半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

瞄準(zhǔn) 3D 結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體制造封裝需求，尼康力圖實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)出貨量倍增

集微網(wǎng)消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，尼康公司日前提出半導(dǎo)體光刻設(shè)備新的業(yè)務(wù)發(fā)展目標(biāo)，即到 2026 年 3 月為止的財(cái)年，將光刻機(jī)年出貨量較目前的三年平均水平提高一倍以上。報(bào)道稱，尼康將積極開拓除英特爾以外的其他客戶，特別是日本本土和中國地區(qū)客戶，計(jì)劃將英特爾在光刻機(jī)設(shè)備營收中所占比重從 80% 降低到 50%。尼康還將推出適應(yīng) 3D 堆疊結(jié)構(gòu)器件如存儲(chǔ)半導(dǎo)體、圖像傳感器制造需求的光刻機(jī)新產(chǎn)品，已提高其在成熟制程設(shè)備市場的競爭力，目前，該公司平均每年售出 16 臺(tái) ArF 光刻機(jī)（含二手翻新）。
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電子產(chǎn)業(yè)未來的材料——氧化鎵（Ga2O3）

可以說，人類在20世界下半葉開始，絕大部分的科技成果都建立在電子計(jì)算機(jī)之上，而半導(dǎo)體材料，就是各類現(xiàn)代信息技術(shù)的基石。自上世紀(jì)50年代，以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料為人類信息技術(shù)的高速發(fā)展走出了第一步；時(shí)間來到20世紀(jì)90年代，第二代半導(dǎo)體橫空出世，以砷化鎵、磷化銦為代表的材料為人類在無線電通訊、微波雷達(dá)及紅光 LED方面起到了舉足輕重的作用；而近十年來，也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料的氮化鎵和碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體，直接推動(dòng)了功率器件、短波長光電器件、光顯示、光存儲(chǔ)、光探測、透明導(dǎo)電等領(lǐng)域的高速發(fā)
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俄公民被禁止考托福？美宣布新一輪對(duì)俄制裁，針對(duì)俄羅斯“硅谷”和半導(dǎo)體行業(yè)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（8月2日），美國宣布了新一輪對(duì)俄羅斯的制裁，主要針對(duì)俄羅斯的金融和技術(shù)領(lǐng)域，尤其是俄羅斯的高科技和半導(dǎo)體行業(yè)。據(jù)悉，此次被制裁的對(duì)象包括被稱作“俄羅斯硅谷”的斯科爾科沃科技園（Skolkovo）、莫斯科物理技術(shù)學(xué)院（MIPT）、世界最大鋼鐵生產(chǎn)商之一馬格尼托哥爾斯克鋼鐵集團(tuán)公司（MMK）及其董事會(huì)主席等。此外，俄知名化工企業(yè)佛薩卡集團(tuán)的創(chuàng)始人安德烈·古里耶夫（Andrey Guryev）也在制裁名單內(nèi)。不過報(bào)道指出，該集團(tuán)本身暫未在制裁名單上。根據(jù)美國國務(wù)院發(fā)布的官方文件，被制裁的對(duì)象在美國
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東芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，將在 8 月下旬量產(chǎn)

據(jù)東芝近日官網(wǎng)宣布，他們的第三代 SiC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)管）計(jì)劃在今年 8 月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結(jié)構(gòu)，具有低導(dǎo)通電阻，且開關(guān)損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約 20%。2020 年 8 月，東芝利用這項(xiàng)新技術(shù)量產(chǎn)了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 的結(jié)構(gòu)，將其與 PN 二極管并聯(lián)放置，能將可靠性提升 10 倍。雖然上述器件結(jié)構(gòu)可以顯著提升可靠性，可它卻有著無法規(guī)避的缺點(diǎn) —— 特定導(dǎo)通電阻和性能
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美日連手將成立新的聯(lián)合國際半導(dǎo)體研究中心

日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一（Koichi Hagiuda）今天在華盛頓的記者會(huì)指出，美日已決定成立一個(gè)新的聯(lián)合國際半導(dǎo)體研究中心。路透社報(bào)導(dǎo)，美日在經(jīng)濟(jì)會(huì)談中同意，將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體，以建立這種重要組件一個(gè)安全的來源。美國商務(wù)部長雷蒙多（Gina Raimondo）表示，雙方今天深入討論「有關(guān)日本和美國如何進(jìn)行合作，尤其是在先進(jìn)半導(dǎo)體方面」?！溉战?jīng)亞洲」（Nikkei Asia）稍早報(bào)導(dǎo)，日本將于今年底之前與美國合作開設(shè)一個(gè)次世代2奈米芯片研發(fā)中心，這是兩國致力建構(gòu)安全芯片供應(yīng)鏈行動(dòng)的一環(huán)。美日計(jì)劃研
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顯卡、內(nèi)存全在跌 ASML的EUV光刻機(jī)賣不動(dòng)：一下少了15臺(tái)

全球半導(dǎo)體市場從產(chǎn)能緊張已經(jīng)轉(zhuǎn)向過剩，部分領(lǐng)域跌價(jià)跌得厲害，比如顯卡、內(nèi)存及SSD等，這一波芯片價(jià)格下滑也會(huì)影響廠商的生產(chǎn)計(jì)劃，結(jié)果就是ASML一度供不應(yīng)求的EUV光刻機(jī)賣不動(dòng)了，今年出貨量減少15臺(tái)。ASML昨天發(fā)布了2022年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場預(yù)期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。雖然業(yè)績大漲，但是ASML對(duì)全年的預(yù)期更加悲觀，從之前預(yù)期增長20%下調(diào)到了增長10%，其
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三星計(jì)劃于美國德州投資2000億美元建立11座芯片工廠

中關(guān)村在線消息：據(jù)媒體報(bào)道，三星電子近日提出了將于美國得克薩斯州大規(guī)模建立半導(dǎo)體制造工廠的規(guī)劃，將在未來的20年內(nèi)陸續(xù)投入近2000億美元建設(shè)11座工廠。不過，三星目前還處于“規(guī)劃”階段，第一座建成工廠最早也要到2034年才會(huì)開始運(yùn)營。對(duì)此，得州州長格雷格·阿博特(Greg Abbott)在一份聲明中表示:“這些新設(shè)施鞏固了得州這個(gè)孤星之州在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位，我感謝三星增加了他們對(duì)得州中部辛勤工作的人們的投資?！睋?jù)悉，美國目前正在推進(jìn)一項(xiàng)520億美元的聯(lián)邦計(jì)劃，用以激勵(lì)本土半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，以減輕產(chǎn)能不
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DRAM能否成為半導(dǎo)體市場預(yù)測晴雨表？

　　在今年Gartner的半導(dǎo)體市場分析報(bào)告中指出，從歷史角度來看，存儲(chǔ)市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場存在一個(gè)供不應(yīng)求的情況，使得價(jià)格上漲，但在2022年下半年會(huì)恢復(fù)并且進(jìn)入供過于求的周期，這個(gè)周期會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)市場價(jià)格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導(dǎo)致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問題導(dǎo)致消費(fèi)市場向下修正　　俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面，導(dǎo)致能源價(jià)格大幅提升，整體社會(huì)的消費(fèi)水平降低，企業(yè)和消費(fèi)者會(huì)減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國一季度G
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猴痘宛逗引領(lǐng)黑天鵝經(jīng)濟(jì)衰退大潮半導(dǎo)體很難獨(dú)善其身

2021年半導(dǎo)體市場錄得了超過26%的超高增長率，分析其中的原因，除了歷史級(jí)的全行業(yè)缺貨導(dǎo)致芯片價(jià)格上漲之外，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格也攀上了一個(gè)高點(diǎn)，幾家存儲(chǔ)巨頭的營收也接近了歷史最高點(diǎn)的2018。另外，因2020年疫情影響而延緩的各類消費(fèi)支出也在疫情緩解的2021年實(shí)現(xiàn)了報(bào)復(fù)性回歸。加上2021一個(gè)沒有觀眾的奧運(yùn)會(huì)和5G基礎(chǔ)設(shè)施的普及，2021年算是集合了多個(gè)計(jì)劃內(nèi)和計(jì)劃外的增長推動(dòng)因素。但轉(zhuǎn)眼到了2022年年中，似乎我們看到的市場推動(dòng)因素要小于市場萎縮的預(yù)警，這也讓我們開始對(duì)未來一兩年的半導(dǎo)體市場增長產(chǎn)生不好
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多款芯片遭遇“去庫存”危機(jī) 半導(dǎo)體會(huì)從“芯片荒”轉(zhuǎn)向“泛濫期”嗎？業(yè)內(nèi)：市場降溫在所難免

　　日前，有消息稱，意法半導(dǎo)體(stm，股價(jià)28.86美元，市值260.6億美元)、英飛凌、德州儀器(txn，股價(jià)144.89美元，市值1335億美元)等MCU廠商的報(bào)價(jià)出現(xiàn)嚴(yán)重下滑。如意法半導(dǎo)體通用型MCU單價(jià)，從3月的70元人民幣/個(gè)下調(diào)到目前的32元/個(gè)?！　∵M(jìn)入2022年第二季度以來，全球新冠疫情反復(fù)、俄烏沖突局勢仍舊緊張，導(dǎo)致全球芯片消費(fèi)需求疲軟、通脹高企。曾經(jīng)最為緊缺的MCU（微控制單元）、PMIC（電源管理芯片）、CIS（接觸式圖像傳感器）和驅(qū)動(dòng)IC等芯片，開始遭遇去庫存危機(jī)。　　另據(jù)電子元
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(2022.7.4)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞 2022.6.27- 2022.7.11. 魏少軍教授：中國集成電路產(chǎn)業(yè)的再破局魏教授表示，美國現(xiàn)在包括中國臺(tái)灣、日本和韓國建立“Chip4聯(lián)盟”在內(nèi)的種種動(dòng)作，似乎都是想將中國排除在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈之外。在這種形勢下，我們更需要重新審視中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來。在持之以恒的投入下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)的實(shí)力正在不斷上升，但自給率依然不足。據(jù)魏教授介紹，我國的集成電路自給率只能做到12.5%，“有人說，這是不是意味著我們可以拼命投資集成電路制造呢？也不盡然，因?yàn)槿绻@樣做，我們可能很快就會(huì)
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當(dāng)各種下滑征兆組合到一起，也許這就是半導(dǎo)體的新節(jié)奏

同行最近更是開始預(yù)測2023年可能會(huì)出現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)周期性衰退的情況，筆者仔細(xì)研究了一下最近的一些行業(yè)分析，感覺2023年半導(dǎo)體行業(yè)下滑似乎不是小概率事件。
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萊迪思發(fā)布兩款新品持續(xù)拓展FPGA市場布局

作為低功耗FPGA領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，萊迪思半導(dǎo)體可以說是全球FPGA出貨量最多的廠商之一，為通信、計(jì)算、工業(yè)、汽車和消費(fèi)市場客戶提供著從網(wǎng)絡(luò)邊緣到云端的各類解決方案。40年來，萊迪思的創(chuàng)新之路從未間斷，并于5月31日推出了兩款新品——MachXO5-NX系列產(chǎn)品和Lattice ORAN解決方案集合。其中，MachXO5-NX系列產(chǎn)品通過增加邏輯和存儲(chǔ)器資源、支持穩(wěn)定的3.3 V I/O以及差異化的安全功能集，實(shí)現(xiàn)了新一代的安全控制功能，Lattice ORAN解決方案集合可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的控制數(shù)據(jù)安全、靈活的
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臺(tái)積電營收有望本季度首超英特爾成為全球第二大半導(dǎo)體廠

據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電營收最快將于本季首度追上英特爾，成為僅次于三星的全球第二大半導(dǎo)體廠，并在第三季度傳統(tǒng)旺季進(jìn)一步拉開差距。
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Omdia：半導(dǎo)體市場收入在連續(xù)五季度創(chuàng)紀(jì)錄之后趨穩(wěn)

根據(jù)Omdia對(duì)全球半導(dǎo)體市場的最新競爭性分析，火熱的半導(dǎo)體市場在連續(xù)五季度收入增長創(chuàng)紀(jì)錄之后于2022年第一季度趨穩(wěn)，與上一季度相比僅下降0.03%。半導(dǎo)體總收入百分比變化 - Omdia"自2020年第二季度以來，半導(dǎo)體總收入每個(gè)季度都一直在增長，并且從2020年第四季度開始，總收入每個(gè)季度都創(chuàng)下新紀(jì)錄。但市場在2022年第一季度打破了這兩個(gè)趨勢，迎來了自2020年第一季度起的首次下降。"Omdia《半導(dǎo)體競爭格局（CLT）聚焦服務(wù)》高級(jí)研究分析師和作者Cliff Leimbach
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]