功率模塊文章進入功率模塊技術(shù)社區(qū)

投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
關(guān)鍵字：車用電能轉(zhuǎn)換車電領(lǐng)域 IGBT SiC 功率模塊

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
關(guān)鍵字：賽米控丹佛斯羅姆 1200V IGBT 功率模塊

10分鐘狂充80%電量！東風(fēng)碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

近日消息，從東風(fēng)汽車官方獲悉，東風(fēng)碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風(fēng)自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
關(guān)鍵字：東風(fēng) 碳化硅功率模塊 IGBT

吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬套

吉利招標(biāo)平臺發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監(jiān)理工程招標(biāo)公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設(shè)年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，杭州錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準(zhǔn)設(shè)立，是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺”之一，是連接杭州城東智
關(guān)鍵字： IGBT 功率模塊吉利

揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀(jì)80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點于一身，而這些技術(shù)特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發(fā)展帶動了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導(dǎo)體技術(shù)，代表著中等功率模塊技術(shù)的先進水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
關(guān)鍵字： IGBT 功率模塊封裝

你的功率模塊能在應(yīng)用中運行多長時間？

功率模塊是大功率電力電子系統(tǒng)的核心部件。因此，它們的壽命對最終產(chǎn)品的可靠性有重要影響。為了了解真實的工況如何影響功率模塊，必須進行復(fù)雜的模擬仿真，由于工況文件冗長且復(fù)雜多變, 往往將仿真工具和方法推到極限。出于這個原因，在仿真方法和半導(dǎo)體特性方面需要高水平的專業(yè)知識。了解功率模塊在實際使用情況下的行為對選擇正確的功率模塊，進而對系統(tǒng)成本、可靠性和優(yōu)化均有積極的影響。功率模塊的壽命就是功率系統(tǒng)的壽命一個大功率系統(tǒng)是由幾個部件組成的，如：電容、電感、傳感器、控制板、驅(qū)動單元，當(dāng)然還有功率模塊。所有這些都有一個
關(guān)鍵字：英飛凌功率模塊

ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動車

SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規(guī)級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進一步合作的目標(biāo)是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應(yīng)用。隨著客運車輛日益電氣化，市場對功率半導(dǎo)體的要求也在不斷提高，需要在越來越高的功率密度下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。高壓功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)與創(chuàng)新型封裝技術(shù)相結(jié)合，可以滿
關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 氮化鎵功率模塊

業(yè)界最強大的1500 VDC組串式逆變器：英飛凌的模塊和芯片技術(shù)驅(qū)動陽光電源的 250 kW光伏發(fā)電解決方案

近日，陽光電源推出支持高達250 kW裝機容量的SG250HX系列組串式光伏逆變器，該產(chǎn)品最先在2019年歐洲國際太陽能技術(shù)博覽會（Intersolar Europe）上亮相。該逆變器搭載了英飛凌科技股份公司采用最新TRENCHSTOP?和CoolSiC?芯片技術(shù)打造的定制化EasyPACK? 3B功率模塊。陽光電源的SG250HX系列組串式逆變器能支持1500 V DC和800 V AC的高電壓，最高效率可達99%。陽光電源歐洲區(qū)技術(shù)總監(jiān)Stefan Froboese表示：“陽光電源致力于不斷進行技術(shù)創(chuàng)
關(guān)鍵字：功率模塊太陽能

CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

中國北京，2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布，公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上，發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文，并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當(dāng)今，碳化硅（SiC）在汽車制造商的大力追捧下方興未艾，碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度；在工業(yè)應(yīng)用方面，越來越多的人則
關(guān)鍵字： CISSOID 碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器

綠色節(jié)能當(dāng)?shù)?智能功率模組發(fā)展前景看俏

從目前世界的能源結(jié)構(gòu)來看，以資源有限、污染嚴(yán)重的石化能源為主的能源結(jié)構(gòu)，將逐步轉(zhuǎn)變?yōu)橐再Y源無限、清潔乾凈的可再生能源為主的能源結(jié)構(gòu)。太陽能、風(fēng)能、水能、海洋能、生物質(zhì)能、地?zé)崮?、燃料電池等可再生能源作為新興的綠色能源，以其永不枯竭、無污染、不受地域資源限制等優(yōu)點，正得到迅速的推廣應(yīng)用。隨著綠色環(huán)保概念在全球市場的確立與推進，電力電子元件的應(yīng)用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C產(chǎn)業(yè)(電腦、通信、消費類電子產(chǎn)品和汽車)，擴展到新能源(風(fēng)電、太陽能)、軌道交通、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域。節(jié)能和可替代能源的探索已成為當(dāng)今行業(yè)
關(guān)鍵字：節(jié)能功率模塊

解開功率模塊降額曲線的奧秘

　　隨著電子設(shè)備的尺寸越來越小，電源設(shè)計人員在設(shè)計電源時必須考慮熱限值的問題。如果一個較小的電源無法在特定的應(yīng)用環(huán)境(包括環(huán)境溫度)下以高負載運行，那么它就等同于沒有用處?！　〗殿~曲線中就有一種常見的熱限值，該熱限值可以在大多數(shù)的功率模塊數(shù)據(jù)表中看到。降額曲線能夠顯示在不同環(huán)境溫度下可拉電流或功率的大小，同時仍然保持功率模塊在其溫度規(guī)格范圍內(nèi)(通常低于125°C)。圖1所示為2A TPS82140功率模塊數(shù)據(jù)表的兩條降額曲線。　　圖 1：2A TPS82140功率模塊的降額曲線　　如圖1所示，降額曲線會隨
關(guān)鍵字：功率模塊 dcdc 降壓模塊

2016年全球功率半導(dǎo)體增長3.5%達到351億美元

　　日前調(diào)研公司 IHS Markit 首席功率半導(dǎo)體分析師Richard Eden就2016~2017年功率半導(dǎo)體市場份額做出了如下分析。　　2016年全球功率半導(dǎo)體(分立器件、模塊和功率集成電路)市場銷售額從2015年的339億美元增長了3.5%達到351億美元。雖然2015年這一數(shù)字下降了2.6%，但2016年的確打了一場漂亮的翻身仗。　　其中，離散功率半導(dǎo)體增長5.9%，功率模塊增長3.5%，功率半導(dǎo)體器件增長2.1%。2016年英飛凌科技成為全球功率半導(dǎo)體的主要供應(yīng)商，主要供應(yīng)離散功率半
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體功率模塊

使機器尺寸減小40%的功率模塊，你值得擁有！

　　全球先進電子元件分銷商世強與國際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，正式全線代理新電元的橋堆、二極管、電源模塊、IGBT及MOS等產(chǎn)品。而新電元工業(yè)株式會社一直以來都將由多個功率半導(dǎo)體器件構(gòu)成的功率模塊產(chǎn)品的開發(fā)作為重點。通過功率電路零部件的集成化，為電子設(shè)備的小型化和制造過程的生產(chǎn)效率改善作出貢獻。　　其中最具代表性的功率模塊為 Shindengen的800V的功率模塊MG020200和MG020201，產(chǎn)品示意圖和內(nèi)部電路圖如圖1、圖2所示，其結(jié)構(gòu)均是由一個三相 Conver
關(guān)鍵字： IGBT 功率模塊

ROHM：率先量產(chǎn)溝槽型SiC-MOSFET，看好太陽能、工業(yè)等領(lǐng)域前景

　　ROHM近日于世界率先開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗?！　×硗?，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京
關(guān)鍵字： ROHM 功率模塊分立封裝 201508

共83條 2/6 « 1 2 3 4 5 6 »

功率模塊介紹

功率模塊是功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊. 　　擴展: 智能功率模塊（Intelligent Power Module，IPM）是以IGBT為內(nèi)核的先進混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路，以及快速保護電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的，而且驅(qū)動電路緊靠IGBT，驅(qū)動延時小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測IGB [ 查看詳細 ]