍵字： MOSFET ZLG