柵極驅(qū)動 文章 進(jìn)入柵極驅(qū)動技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體車規(guī)八通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，降低電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)的物料成本
- 意法半導(dǎo)體 L99MH98 8通道柵極驅(qū)動引入專利技術(shù)，可構(gòu)建沒有電流檢測電阻的直流電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)，從而降低耗散功率和物料成本。L99MH98 能夠獨(dú)立控制四路全橋預(yù)驅(qū)或八路半橋預(yù)驅(qū)或八路高邊/低邊預(yù)驅(qū)，適用于驅(qū)動電動座椅、天窗、側(cè)滑門和電動尾門等直流電機(jī)應(yīng)用。L99MH98內(nèi)置電荷泵，可用于驅(qū)動反接保護(hù) MOSFET。L99MH98最大柵極驅(qū)動電流可達(dá)120mA, 柵極驅(qū)動能力可配置，滿足驅(qū)動多個外部 MOSFET需求。三段式柵極控制分三步施加?xùn)艠O電流，最大程度降低電磁輻射。L99MH98內(nèi)置模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動器如何選型，一文告訴您
- 電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費(fèi)產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估 ，并介紹其典型的應(yīng)用市場與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。隔離能力隔離能力由系統(tǒng)的工作電壓決定，而系統(tǒng)工作電壓與隔離能力成正比。隔離柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)之一是其隔離電壓額定值。正確的隔離額定值對于保護(hù)
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項(xiàng)
- IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個方向上硬驅(qū)動?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動為高電平時，會存在一個從雙
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如何通過實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率
- 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動
- 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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具有集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動光耦合器
- 通過集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設(shè)計(jì)的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設(shè)計(jì)中的這些元素，設(shè)計(jì)人員可以實(shí)現(xiàn)顯著的成本節(jié)約。新型 ACPL-302J 是一款智能柵極驅(qū)動光電耦合器，可改進(jìn)隔離電源并簡化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)。ACPL-302J 具有用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的集成反激式控制器和全套故障安全 IGBT 診斷、保護(hù)和故障，提供完整的經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動解決方案（圖 1）。該器件具有
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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計(jì)指南（三）：設(shè)計(jì)要點(diǎn)和PCB布局指南
- 本設(shè)計(jì)指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。上兩期分別講解了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計(jì)與死區(qū)時間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)碓O(shè)計(jì)中的要點(diǎn)和PCB布局指南。設(shè)計(jì)驅(qū)動器VCC時，關(guān)于上電延遲有哪些注意事項(xiàng)？對于所使用的驅(qū)動器，要設(shè)計(jì)一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅(qū)動器使能到首次柵極輸出的時間。
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高壓柵極驅(qū)動IC自舉電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
- 本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)功耗主要取決于開關(guān)速度。因此，對于絕大部分本文闡述的大功率開關(guān)應(yīng)用，開關(guān)特性是非常重要的。自舉式電源是一種使用最為廣泛的，給高壓柵極驅(qū)動集成電路(IC)的高端柵極驅(qū)動電路供電的方法。這種自舉式電源技術(shù)具有簡單，且低成本的優(yōu)點(diǎn)。但是，它也有缺點(diǎn)，一是占空比受到自舉電容刷新電荷所需時間的限制，二是當(dāng)開關(guān)器件的源極接負(fù)電
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TI功能安全柵極驅(qū)動診斷保護(hù)特性概述
- TI推出的功能安全柵極驅(qū)動UCC5870-Q1，旨在幫助客戶實(shí)現(xiàn)電驅(qū)系統(tǒng)功能安全ASIL-D等級。其內(nèi)部集成了豐富的保護(hù)以及診斷機(jī)制，對柵極驅(qū)動器本身以及開關(guān)管進(jìn)行保護(hù)，可優(yōu)化設(shè)計(jì)成本，簡化設(shè)計(jì)復(fù)雜度。本文將對UCC5870-Q1內(nèi)置的這部分診斷保護(hù)機(jī)制進(jìn)行概述。柵極驅(qū)動器保護(hù) 對UCC5870-Q1本身進(jìn)行監(jiān)控保護(hù)的機(jī)制主要是過溫警示（TWN），熱關(guān)斷（TSD）以及豐富的內(nèi)部自檢（BIST）。過熱保護(hù)（TWN和TSD）是在IC上電后運(yùn)行過程中持續(xù)監(jiān)控的。分成原邊和副邊的TWN和TSD。其中，T
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東芝推出智能柵極驅(qū)動光耦，有助于簡化功率器件的外圍電路設(shè)計(jì)
- 中國上海，2022年8月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。 TLP5222持續(xù)監(jiān)測其驅(qū)動的功率器件的漏極-源極電壓（VDS）[1]或集電極-發(fā)射極電壓（VCE）[2]。內(nèi)置的過流檢測與保護(hù)功能可檢測出功率器件中因過流導(dǎo)致的任何VDS或VCE上升，并執(zhí)行
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簡單的速率控制技術(shù)可降低開通能耗
- Wolfgang?Frank?（英飛凌） 摘?要：電力電子系統(tǒng)（如馬達(dá)）中的開關(guān)損耗降低受到電磁干擾（EMI）或開關(guān)電壓斜率等參數(shù)的限制。通常是通過選擇有效的功率晶體管柵極電阻來解決這一問題。但這在運(yùn)行中是無法自主進(jìn)行調(diào)整的。 本文將介紹一種通過并聯(lián)常規(guī)柵極驅(qū)動芯片來攻克這一難題的簡單方法。文中還介紹了與開通能耗改進(jìn)有關(guān)的表征數(shù)據(jù)的評估?！ ￡P(guān)鍵詞：馬達(dá)；開關(guān)損耗；EMI；開關(guān)電壓斜率；柵極驅(qū)動 0 引言 連接MOS柵極功率晶體管的柵極電阻選型，一般有2個優(yōu)化目標(biāo)。首先，應(yīng)通過選擇電阻值較小的
- 關(guān)鍵字： 202006 馬達(dá) 開關(guān)損耗 EMI 開關(guān)電壓斜率 柵極驅(qū)動
柵極驅(qū)動介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對柵極驅(qū)動的理解，并與今后在此搜索柵極驅(qū)動的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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