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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

臺(tái)積電 文章 最新資訊

新思設(shè)計(jì)平臺(tái)獲臺(tái)積電創(chuàng)新SoIC芯片堆棧技術(shù)認(rèn)證

  • 新思科技宣布新思科技設(shè)計(jì)平臺(tái)(Synopsys Design Platform)已通過臺(tái)積電最新系統(tǒng)整合芯片3D芯片堆棧(chip stacking)技術(shù)的認(rèn)證，其全平臺(tái)的實(shí)現(xiàn)能力，輔以具備高彈性的參考流程，能協(xié)助客戶進(jìn)行行動(dòng)運(yùn)算、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)性和汽車電子應(yīng)用，對(duì)于高效能、高連結(jié)和多芯片技術(shù)等設(shè)計(jì)解決方案的部署。
  • 關(guān)鍵字： 新思科技  3D芯片堆棧  臺(tái)積電  封裝  

半導(dǎo)體戰(zhàn)爭！三星，怒砸7730億！臺(tái)積電，買走大半光刻機(jī)！

  • 近日，三星電子放了狠話，將在未來10年內(nèi)（至2030年）投資133兆韓元（約合1150億美元，7730億人民幣），以在邏輯芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮主導(dǎo)作用。
  • 關(guān)鍵字： 三星  臺(tái)積電  

韓國擴(kuò)大半導(dǎo)體戰(zhàn)力　三星超臺(tái)積電難度高

  • 全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電過去10多年來完全阻絕擁有大陸政府奧援的中芯國際挑戰(zhàn)，近日又再遭遇取得韓國政府下戰(zhàn)帖，目標(biāo)力助三星在2030年直取全球晶圓代工王位。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  中芯國際  臺(tái)積電  

臺(tái)積電：絕大多數(shù)7nm客戶都會(huì)轉(zhuǎn)向6nm

  • 不久前，臺(tái)積電官方宣布了6nm(N6)工藝節(jié)點(diǎn)，在已有7nm(N7)工藝的基礎(chǔ)上增強(qiáng)而來，號(hào)稱可提供極具競爭力的高性價(jià)比，而且能加速產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、上市速度。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  7nm  

臺(tái)積電擴(kuò)大開放創(chuàng)新平臺(tái)云端聯(lián)盟，5nm測試芯片 4 小時(shí)完成驗(yàn)證

  • 晶圓代工龍頭臺(tái)積電近日宣布，擴(kuò)大開放創(chuàng)新平臺(tái)（Open Innovation Platform，OIP）云端聯(lián)盟，其中明導(dǎo)國際（Mentor）加入包括創(chuàng)始成員亞馬遜云端服務(wù)（AWS）、益華國際計(jì)算機(jī)科技（Cadence）、微軟 Azure（Microsoft Azure）以及新思科技（Synopsys）等企業(yè)的行列，成為聯(lián)盟生力軍，拓展了臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)的規(guī)模，并可以運(yùn)用嶄新的云端就緒設(shè)計(jì)解決方案來協(xié)助客戶采用臺(tái)積電的制程技術(shù)釋放創(chuàng)新。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  5nm  

臺(tái)積電擬成立質(zhì)檢單位 對(duì)相關(guān)供應(yīng)鏈產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)把關(guān)

  • 日前，臺(tái)積電爆發(fā)光刻膠規(guī)格不符事件導(dǎo)致大量報(bào)廢晶圓，牽動(dòng)公司內(nèi)部兩部門的人事異動(dòng)，包括這次事件爆發(fā)地的 14 廠廠長已換將。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  晶圓  

ANSYS獲臺(tái)積電SoIC先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)認(rèn)證

  • ANSYS針對(duì)臺(tái)積電 （TSMC） 創(chuàng)新系統(tǒng)整合晶片 （TSMC-SoIC） 先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)開發(fā)的解決方案已獲臺(tái)積電認(rèn)證。SoIC是一種運(yùn)用Through Silicon Via （TSV） 和chip-on-wafer接合制程，針對(duì)多晶粒堆疊系統(tǒng)層級(jí)整合的先進(jìn)互連技術(shù)，對(duì)高度復(fù)雜、要求嚴(yán)苛的云端和資料中心應(yīng)用而言，能提供更高的電源效率和效能。
  • 關(guān)鍵字： ANSYS  臺(tái)積電  SoIC  

臺(tái)積電7納米一枝獨(dú)秀　其余產(chǎn)能仍供過于求

  • 臺(tái)積電7納米先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率節(jié)節(jié)攀升，而且2019年下半可能再次吃緊的好消息一出，雖然大振臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)士氣，無奈臺(tái)積電本身也只有7納米產(chǎn)能吃緊。
  • 關(guān)鍵字： 高通  海思  臺(tái)積電  聯(lián)發(fā)科  

不合格光刻膠致大量晶圓報(bào)廢 臺(tái)積電雷霆換將：新設(shè)檢測部門

  • ?臺(tái)積電爆發(fā)光刻膠規(guī)格不符事件導(dǎo)致大量報(bào)廢晶圓，牽動(dòng)公司內(nèi)部兩部門的人事異動(dòng)，包括這次事件爆發(fā)地的 14 廠廠長已換將。
  • 關(guān)鍵字： 光刻膠  臺(tái)積電  

臺(tái)積電完成首顆3D封裝，繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界

臺(tái)積電3D芯片2021年量產(chǎn)：面向5nm工藝 蘋果或首發(fā)

  • 上周臺(tái)積電發(fā)布了2018年報(bào)，全年?duì)I收342億美元，占到了全球晶圓代工市場份額的56%，可謂一家獨(dú)大。在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電去年量產(chǎn)7nm工藝，進(jìn)度領(lǐng)先友商一年以上，今年量產(chǎn)7nm EUV工藝，明年還有5nm EUV工藝，3nm工藝工廠也在建設(shè)中了。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  芯片  5nm  

臺(tái)積電表示7nm至少領(lǐng)先對(duì)手1年：增強(qiáng)版正試產(chǎn)

  • 據(jù)中國臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，昨日臺(tái)積電2018年年報(bào)出爐，臺(tái)積電董事長劉德音和總裁魏哲家首度聯(lián)名，在致股東報(bào)告書中表示，臺(tái)積電先進(jìn)制程7納米領(lǐng)先對(duì)手至少一年，并強(qiáng)調(diào)5G和人工智能（AI）將驅(qū)動(dòng)報(bào)道體產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  7nm  

臺(tái)積電6nm工藝將推出：與5nm組成蘋果A14雙保險(xiǎn)

  • 臺(tái)積電近日宣布，新的6nm工藝將對(duì)現(xiàn)有的7nm技術(shù)進(jìn)行重大改進(jìn)，同樣擁有極紫外光刻（EUV）工藝，可以快速過渡并快速投產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  6nm  5nm  蘋果A14  

高通、蘋果復(fù)合 5G芯片大單臺(tái)積電廝殺三星

  • 蘋果(Apple)與高通(Qualcomm)歷經(jīng)2年訴訟風(fēng)波，在面臨將掀起新一波產(chǎn)業(yè)革命的5G時(shí)代即將來臨，終愿意各退一步，暫時(shí)手牽手先合作一同抵抗外敵。隨著蘋果、高通復(fù)合，雙方銷售動(dòng)能可望大增，2大廠可觀大單已成為三星、臺(tái)積電廝殺主戰(zhàn)場。
  • 關(guān)鍵字： 蘋果  高通  三星  臺(tái)積電  

臺(tái)積電官宣6nm工藝！7nm加強(qiáng)版也有極紫外光刻

  • 這幾年，曾經(jīng)執(zhí)行業(yè)牛耳的Intel在新工藝方面進(jìn)展遲緩，10nm工藝遲遲無法規(guī)模量產(chǎn)，一個(gè)很關(guān)鍵的原因就是對(duì)技術(shù)指標(biāo)要求高，投產(chǎn)難度大。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  6nm  7nm加強(qiáng)版  
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臺(tái)積電介紹

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor) 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文 　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡介 　　臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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