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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 海力士

內(nèi)存價格飆升，海力士Q3利潤大漲415%

  • 　　據(jù)外媒報道，得益于芯片市場需求的回升和芯片價格的暴漲，韓國芯片生產(chǎn)商海力士在今年第三季度的運營利潤大漲了415%。海力士公司目前是世界第二大的半導體元件制造商，在截至9月末的第三季度中，海力士公司的運營利潤達到了3.7萬億韓元(約合人民幣218.1億元)，這遠遠高于比去年同期的7260億韓元。 　　此外，SK海力士公布今年7-9月營收為8.1萬億韓元，較去年同期成長91%;營業(yè)利潤達3.73萬億韓元。 　　SK海力士表示，當季DRAM出貨成長17%，平均售價較前季成長6%，主要受惠于移動設(shè)備，以及
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海力士董事會批準參與投資東芝芯片業(yè)務(wù)

  • 　　海力士半導體(SKHynixInc.,000660.SE)的董事會已批準這家韓國芯片生產(chǎn)商加入貝恩資本(BainCapital)牽頭的財團，該財團計劃以2萬億日圓(合178.2億美元)收購東芝公司(ToshibaCo.,6502.TO,TOSYY)的存儲芯片子公司。 　　持股該東芝子公司將使海力士半導體在NAND芯片市場擁有更大影響力，目前海力士半導體在這個市場落后于競爭對手。東芝是全球僅次于三星電子(SamsungElectronicsCo.,005930.SE)的第二大NAND芯片生產(chǎn)商。不過，
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DRAM市場：海力士率先擴產(chǎn)，其他企業(yè)能否緊隨其后

  • 　　DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動性強的又一例證， 自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時間，DRAM價格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%，為史上最高。 　　僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過剩狀況來向DRAM制造商壓價，根本不管DRAM制造商在這樣低價合同上會賠多少錢?，F(xiàn)在，DRAM制造商正在“復仇”，不斷漲
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國際大廠半導體技術(shù)滴水不漏，大陸只能拉攏二線廠

  • 　　相較于一線廠都是獨資，二線廠則采合資形態(tài)，原因很簡單，因為各地政府基金都要求，二線廠可少出一點錢，取得一定比率的技術(shù)股，但必須帶技術(shù)去。 　　在大陸半導體產(chǎn)業(yè)中比較被看好的城市，例如光纖技術(shù)重鎮(zhèn)的武漢、具國防電子基礎(chǔ)的西安，以及擁有家電、筆電及面板等產(chǎn)業(yè)的合肥，這些地方不僅具備產(chǎn)業(yè)聚落，電子相關(guān)科技的學研單位眾多，人才不虞匱乏，產(chǎn)業(yè)前景較被看好。 　　不過，即使擁有其他產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，但半導體技術(shù)終究不同，大陸想全面投入，仍得引進國際大廠技術(shù)。 只是，包括英特爾投資遼寧大連、三星投資西安、 SK 海力士
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臺媒:國際大廠半導體技術(shù)滴水不漏,大陸只能拉攏二線廠

  • 　　相較于一線廠都是獨資，二線廠則采合資形態(tài)，原因很簡單，因為各地政府基金都要求，二線廠可少出一點錢，取得一定比率的技術(shù)股，但必須帶技術(shù)去。 　　在大陸半導體產(chǎn)業(yè)中比較被看好的城市，例如光纖技術(shù)重鎮(zhèn)的武漢、具國防電子基礎(chǔ)的西安，以及擁有家電、筆電及面板等產(chǎn)業(yè)的合肥，這些地方不僅具備產(chǎn)業(yè)聚落，電子相關(guān)科技的學研單位眾多，人才不虞匱乏，產(chǎn)業(yè)前景較被看好。 　　不過，即使擁有其他產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，但半導體技術(shù)終究不同，大陸想全面投入，仍得引進國際大廠技術(shù)。 只是，包括英特爾投資遼寧大連、三星投資西安、 SK 海力士
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海力士死要股權(quán)，東芝半導體出售案僵局持續(xù)

  • 　　南韓內(nèi)存廠SK海力士仍然不放棄爭取東芝半導體股權(quán)，使得「美日韓聯(lián)盟」與東芝談判陷入膠著。 　　美日韓聯(lián)盟雖然擁有優(yōu)先議約權(quán)，但海力士不甘于單純以借貸形式提供資金，希望透過可轉(zhuǎn)換公司債方式，最終取得東芝半導體股權(quán)，使得談判受到耽擱。 　　據(jù)Monotonecritic.com報導，海力士執(zhí)行長樸星昱(Park Sung-wook)截至目前為止，仍不愿放棄可轉(zhuǎn)換公司債的構(gòu)想，但由于談判沒有進展，讓鴻海與Western Digital等競爭者敗部復活的機會增加。 　　美日韓聯(lián)盟成員還有日本半官方單位產(chǎn)
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華爾街日報:海力士可能獲得東芝芯片股權(quán) 與東芝說法相左

  • 　　知情人士透露，東芝公司(Toshiba Co., 6502.TO, TOSYY)出售旗下半導體業(yè)務(wù)的方案包括一個選擇權(quán)，使得韓國芯片生產(chǎn)商海力士半導體(SK Hynix Inc.)最終可獲得這部分業(yè)務(wù)的少數(shù)股權(quán)，而這與東芝的公開聲明有出入。 　　海力士半導體獲得這部分業(yè)務(wù)部分股權(quán)的可能性有可能會令西部數(shù)據(jù)(Western Digital Corp., WDC)更加反對上述出售交易。目前西部數(shù)據(jù)持有東芝半導體業(yè)務(wù)部分股份，并且與海力士半導體是競爭對手。西部數(shù)據(jù)已經(jīng)提起訴訟，試圖阻止該交易。 　　這一
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傳海力士分拆晶圓代工最晚本周內(nèi)定案

  • 　　繼三星分拆晶圓代工業(yè)務(wù)后，南韓另一大半導體廠SK海力士也在考慮是否跟進，讓旗下晶圓代工自立門戶，以有更多發(fā)揮空間爭搶訂單。 　　韓媒BusinessKorea周三引述知情人士消息報導指出，SK海力士最快可能在5月24日或最晚本周末，就會決定是否分拆晶圓代工。晶圓代工目前被海力士歸類為非核心事業(yè)，專家認為與其如此，獨立專業(yè)經(jīng)營還比較有戰(zhàn)力。 　　SK海力士計劃將晶圓代工分拆成百分百持股且獨立運作的子公司，主要經(jīng)營CMOS影像傳感器、電源管理IC(PMIC)，以及顯示驅(qū)動IC等，將委由南韓境內(nèi)8吋(2
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聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和大數(shù)據(jù)普及令芯片產(chǎn)業(yè)大幅受益

  • 半導體給無人駕駛汽車帶來大腦，幫助服務(wù)器處理數(shù)據(jù)，還決定智能手機處理文本信息和流媒體播放的速度，這讓以往默默無聞的芯片行業(yè)處在當前硅谷最熱門的前線。
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搶標東芝半導體，海力士攜手貝恩資本組國際聯(lián)盟

  • 　　東芝半導體事業(yè)出售案，各陣營搶翻天，比口袋深度，也比經(jīng)營團隊招牌。最新消息指出，SK海力士為求順利出線，已與美國私募基金貝恩資本(Bain Capital)結(jié)盟，將合伙出資競標。 　　海力士合伙貝恩資本，若能成功吃下東芝半導體，將一躍成為全球第二大NAND快閃存儲器供應商。對于上述消息，海力士拒絕對上述消息發(fā)表評論。 　　觀察家指出，海力士其實把貝恩資本當招牌，目的是想吸引具競爭實力的日本投資人入伙，借以打造國際級經(jīng)營團隊來吸引東芝芳心。 　　據(jù)日前媒體報導，鴻海準備3兆韓圜搶標東芝半導體，而海
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手機實現(xiàn)512GB容量不是夢：72層3D NAND閃存問世

  • 　　隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?　　    　　日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。　　  
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海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片 適合未來iPhone

斥資174億美元 富士康或聯(lián)手海力士競購東芝閃存業(yè)務(wù)

  • 　　日本東芝正準備對外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。據(jù)外媒最新消息，東芝已經(jīng)啟動了正式的收購招標程序，可能對外轉(zhuǎn)讓全部資產(chǎn)，另外富士康集團有可能和韓國海力士聯(lián)手展開收購。 　　據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報道，東芝已經(jīng)對外啟動了競購招標程序，各家收購方可以提出報價。據(jù)稱，如果報價滿意，東芝有可能對外轉(zhuǎn)讓百分之百的資產(chǎn)，即不再保留任何股權(quán)。 　　六月敲定買家 　　東芝已經(jīng)將閃存業(yè)務(wù)剝離為獨立公司，定名為“東芝存儲公司”。按照最初計劃，東芝只準備引入外部股東，讓其獲得兩成股權(quán)。但是隨著東芝對核電資產(chǎn)
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海力士謀劃72層堆疊閃存：單顆輕松1TB

  • 　　如今各種設(shè)備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續(xù)改進技術(shù)，尤其是強化3D堆疊設(shè)計。SK海力士就計劃在今年量產(chǎn)72層堆疊閃存。 　　2015年，SK海力士量產(chǎn)了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。 　　2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。 　　2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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廠商爭相投資 3D NAND Flash前景不妙？

  • 　　廠商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙?據(jù)傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時3D NAND可能會從供不應求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。 　　BusinessKorea 6日報道，NAND需求爆發(fā)，據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城(Hwaseong)廠，屆時三星3D NAND產(chǎn)能將從
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海力士介紹

海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價格操控與處份 200 [ 查看詳細 ]

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