南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。
海力士相關(guān)人員表示，26納米制程NAND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。
NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲存信息，是智能型手機、平板計算機等行動裝
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海力士 NAND
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍設(shè)備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。
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海力士 蒸鍍設(shè)備
據(jù)國外媒體報道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實現(xiàn)凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個人電腦需求低迷導(dǎo)致芯片價格下滑影響。
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海力士 內(nèi)存芯片
2010年韓國半導(dǎo)體、顯示器設(shè)備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業(yè)年度銷售逾2,000億韓元，過去韓國半導(dǎo)體及顯示器設(shè)備國產(chǎn)業(yè)者積極推動事業(yè)多元化及擴大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟以建構(gòu)可永續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，目前正快速成長中。根據(jù)韓國電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷售突破2,000億韓元的設(shè)備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士 電子制造設(shè)備
2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團接手并進行債務(wù)重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?！?/li>
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海力士 內(nèi)存芯片 NAND
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標準規(guī)范?！?/li>
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海力士 內(nèi)存
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
全球第二大計算機內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。
海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。
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海力士 DRAM
韓國海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關(guān)芯片三維互連研究計劃，這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實驗室承擔，SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本。
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海力士 半導(dǎo)體
據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，全球第2大存儲器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進行資本投資。
據(jù)海力士計劃，該筆資金將用于擴張既有廠房、設(shè)備升級與研究開發(fā)工作。該公司公開說明指出，本次投資規(guī)畫旨在因應(yīng)市場需求與成本競爭壓力加劇。
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海力士 半導(dǎo)體
據(jù)國外媒體報道，韓國半導(dǎo)體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴大和升級現(xiàn)有工廠，以及開展研發(fā)工作。
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海力士 半導(dǎo)體
存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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海力士 NAND
1月30日，海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項目4.5億美元銀團貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項目，由國家開發(fā)銀行江蘇省分行、中國農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國銀行、工商銀行、建設(shè)銀行、中信銀行共同參與組建銀團，融資總額4.5億美元。這次銀團簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線項目銀團后的又一次成功合作。
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海力士 集成電路
韓國《東亞日報》周一報道，海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余股份尋找買家。
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海力士 半導(dǎo)體
海力士介紹
海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
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