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(2023.3.20)半導體周要聞－莫大康

  • 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等，直到現在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步。
  • 關鍵字： 莫大康  半導體  華為  光刻機  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  NAND Flash  

存儲大廠展示300層NAND Flash，預計最快2024年問世

  • 近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
  • 關鍵字： 300層  NAND Flash  SK海力士  

(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

  • 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學發(fā)布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復換板開發(fā)等，直到現在電路板才穩(wěn)定下來，因為有了國產的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步
  • 關鍵字： 半導體  莫大康  華為  NAND  光刻機  

均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

  • TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%，平均銷售單價環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達
  • 關鍵字： 集邦  NAND Flash  

支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
  • 關鍵字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

西部數據宣布進一步削減生產和投資，NAND 晶圓產量將減少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，在內存半導體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數據宣布將進一步縮減設備投資和生產。西部數據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示，2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據IT之家了解，這一數字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
  • 關鍵字： NAND  內存  西部數據  

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消費性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經不佳導致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
  • 關鍵字： NAND Flash  

基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現

  • 在現代電子設備中，越來越多的產品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯。根據NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進行測試驗證。
  • 關鍵字： NAND FLASH  FPGA  壞塊  壞塊檢測  202212  

全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術的客戶端SSD，該產品基于PCIe 4.0架構，采用美光232層NAND技術，加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內容創(chuàng)
  • 關鍵字： 美光  232層  NAND  SSD  

韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價甩賣：SK海力士、三星虧到家

  • 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備，但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現象是，全球智能手機老大已經在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  DRAM  NAND  

三星開始量產第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb

  • 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產品與技術執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  存儲密度  

三星宣布量產第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規(guī)模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  三星  

存儲系統(tǒng)的數字安全技術

  • NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫(yī)療設備和嵌入式物聯網設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統(tǒng)。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統(tǒng)時，必須確保存儲器的安全性滿足應用程序的要求。執(zhí)行現代安全技術需要足夠的處理能力。 作為存儲系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統(tǒng)所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術，有助于告知讀
  • 關鍵字： 存儲系統(tǒng)  數字安全  海派世通  NAND  

SK海力士：未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  
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?nand flash介紹

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