- 三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。
新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。
存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
- 關鍵字：
三星 NAND
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 關鍵字：
摩爾定律 3D NAND
- 據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。
他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。
據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。
整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。
他指出，建構數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
- 關鍵字：
DRAM Flash
- 小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎?
上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎?
其實現(xiàn)實生活也是如此。
前不久,美國
- 關鍵字：
晶圓 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
- 關鍵字：
紫光 NAND
- 國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。
近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
對于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
- 關鍵字：
紫光 NAND
- 市場調查機構DRAMeXchange近日發(fā)布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
- 關鍵字：
NAND SK海力士
- 內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性
根據(jù)研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續(xù)進入小量生產階段。 不過
- 關鍵字：
內存 NAND
- 2017年將是3D NAND Flash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業(yè)者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。
三星在2
- 關鍵字：
三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。
Gart
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法?！ ∫?、 接線 這個開發(fā)板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：
偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復用為輸入
- 關鍵字：
SAM4E NAND
- 隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數(shù)據(jù)并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?
日前，海力士(SK Hynix)推出業(yè)界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB?！ ?nbsp;
- 關鍵字：
海力士 NAND
- 從去年年中開始，以固態(tài)硬盤為代表的，包括固態(tài)硬盤、內存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品，開始緩慢漲價。
- 關鍵字：
內存 NAND
- 東芝已經處于資不抵債的邊緣，被迫出售優(yōu)質大額資產來改善其財務狀況，究竟東芝存儲業(yè)務花落誰家，雖然在近期就可以揭曉。
- 關鍵字：
東芝 NAND
- 北京時間3月24日上午消息，由于供應趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價格上升，美光科技預計當前季度的營收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。
由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網的數(shù)據(jù)存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經歷分析師所謂的“超級周期”。
美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
- 關鍵字：
美光 NAND
?nand flash介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand flash的理解，并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
