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雙脈沖測(cè)試
雙脈沖測(cè)試 文章 最新資訊
泰克助力高效功率器件評(píng)估,深度解析功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試
- _____在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。圖1 用于測(cè)量低側(cè)FET開關(guān)損耗的雙脈沖測(cè)試電路雙脈沖測(cè)試的目標(biāo)參數(shù)在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),理想狀態(tài)是功率損耗為零,但現(xiàn)實(shí)中開關(guān)損耗不可避免。傳統(tǒng)的硅基轉(zhuǎn)換器效率約為87%至90%,這意味著10%至13%的輸入功率以廢熱形式耗散,其中大部分損耗
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雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性
- 在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,為確保電源晶體管的性能評(píng)估準(zhǔn)確性,選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下,功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而,在實(shí)際操作中,尤其是針對(duì)表征寬帶gap(WBG)功率晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試,實(shí)現(xiàn)使寄生蟲保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本文聚焦于設(shè)計(jì)一套標(biāo)準(zhǔn)化的雙脈沖測(cè)試(DPT)系統(tǒng),旨在實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試系統(tǒng)間動(dòng)態(tài)特性結(jié)果的可關(guān)聯(lián)性。文中詳細(xì)闡述了在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素,包括如何最小化寄生參數(shù)影響及確保系統(tǒng)間測(cè)試條件的一致性。原則上,DPT設(shè)置很簡(jiǎn)單,如
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使用MSO 5/6內(nèi)置AWG進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試
- _____我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。例如:●? ?100A量級(jí)的電流會(huì)將印刷電路板 (PCB) 導(dǎo)線暴露為寄生電阻元件,從而產(chǎn)生顯著的IR壓降?!? ?1000V量級(jí)的電壓會(huì)使微小的寄生電容儲(chǔ)存大量電荷,從而在開關(guān)操作中導(dǎo)致顯著的功率損耗?!? ?SiC器件的快速開關(guān)能力使所有導(dǎo)
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雙脈沖測(cè)試(DPT)的方法解析
- 雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間,可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。圖1 兩電平典型DPT電路圖2 DPT典型測(cè)試波形雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見測(cè)試方法,其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性,確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。具體而言,雙脈沖測(cè)試的主要目的包括:1. 評(píng)估絕緣性能: 通過雙脈沖測(cè)試可以評(píng)估電力變壓器和互
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一種新的軟件時(shí)序偏差校準(zhǔn)方法加速雙脈沖測(cè)試進(jìn)程
- _____雙脈沖測(cè)試中一個(gè)重要目標(biāo)是,準(zhǔn)確測(cè)量能量損耗。在示波器中進(jìn)行準(zhǔn)確的功率、能量測(cè)試,關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進(jìn)行校準(zhǔn),消除時(shí)序偏差。雙脈沖測(cè)試軟件(WBG-DPT)在4系、5系和6系示波器上均可使用,該軟件包括一種新的專為雙脈沖測(cè)試設(shè)計(jì)的消除時(shí)序偏差(deskew)的校準(zhǔn)技術(shù)。這種新的方法與傳統(tǒng)方法大有不同,測(cè)試速度顯著加快,縮短了測(cè)試時(shí)間。該技術(shù)適用于使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管或 IGBT 的功率轉(zhuǎn)換器。在本篇文章中,我們將使用 FET 術(shù)語(yǔ),來(lái)使得描述簡(jiǎn)單明了。為什么要消除時(shí)序偏差(desk
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自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資,特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車展望報(bào)告,到 2050 年,幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化,預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的,包括比硅器件更快
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案, 加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

- 中國(guó)北京,2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行,并能夠無(wú)縫集成到示波器測(cè)量系統(tǒng)
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

- _____雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí),這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié),測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全,可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。隨著先進(jìn)功率器件的問世以及功率變換器設(shè)計(jì)愈發(fā)精細(xì),器件研發(fā)工程師和電源工程師都越來(lái)越關(guān)注雙脈沖測(cè)試。工欲善其事,必先利其器,擁有一套雙脈沖測(cè)試平臺(tái)是獲得正確評(píng)估結(jié)果的第一步。本文將破解雙脈
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青銅劍技術(shù)推出多功能高精度脈沖信號(hào)發(fā)生器

- 近日,中國(guó)IGBT驅(qū)動(dòng)領(lǐng)軍企業(yè)青銅劍技術(shù)推出多功能高精度脈沖信號(hào)發(fā)生器(PSG-06_V2.0)。PSG-06設(shè)備主要用于IGBT、MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器測(cè)試系統(tǒng),是IGBT研究、IGBT驅(qū)動(dòng)及其他電源類產(chǎn)品開發(fā)做前期設(shè)計(jì)驗(yàn)證的理想工具,同時(shí)也可用于IGBT功率模組的測(cè)試系統(tǒng),服務(wù)于產(chǎn)線。PSG-06_V2.0可以工作在單、雙、多脈沖模式、連續(xù)周期脈沖模式和SPWM模式,精準(zhǔn)模擬控制器下發(fā)到IGBT驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)信號(hào)。在各類功率變換器產(chǎn)品的開發(fā)階段,因?yàn)槊}沖信號(hào)發(fā)生器的存在,可以將開發(fā)任務(wù)中的功率部分與控制
- 關(guān)鍵字: 脈沖信號(hào)發(fā)生器 PSG-06_V2.0 IGBT功率模組測(cè)試 雙脈沖測(cè)試
泰克為AFG31000推出全新雙脈沖測(cè)試軟件,簡(jiǎn)化功效測(cè)試

- 中國(guó)北京2019年10月15日 – 泰克科技公司日前宣布,為任意函數(shù)/波形發(fā)生器AFG31000推出一種全新的軟件插件,可以在一分鐘內(nèi)執(zhí)行關(guān)鍵雙脈沖測(cè)試,與其他方法相比,明顯節(jié)省了大量的時(shí)間。借助全新雙脈沖測(cè)試軟件,工程師可以在AFG31000大型觸摸屏顯示器上的單個(gè)窗口快速定義脈沖參數(shù),生成執(zhí)行測(cè)試所需的脈沖,所需時(shí)間還不到一分鐘。該軟件可以調(diào)節(jié)脈寬的阻抗及每個(gè)脈沖之間的時(shí)隙,支持最多30個(gè)脈沖,脈寬范圍在20 ns ~ 150 μs之間?!叭码p脈沖測(cè)試插件再次證明,我們的全新AFG31000可以簡(jiǎn)便
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雙脈沖測(cè)試介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)雙脈沖測(cè)試的理解,并與今后在此搜索雙脈沖測(cè)試的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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