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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 最新資訊
飛兆半導(dǎo)體舉辦第六屆全球功率技術(shù)研討會(huì)
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 將于9月起舉辦第六屆全球技術(shù)研討會(huì),每個(gè)研討會(huì)均為期一天,內(nèi)容非常豐富,將為功率設(shè)計(jì)工程師提供開發(fā)高能效應(yīng)用的設(shè)計(jì)技術(shù)、產(chǎn)品技術(shù)和行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)信息。 2008 至 2009年度功率技術(shù)研討會(huì)的技術(shù)主題包括: 通過(guò)修正的正弦脈寬調(diào)制 (PWM) 減小 BLDC 紋波扭矩 PQFN封裝的板級(jí)評(píng)測(cè) 不對(duì)稱半橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng). 高能效低待機(jī)功耗的輔助電源設(shè)計(jì) 從電源到變壓器. 在低輸出電壓的直流
- 關(guān)鍵字: 飛兆 半導(dǎo)體 PWM 功率
張忠謀:暫無(wú)意在內(nèi)地設(shè)12英寸晶圓廠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨日表示,全球經(jīng)濟(jì)不景氣,今年發(fā)展情況會(huì)比去年差很多,在大環(huán)境不好下,臺(tái)積電已二度下調(diào)今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率到4%,目前也無(wú)意申請(qǐng)?jiān)趦?nèi)地設(shè)立12英寸晶圓廠。 張忠謀是在出席海基會(huì)董監(jiān)事會(huì)議后,被媒體追問(wèn)對(duì)全球經(jīng)濟(jì)的看法時(shí),做出上述表示的。他指出,受到美國(guó)次貸風(fēng)暴影響,全球經(jīng)濟(jì)、股市去年以來(lái)開始出現(xiàn)疲弱跡象。 早前,臺(tái)積電已將今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)率從5%下調(diào)到4%,這也是臺(tái)積電今年內(nèi)第二次下調(diào)行業(yè)預(yù)測(cè)。 張忠謀說(shuō),目前大環(huán)境不好,在看不見市場(chǎng)需求下
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日本對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體征收反補(bǔ)貼關(guān)稅降為9.1%
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周五,路透社披露消息稱,日本計(jì)劃削減韓國(guó)儲(chǔ)存芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體在日本銷售DRAM芯片征收反補(bǔ)貼關(guān)稅。 媒體援引日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報(bào)道說(shuō),日本收取的進(jìn)口反補(bǔ)貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 數(shù)年來(lái),美國(guó)、歐盟和日本以儲(chǔ)存芯片競(jìng)爭(zhēng)者提出抱怨為理由,對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱韓國(guó)政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體提供了不公平的補(bǔ)貼,制約了市場(chǎng)的公平競(jìng)爭(zhēng)。 今年三月,歐盟委員會(huì)正式采納了一項(xiàng)決定,取消進(jìn)口現(xiàn)代半導(dǎo)體DRAM儲(chǔ)存芯片的反補(bǔ)貼關(guān)
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此消彼長(zhǎng) 全球半導(dǎo)體投資格局風(fēng)移亞洲
- 受半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩的影響,全球半導(dǎo)體投資緊縮。 據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的消息,由于內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累,預(yù)計(jì)2008年半導(dǎo)體銷售增長(zhǎng)放緩,但整體半導(dǎo)體銷售額將在2011年以前保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。 市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報(bào)告,稱由于受到美國(guó)經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場(chǎng)拖累,預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%,達(dá)475億美元。預(yù)計(jì)今年DRAM市場(chǎng)支出將減少47%,而整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)費(fèi)用支出將減少29。Gartner還稱,預(yù)計(jì)今年全球用于芯片設(shè)備制造開支將減
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安森美擴(kuò)充汽車應(yīng)用極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求,擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過(guò)了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證,且工作溫度范圍極寬,并且高度結(jié)合板載功能,典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 ?A。 安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池,提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流,具有板載保護(hù)功能,并具有上電復(fù)位和延遲時(shí)間選擇功
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半導(dǎo)體特征循環(huán)與可重構(gòu)芯片

- 1 引言 1965 年,摩爾用三個(gè)集成電路產(chǎn)品集成度隨時(shí)間的增長(zhǎng)數(shù)據(jù),外加1959 年的晶體管(集成度為1)和1965 年預(yù)計(jì)可推出的實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品(有64 個(gè)元件),用半對(duì)數(shù)坐標(biāo),外插預(yù)測(cè)到十年后集成電路的集成度將達(dá)到65,000 個(gè)元件。1975 年預(yù)測(cè)成真,隨后被稱為“摩爾定律”。近40 年來(lái),“摩爾定律”作為半導(dǎo)體發(fā)展的指南針對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響。由此我們可以體會(huì)到總結(jié)規(guī)律、預(yù)測(cè)發(fā)展的重要意義。半導(dǎo)體產(chǎn)品是半導(dǎo)體技術(shù)的載體,也是半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字: 集成電路 晶體管 半導(dǎo)體 摩爾定律 可重構(gòu)
安森美推出極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求,擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過(guò)了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證,且工作溫度范圍極寬,并且高度結(jié)合板載功能,典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 μA。 安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池,提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流,具有板載保護(hù)功能,并具有上電復(fù)位和延遲時(shí)間選擇功能的器件。汽車系統(tǒng)電源模塊
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HOLTEK推出八位Dual Slope A/D型微控制器
- HT46R72D-1A與HT46R73D-1A是HOLTEK半導(dǎo)體新推出的Dual Slope A/D Type 8-Bit OTP MCU,其符合工業(yè)規(guī)格,同時(shí)具有OTP Partial Lock功能,再配合豐富及多樣化的功能,特別適用于電橋式傳感器的量測(cè)系統(tǒng),可用來(lái)量測(cè)壓力、溫度、濕度變化的產(chǎn)品,如:體重計(jì)、壓力計(jì)、溫度計(jì)、濕度計(jì)、胎壓計(jì)等。 HT46R72D-1A與HT46R73D-1A規(guī)格包含有2K與4K OTP ROM程序內(nèi)存、96 Byte數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 (RAM)、16-bit Tim
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HOLTEK推出HT82A836R USB Audio控制芯片
- HOLTEK半導(dǎo)體新推出USB Audio的高整合型單芯片 - HT82A836R,本產(chǎn)品主要特色除整合USB音效、Audio Codec及高功率放大器外,更結(jié)合嵌入式微控制器,并以單次燒錄 (One Time Programming; OTP) 的只讀存儲(chǔ)器 (Read Only Memory; ROM),做為微控制器的程序內(nèi)存 (Program Memory) 核心,提供非常便利的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)制造平臺(tái),并以保有設(shè)計(jì)的靈活性,使用者可快速因應(yīng)各種應(yīng)用的延伸。 HT82A836R在芯片硬件的配置上
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)大全球分銷代理產(chǎn)品陣容
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前宣布,因收購(gòu)AMI半導(dǎo)體而得到的廣泛專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)系列,如今已透過(guò)全球認(rèn)可分銷代理商網(wǎng)絡(luò)提供給客戶,這些ASSP涵蓋汽車、醫(yī)療和工業(yè)等應(yīng)用,包括收發(fā)器、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)系統(tǒng)、超低功耗(ULP)存儲(chǔ)器、以太網(wǎng)供電(PoE)電源器件、驅(qū)動(dòng)器、時(shí)鐘和圖像傳感器等產(chǎn)品。 安森美半導(dǎo)體全球渠道銷售副總裁Jeff Thomson說(shuō):"我們非常高興納入這些新產(chǎn)品,經(jīng)我們的全球分銷代理商渠道推出。我們的全球代理商網(wǎng)絡(luò)
- 關(guān)鍵字: 安森美 半導(dǎo)體 ASSP DSP
三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國(guó)三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報(bào)告稱,今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元,占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司位列第二,全球市場(chǎng)份額為13%,美國(guó)米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位,市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷,第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元,占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%,
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“會(huì)”聚產(chǎn)業(yè)精英,共舞手機(jī)中國(guó)制造風(fēng)
- 2007年,中國(guó)手機(jī)制造量為5.48億部,占到全球手機(jī)產(chǎn)量的52%!并首次突破50%的份額,2008年第一季度,中國(guó)手機(jī)生產(chǎn)量達(dá)1.4128億部,較去年同期增長(zhǎng)6.7%!目前在中國(guó)已經(jīng)形成了涵蓋手機(jī)芯片開發(fā)、手機(jī)設(shè)計(jì)、手機(jī)制造、手機(jī)銷售等各個(gè)環(huán)節(jié)的完整手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈,中國(guó)制造的手機(jī)正以前所未有的廣度和深度沖擊著全球市場(chǎng)!在中國(guó)手機(jī)弄潮全球的大軍中,高交會(huì)電子展手機(jī)制造等相關(guān)主題活動(dòng)發(fā)揮了獨(dú)特而重要的作用! “會(huì)”聚產(chǎn)業(yè)精英 據(jù)權(quán)威數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì):2006年,深圳手機(jī)年產(chǎn)量、銷
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AMD售德國(guó)8英寸廠設(shè)備:俄羅斯企業(yè)接手
- 力圖擺脫債務(wù)壓力、走出連續(xù)虧損泥淖的AMD,似乎已開始執(zhí)行董事長(zhǎng)魯毅智的“輕資產(chǎn)”戰(zhàn)略。 昨日,外電稱,AMD已將其位于德國(guó)德累斯頓的一座工廠的設(shè)備與技術(shù)出售給俄羅斯半導(dǎo)體企業(yè)Angstrem?!兜谝回?cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》了解到,這座工廠代號(hào)為Fab30,是AMD公司旗下技術(shù)較為陳舊的一家工廠,使用的是90納米工藝生產(chǎn)8英寸半導(dǎo)體。據(jù)悉,Angstrem將利用上述設(shè)備與技術(shù)在莫斯科郊外Zelenograd興建一座新工廠,2009年底正式投產(chǎn)。 AMD發(fā)言人Karin Rath確
- 關(guān)鍵字: AMD 半導(dǎo)體 8英寸 俄羅斯
對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)新政策的期待和建議
- 縱觀中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策,主要可分成4個(gè)階段:一是上世紀(jì)80年代的4項(xiàng)優(yōu)惠政策,二是上世紀(jì)90年代的“908”、“909”重大工程專項(xiàng),三是2000年頒布的國(guó)發(fā)18號(hào)文,四是目前的“十一五”發(fā)展規(guī)劃。應(yīng)該說(shuō),國(guó)發(fā)18號(hào)文和2001年的國(guó)辦51號(hào)函、2002年的財(cái)稅70號(hào)文等確實(shí)推動(dòng)了我國(guó)軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。但對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,這些政策沒(méi)有顧及半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)和集成電路封裝業(yè)、支撐業(yè),使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈前后脫節(jié)。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 集成電路 分立器件 封裝
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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