半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

全球半導(dǎo)體IP市場(chǎng)Arm絕對(duì)領(lǐng)先，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體IP如何才能破局？

在芯片研發(fā)開(kāi)銷(xiāo)中IP只占不到5％，但半導(dǎo)體IP因技術(shù)密集度高、知識(shí)產(chǎn)權(quán)集中、商業(yè)價(jià)值昂貴，處于產(chǎn)業(yè)鏈頂端。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IP

解碼新基建「數(shù)據(jù)中心」：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新支點(diǎn)

移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，數(shù)據(jù)流量不斷增加。去年，我國(guó)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)每戶(hù)平均月流量為7.82GB，是2018年的1.69倍，企業(yè)數(shù)據(jù)也呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。不過(guò)，目前只有不到2%的企業(yè)數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)下來(lái)，其中只有10%被用于數(shù)據(jù)分析。這說(shuō)明，我國(guó)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)利用能力存在很大缺口。在這樣的背景下，數(shù)據(jù)中心的重要性日益凸顯。數(shù)據(jù)中心，是指集中存放大量具備計(jì)算、儲(chǔ)存、交互信息能力的設(shè)備，并為之提供穩(wěn)定可靠運(yùn)行環(huán)境的場(chǎng)所。這些看似冷冰的機(jī)房里，有無(wú)數(shù)人的互聯(lián)網(wǎng)生活和記憶，各行業(yè)的海量大數(shù)據(jù)（Big Data）在這里儲(chǔ)存、運(yùn)算、傳輸，實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字：新基建數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體

美議員提議對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供228億援助臺(tái)積電或受益

美國(guó)兩黨議員提出一項(xiàng)法案，為美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)提供超過(guò)228億美元的援助，旨在刺激美國(guó)芯片工廠的建立。這份提案計(jì)劃為半導(dǎo)體器械提供40%的所得稅抵免額，還將提供聯(lián)邦資金中的100億美元將作為修建工廠激勵(lì)資金，120億美元可作為研發(fā)資金。通常來(lái)說(shuō)，修建芯片工廠的成本可能高達(dá)150億美元，其中大部分成本花在購(gòu)買(mǎi)昂貴的器械上。該法案由德克薩斯州共和黨參議員科寧（John Cornyn）和弗吉尼亞州民主黨參議員沃納（Mark Warner）提交至參議院。德克薩斯州共和黨議員麥考爾（Michael McCau
關(guān)鍵字：芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電

聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來(lái)

隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體 SiC GaN

Soitec 任命中國(guó)區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展總監(jiān)，深化在中國(guó)的戰(zhàn)略發(fā)展

作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司正通過(guò)加強(qiáng)在中國(guó)的影響力以支持其業(yè)務(wù)發(fā)展。2020年4月，張萬(wàn)鵬被任命為中國(guó)區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展總監(jiān)。Soitec集團(tuán)與中國(guó)當(dāng)?shù)氐纳鷳B(tài)系統(tǒng)已建立了長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系。早在2007年，Soitec就與中國(guó)代工廠和研發(fā)中心開(kāi)展產(chǎn)業(yè)合作。2014年，Soitec和中國(guó)領(lǐng)先的硅基半導(dǎo)體材料公司——上海新傲科技股份有限公司（Simgui）達(dá)成了有關(guān)射頻和功率半導(dǎo)體市場(chǎng)200mm SOI晶圓的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，并簽署了許可和技術(shù)轉(zhuǎn)移協(xié)議。2019年3月，Soi
關(guān)鍵字：任命半導(dǎo)體

國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠取得重大突破：可用于7nm工藝

作為半導(dǎo)體卡脖子的技術(shù)之一，很多人只知道光刻機(jī)，卻不知道光刻膠的重要性，這個(gè)市場(chǎng)也是被日本及美國(guó)公司壟斷，TOP5廠商占了全球85％的份額。
關(guān)鍵字： ArF光刻膠 7nm 半導(dǎo)體

日本倒逼韓國(guó)半導(dǎo)體在這個(gè)領(lǐng)域正式逆襲？

在東京實(shí)施出口限制之后,韓國(guó)的芯片和顯示器制造商已轉(zhuǎn)向本土化學(xué)制品來(lái)填補(bǔ)真空,從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,這可能對(duì)日本公司造成更大的打擊。在被排除在供應(yīng)鏈中至關(guān)重要的部分之后,韓國(guó)公司不得不尋求其他途徑來(lái)保持生產(chǎn)水平的穩(wěn)定增長(zhǎng)。全球領(lǐng)先的液晶顯示器生產(chǎn)商LG Display于11月開(kāi)始使用韓國(guó)SoulBrain生產(chǎn)的蝕刻氣體制造面板。LG以前曾使用過(guò)從日本Stella Chemifa進(jìn)口的超純蝕刻氣體溶液,并被SoulBrain稀釋了100倍。LG官員說(shuō):“但是,由于我們將其稀釋得如此之多,我們不需要像日本那樣精確地加工
關(guān)鍵字：韓國(guó) 日本半導(dǎo)體

研究機(jī)構(gòu)：華為海思Q1首次躋身全球十大半導(dǎo)體廠商之列

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，近日，國(guó)際市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布了2020年第一季度全球十大半導(dǎo)體制造商銷(xiāo)售排名。其中，華為海思排名第十，成為第一家躋身全球十大半導(dǎo)體供應(yīng)商的中國(guó)大陸企業(yè)。IC Insights的一份報(bào)告顯示，排名前10的半導(dǎo)體制造商分別是英特爾（美國(guó)）、三星（韓國(guó)）、臺(tái)積電（中國(guó)臺(tái)灣）、海力士（韓國(guó)）、美光（美國(guó)）、博通（美國(guó)）、高通（美國(guó)）、德州儀器（美國(guó)）、英偉達(dá)（美國(guó)）、海思（中國(guó)大陸）。在排名前10的半導(dǎo)體制造商中，有6家是美國(guó)公司，2家是韓國(guó)公司，中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸各1家。其中
關(guān)鍵字：華為海思半導(dǎo)體

半導(dǎo)體封裝：5G新基建催生新需求

封裝是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的重要一環(huán)，也是半導(dǎo)體行業(yè)中，中國(guó)與全球差距最小的一環(huán)。然而，新冠肺炎疫情的突襲，讓中國(guó)封裝產(chǎn)業(yè)受到了一些影響。但是，隨著國(guó)內(nèi)數(shù)字化、智能化浪潮的不斷推進(jìn)，中國(guó)的封裝產(chǎn)業(yè)增加了更多沖破疫情陰霾、拓展原有優(yōu)勢(shì)取得進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)會(huì)。
關(guān)鍵字：封裝半導(dǎo)體 5G新基建

安森美半導(dǎo)體任命Bernie Colpitts為首席會(huì)計(jì)官

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，今日宣布任命Bernard (“Bernie”)為安森美半導(dǎo)體公司及其全資子公司Semiconductor Components Industries, LLC (“SCILLC”)的首席會(huì)計(jì)官，以及SCILLC財(cái)務(wù)副總裁。 Colpitts此前是總部位于美國(guó)德克薩斯州的視頻游戲零售商GameStop Corp.的高級(jí)副總裁兼首席會(huì)計(jì)官。執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官Bernard Gutmann說(shuō)：“我很高興歡迎Bernie成為我直接下屬的一
關(guān)鍵字：任命 CFO 半導(dǎo)體

中國(guó)長(zhǎng)城推出我國(guó)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)

長(zhǎng)城科技集團(tuán)股份有限公司旗下鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院和河南通用智能裝備有限公司科研人員奮勇攻關(guān)、共同努力下，我國(guó)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形晶圓切割機(jī)于近日研制成功，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，在關(guān)鍵性能參數(shù)上處于國(guó)際領(lǐng)先水平。
關(guān)鍵字：中國(guó)長(zhǎng)城半導(dǎo)體晶圓切割機(jī)

富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲(chǔ)器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時(shí)具備更低的功耗及更快的讀寫(xiě)速度。ReRAM作為存儲(chǔ)器前沿技術(shù)，未來(lái)預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢(shì)。ReRAM存儲(chǔ)芯片的能耗可達(dá)到閃存的1/20
關(guān)鍵字：合作 ReRAM 半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體發(fā)布2020年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日發(fā)布了2020年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告。第23版報(bào)告包含意法半導(dǎo)體2019年可持續(xù)發(fā)展績(jī)效的詳情和亮點(diǎn)，并提出了與聯(lián)合國(guó)全球契約十項(xiàng)原則和可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)一致的公司2025年可持續(xù)發(fā)展愿景和長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)?！翱沙掷m(xù)發(fā)展是ST價(jià)值主張的三大要素之一，它已經(jīng)深深地植根于我們的公司DNA和46,000名優(yōu)秀員工的日常工作中。在這個(gè)充滿(mǎn)挑戰(zhàn)的時(shí)代，我們的員工再次用行動(dòng)證明了他們適應(yīng)力、創(chuàng)造力和社區(qū)承諾。我們的可持續(xù)發(fā)展理念
關(guān)鍵字： ST 半導(dǎo)體報(bào)告

英特爾完成十年企業(yè)社會(huì)責(zé)任目標(biāo)，力爭(zhēng)在下一個(gè)十年創(chuàng)造更大影響力

面對(duì)新冠疫情，企業(yè)采取聯(lián)合行動(dòng)應(yīng)對(duì)全球最大挑戰(zhàn)的必要性從未如此顯著。科技公司更是如此，因?yàn)閿?shù)據(jù)和信息在幫助追蹤、診斷和治療這一流行病方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，并且將在我們?努力應(yīng)對(duì)未來(lái)全球性挑戰(zhàn)?中繼續(xù)發(fā)揮重要作用。英特爾長(zhǎng)期以來(lái)一直致力于將企業(yè)社會(huì)責(zé)任融入公司的業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)。時(shí)光飛逝，難以置信自制定2020年企業(yè)社會(huì)責(zé)任目標(biāo)以來(lái)，已經(jīng)過(guò)去了近十年。不過(guò)也很高興地告訴大家，我們幾乎實(shí)現(xiàn)了所有目標(biāo)。英特爾最新企業(yè)社會(huì)責(zé)任報(bào)告詳細(xì)介紹了我們所付諸的努力，我想特別分享其中幾項(xiàng)成就：●?
關(guān)鍵字：英特爾半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體發(fā)布新抗輻射加固器件，提高航天應(yīng)用能效

為了進(jìn)一步擴(kuò)大航天級(jí)抗輻射加固功率器件的產(chǎn)品組合，意法半導(dǎo)體近日推出了新的已通過(guò)ESCC（歐洲航天元器件協(xié)調(diào)委員會(huì)）認(rèn)證的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效應(yīng)的肖特基整流管。新推出的?抗輻射加固肖特基二極管?包括SEB耐量高達(dá)61MeV/cm2/mg LET (線性能量傳遞)的45V和150V產(chǎn)品，這兩款產(chǎn)品是業(yè)界首款額定SEB的肖特基二極管產(chǎn)品，適用于多種轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹?50V和45V產(chǎn)品都可以直連100V和28V衛(wèi)星電源總線。在40A/125°C時(shí)，1
關(guān)鍵字： SEB 半導(dǎo)體

共5454條 39/364 |‹ « 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 » ›|

半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]