三星文章最新資訊

三星預(yù)計(jì)Q4起存儲(chǔ)芯片供需關(guān)系或?qū)l(fā)生變化

據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》援引未具名行業(yè)消息來(lái)源報(bào)道稱，三星電子面向主要智能手機(jī)制造商的DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格上調(diào)了10-20％。主要智能手機(jī)制造商包括小米、OPPO和谷歌。三星電子預(yù)計(jì)，從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的需求可能大于供應(yīng)。消息人士指出，這家芯片制造商計(jì)劃以更高的價(jià)格向生產(chǎn)Galaxy系列智能手機(jī)的三星移動(dòng)業(yè)務(wù)部門供應(yīng)存儲(chǔ)芯片，以反映移動(dòng)芯片價(jià)格上漲的趨勢(shì)。此前，為應(yīng)對(duì)需求持續(xù)減弱，三星宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商
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傳三星預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM4

據(jù)韓媒報(bào)道，三星為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng)，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個(gè)，擁有超過(guò)2000個(gè)以上I/O接口的HBM尚未問(wèn)世。以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
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先進(jìn)封裝為何成為半導(dǎo)體大廠的“必爭(zhēng)之地”

芯片升級(jí)的兩個(gè)永恒主題 —— 性能、體積/面積，而先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的進(jìn)步，均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進(jìn)。芯片系統(tǒng)性能的提升可以完全依賴于芯片本身制程提升
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消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國(guó) The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士?jī)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對(duì)高容量存儲(chǔ)器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開(kāi)始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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消息稱三星正與微軟合作開(kāi)發(fā)一款 AI 聊天機(jī)器人，將負(fù)責(zé)文檔摘要等工作

IT之家 9 月 12 日消息，據(jù)韓國(guó)《電子日?qǐng)?bào)》昨日?qǐng)?bào)道，三星電子正在使用微軟的 Azure OpenAI 服務(wù)創(chuàng)建一個(gè) AI 聊天機(jī)器人，用于協(xié)助三星公司內(nèi)部的工作。▲ 圖源韓國(guó)《電子日?qǐng)?bào)》據(jù)悉，三星正在與微軟合作進(jìn)行一項(xiàng)“內(nèi)部生成式 AI 開(kāi)發(fā)”，而這一計(jì)劃中涉及的 AI，能夠處理翻譯以及文檔摘要等任務(wù)，并將使用由 OpenAI 開(kāi)發(fā)的“GPT-4”和“GPT-3.5”LLM 來(lái)完成，目前項(xiàng)目正在概念驗(yàn)證（PoC）階段。IT之家經(jīng)過(guò)查詢得知，早些時(shí)候，微軟與 Open
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半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)始復(fù)蘇了

半導(dǎo)體行業(yè)因「新冠疫情」而陷入前所未有的衰退，但復(fù)蘇的跡象似乎開(kāi)始出現(xiàn)。本文根據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)和主要制造商的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)報(bào)告，探討半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇的時(shí)機(jī)。此外，我們將討論生成式人工智能，它很可能成為行業(yè)的新驅(qū)動(dòng)力。世界半導(dǎo)體市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)（WSTS）數(shù)據(jù)和半導(dǎo)體制造商的業(yè)績(jī)顯示，有跡象表明半導(dǎo)體市場(chǎng)正在從衰退走向復(fù)蘇。然而，半導(dǎo)體市場(chǎng)的全面復(fù)蘇很可能在 2024 年發(fā)生。經(jīng)濟(jì)衰退復(fù)蘇后，推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的將是 ChatGPT 等用于生成式 AI（人工智能）的半導(dǎo)體。因此，我們預(yù)測(cè)領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品將從蘋(píng)果的
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高通和三星實(shí)現(xiàn)全球首個(gè)在FDD頻段運(yùn)行兩路上行載波和四路下行載波并發(fā)的5G載波聚合連接

要點(diǎn)：●? ?驍龍X75利用僅35MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71和n70）實(shí)現(xiàn)200Mbps上行峰值速度?！? ?此外，全球首個(gè)5G Advanced-ready調(diào)制解調(diào)器及射頻系統(tǒng)利用75MHz帶寬的5G頻段（FDD頻段n71、n70和n66），成功實(shí)現(xiàn)1.3Gbps下行峰值速度。高通技術(shù)公司聯(lián)合三星電子宣布，雙方成功實(shí)現(xiàn)全球首個(gè)在FDD頻段運(yùn)行兩路上行載波和四路下行載波并發(fā)的5G載波聚合（CA）連接。這一成果彰顯了雙方合作帶來(lái)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，為未來(lái)提升5G性
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全球首條無(wú)人半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線亮相，三星宣布成功實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化

IT之家 9 月 4 日消息，與晶圓制造不同，半導(dǎo)體封裝過(guò)程中需要大量的人力資源投入。這是因?yàn)榍岸斯に囍恍枰苿?dòng)晶圓，但封裝需要移動(dòng)多個(gè)組件，例如基板和包含產(chǎn)品的托盤。在此之前，封裝加工設(shè)備基本上都需要大量勞動(dòng)力，但三星電子已經(jīng)通過(guò)晶圓傳送設(shè)備（OHT）、上下搬運(yùn)物品的升降機(jī)和傳送帶等設(shè)備實(shí)現(xiàn)了完全自動(dòng)化。三星電子 TSP（測(cè)試與系統(tǒng)封裝）總經(jīng)理金熙烈（Kim Hee-yeol）在“2023 年新一代半導(dǎo)體封裝設(shè)備與材料創(chuàng)新戰(zhàn)略論壇”上宣布，該公司已成功建成了世界上第一座無(wú)人半導(dǎo)體封裝工廠。據(jù)介
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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三星明年將升級(jí)NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。?三星平澤P1工廠未來(lái)大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時(shí)正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時(shí)，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫(kù)存已增至
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新世代顯示技術(shù)MicroLED 誰(shuí)將率先搶灘登陸

預(yù)計(jì)未來(lái)2-3年，MicroLED會(huì)繼續(xù)努力突破技術(shù)瓶頸，逐漸打開(kāi)高端市場(chǎng)之后再進(jìn)一步向下滲透，而第二代顯示技術(shù)LCD還會(huì)依靠其他技術(shù)的修補(bǔ)進(jìn)一步占據(jù)下沉市場(chǎng)，第三代技術(shù)OLED在實(shí)現(xiàn)大尺寸屏幕的降本后將進(jìn)一步普及大眾消費(fèi)市場(chǎng)。
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消息稱三星計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)卷軸屏智能手機(jī)

IT之家 8 月 24 日消息，爆料人士 Reveguns 今日在個(gè)人推特上表示，三星計(jì)劃在 2025 年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)卷軸屏智能手機(jī)，將配備改進(jìn)的 UPC（IT之家注：Under Penel Camera，屏下攝像頭）技術(shù)，以及無(wú)邊框。關(guān)于“卷軸屏手機(jī)”的更多消息，這位爆料人士暫未透露，這里可參考三星過(guò)往展現(xiàn)的相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品。在去年 8 月舉行的 K-Display 2022 上，三星展示了旗下卷軸屏、折疊平板、折疊屏筆記本、“Flex G”、“Flex S”等產(chǎn)品的原型機(jī)。而在今年 5 月份
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三星Galaxy S24系列外觀設(shè)計(jì)將改為直角中框類似iPhone

隨著新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 3芯片即將亮相，大家對(duì)首批搭載該芯片的Galaxy S24系列也給予了不少的期待，并且有多方透露稱，三星自家的Exynos處理器也將在該系列上迎來(lái)回歸，進(jìn)一步讓該機(jī)受到了更多的關(guān)注。而現(xiàn)在有最新消息，近日有爆料達(dá)人帶來(lái)了該機(jī)在外觀設(shè)計(jì)上的爆料細(xì)節(jié)。據(jù)最新爆料信息顯示，與此前曝光的消息基本一致，全新的三星Galaxy S24系列依舊將包含Galaxy S24、Galaxy S24+和Galaxy S24 Ultra三個(gè)版本，除了硬件性能上的升級(jí)外，此次將在外觀設(shè)計(jì)上也有大幅
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全球半導(dǎo)體投資踩剎車，減幅 10 年來(lái)最大

因智能手機(jī)、PC 需求疲弱，存儲(chǔ)器需求預(yù)估將呈現(xiàn)大幅減少、邏輯需求萎縮
關(guān)鍵字：三星 SK海力士

三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過(guò) 300 層。報(bào)道稱，這將使三星的進(jìn)度超過(guò) SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。
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三星介紹

　韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]