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新思科技攜手三星，提升3nm移動、HPC和AI芯片設(shè)計(jì)PPA

  • 加利福尼亞州山景城2022年11月4日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，在雙方的長期合作中，三星晶圓廠（以下簡稱"三星"）已經(jīng)通過新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)工具和流程實(shí)現(xiàn)了多次成功的測試流片，從而更好地推動三星的3納米全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)被采用于對功耗、性能和面積（PPA）要求極高的應(yīng)用中。此外，新思科技還獲得了三星的"最先進(jìn)工藝"認(rèn)證。與三星SF5E工藝相比，采用三星晶圓廠SF3技術(shù)的共同客戶將實(shí)現(xiàn)功
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俄烏沖突尚未結(jié)束，三星SK海力士加大半導(dǎo)體原材料國產(chǎn)化使用

  • 俄羅斯和烏克蘭是氖、氬、氪、氙等半導(dǎo)體原料氣體供應(yīng)大國，其中氖氣由烏克蘭供應(yīng)全球近七成產(chǎn)量，而俄羅斯惰性氣體供應(yīng)量占全球供應(yīng)總量的30%。隨著俄烏沖突爆發(fā)后，全球氖氣、氙氣等產(chǎn)量大減，全球芯片市場的供應(yīng)短缺問題加劇。為降低對進(jìn)口產(chǎn)品的依賴，韓國存儲器大廠三星和SK海力士都表示將大幅增加韓國本土生產(chǎn)的氣體。據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，近日，三星表示，公司將與浦項(xiàng)鋼鐵（POSCO）一起推進(jìn)半導(dǎo)體核心材料氙氣的本土生產(chǎn)，目前該材料全部依賴進(jìn)口。目前，大多數(shù)韓國芯片制造商和微電子設(shè)備制造商依賴進(jìn)口氣體，這些氣體是生產(chǎn)3D
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尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

  • 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國際電子器件會議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開的國際電子器件會議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲器，其寫入能量要求為每比特25pJ
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

  • 臺積電10月27日宣布，成立開放創(chuàng)新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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三星推出面向人工智能的全新存儲器技術(shù)

  • 據(jù)韓媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星于近日宣布，公司已經(jīng)成功運(yùn)行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星稱，與其他沒有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片將AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了約50%。與僅配備HBM的GPU加速器相比，配備HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了約2100GWh。2021年2月，三星推出了其首個(gè)HBM-PIM，這是業(yè)界第一個(gè)高帶寬存儲器（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。HBM
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三星電子將加強(qiáng)汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，分析師預(yù)計(jì)其可能在歐洲建廠

  • 10 月 25 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，為克服存儲芯片市場不景氣對半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的影響，三星電子將目標(biāo)投向了汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域。而韓國媒體在最新的報(bào)道中表示，部分分析師預(yù)計(jì)將目標(biāo)投向了汽車半導(dǎo)體的三星電子，可能在歐洲建設(shè)汽車芯片工廠，歐洲有多家全球性的汽車制造大廠。外媒在報(bào)道中提到，在近期有客戶和合作伙伴參加的技術(shù)論壇上，三星電子已透露他們將加強(qiáng)汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。隨著電動汽車的發(fā)展和汽車智能化程度的提高，對半導(dǎo)體部件的需求也在提升，汽車半導(dǎo)體市場的規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。已有研究機(jī)構(gòu)在報(bào)告中表示，全球汽車半導(dǎo)體市場的
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晶圓代工產(chǎn)能被迫收斂 三星電子仍將大幅提高晶圓代工產(chǎn)能

  • 長達(dá)逾兩年的疫情紅利于2022年初起明顯消退，加上全球通膨壓力加劇導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求大幅衰退，終端庫存急速飆升，電子供應(yīng)鏈陷入砍單、延遲拉貨、殺價(jià)與取消長約混亂局勢，連鎖效應(yīng)于2022年中向上沖破半導(dǎo)體晶圓代工、封測與IC設(shè)計(jì)防線。
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三星公布發(fā)展規(guī)劃；ASML繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機(jī)

  • 三星公布五年發(fā)展規(guī)劃10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點(diǎn)。在上述晶圓代工系列活動上，三星對外介紹了最新技術(shù)成果，以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。按照規(guī)劃，三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進(jìn)制程工藝技術(shù)，到2027年量產(chǎn)1.4nm制程工藝技術(shù)。另一大晶圓代工巨頭臺積電也于近期表示，2nm方面，目前進(jìn)展一切順利，將仍按照進(jìn)度量產(chǎn)，并將在2nm節(jié)點(diǎn)引入GAA架構(gòu)，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性
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三星電子：目標(biāo)到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

  • IT之家 10 月 21 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內(nèi)首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計(jì)劃不遺余力地?cái)U(kuò)大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力，其目標(biāo)是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片
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消息稱三星顯示明年將提高 QD-OLED 產(chǎn)量，良率達(dá) 85% 以上

  • IT之家 10 月 21 日消息，三星顯示（Samsung Display）公司預(yù)計(jì)明年將加大量子點(diǎn)（QD）-有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示器的生產(chǎn)力度。三星顯示預(yù)計(jì)將提高其 QD-OLED 顯示面板的產(chǎn)量，從現(xiàn)在的每月 3 萬張?zhí)岣叩矫髂甑?4 萬張?！霸摴窘衲晟习肽?QD-OLED 顯示面板的生產(chǎn)良率提高到 85%，顯示了其強(qiáng)大的技術(shù)能力，”O(jiān)mdia 公司總經(jīng)理 Jung Yun-Seong 在研究公司會議上說。Jung 分析說，由于產(chǎn)量的增加，三星顯示將能夠在其產(chǎn)品組合中增加 49 英
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消息稱三星顯示明年將提高QD-OLED產(chǎn)量，良率達(dá)85%以上

  • 　　10月21日消息，三星顯示（SamsungDisplay）公司預(yù)計(jì)明年將加大量子點(diǎn)（QD）-有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示器的生產(chǎn)力度?！　∪秋@示預(yù)計(jì)將提高其QD-OLED顯示面板的產(chǎn)量，從現(xiàn)在的每月3萬張?zhí)岣叩矫髂甑?萬張。　　“該公司今年上半年QD-OLED顯示面板的生產(chǎn)良率提高到85%，顯示了其強(qiáng)大的技術(shù)能力，”O(jiān)mdia公司總經(jīng)理Junun-Seong在研究公司會議上說?！　ung分析說，由于產(chǎn)量的增加，三星顯示將能夠在其產(chǎn)品組合中增加49英寸和77英寸QD-OLED顯示器。他估計(jì)2023
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三星美國170億美元建廠計(jì)劃或再延后，但日本業(yè)務(wù)卻在加速擴(kuò)張

  • 據(jù)韓國媒體THELEC報(bào)道，因全球半導(dǎo)體芯片市場景氣低迷，三星此前宣布的在美國德州泰勒市新建晶圓廠支出計(jì)劃可能延后。根據(jù)此前報(bào)道，三星泰勒工廠總投資約170億美元，晶圓廠建設(shè)完成后，將采用先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)5G、高效能運(yùn)算、人工智能等尖端芯片。根據(jù)三星原計(jì)劃，該廠原定今年上半年開工，2024年開始運(yùn)營，但開工奠基儀式已經(jīng)從原定的今年上半年推遲至今，甚至可能進(jìn)一步推遲到2024年。值得一提的是，盡管美國新廠建設(shè)計(jì)劃面臨延后，但三星位于日本的晶圓代工業(yè)務(wù)卻在擴(kuò)張。近日，韓國三星電子在日本召開晶圓代工業(yè)務(wù)說明會，
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性能提高44%，三星計(jì)劃2納米制程加入背后供電技術(shù)

  • 在與臺積電的競爭之路上，三星可謂頻繁出招。除了3納米導(dǎo)入全新GAAFET全環(huán)繞柵極電晶體架構(gòu)，已成功量產(chǎn)，照三星半導(dǎo)體藍(lán)圖分析，2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米，更先進(jìn)1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。韓國媒體The Elec報(bào)導(dǎo)，三星計(jì)劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)用于2納米芯片。研究員Park Byung-jae在日前舉行的三星技術(shù)論壇SEDEX 2022介紹BSPDN細(xì)節(jié)。從過去高K金屬柵極技術(shù)到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，F(xiàn)inFET仍是半導(dǎo)體制程最主流技術(shù)，之前稱為3
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全球芯片市場低迷，消息稱三星美國得州新芯片代工廠支出計(jì)劃面臨推遲

  • 10 月 19 日消息，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星在美國得州泰勒市新規(guī)劃的芯片代工廠的支出計(jì)劃面臨推遲。2021 年 11 月份，三星電子宣布將在美國得克薩斯州的泰勒市建設(shè)一座新芯片代工廠，該工廠占地超過 500 萬平方米，預(yù)計(jì)投資 170 億美元，包括廠房建設(shè)、機(jī)器和設(shè)備方面的投資。建成之后，該工廠將采用先進(jìn)的制程工藝生產(chǎn)用于移動設(shè)備、5G、高性能計(jì)算、人工智能等領(lǐng)域的先進(jìn)芯片，目標(biāo)是在 2024 年下半年投入運(yùn)營。消息人士稱，三星原本計(jì)劃明年 10 月開始投入生產(chǎn)設(shè)備，但這一計(jì)劃現(xiàn)在已被推遲到明年 12 月
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高

  • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來全球移動內(nèi)存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
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