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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。　　另外一款
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三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)

　　北京時(shí)間12月2日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，《韓國先驅(qū)報(bào)》援引匿名消息人士的話報(bào)道稱，三星2010年計(jì)劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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三星電子2020年銷售額目標(biāo)4000億美元

　　三星電子日前發(fā)表了“暢想世界、創(chuàng)新未來”，同時(shí)制定了2020年銷售額4000億美元，力爭(zhēng)成為最大的IT企業(yè)、全球10大企業(yè)、品牌價(jià)值全球前5、最受尊敬企業(yè)全球前10、綠色環(huán)保前列企業(yè)等目標(biāo)。　　該目標(biāo)是在本月初三星電子成立40周年的紀(jì)念活動(dòng)上發(fā)表的。三星電子CEO李潤雨在致詞中表示：“在公司成立40周年之際，讓我們向成為百年超一流企業(yè)的新目標(biāo)挑戰(zhàn)!”三星電子為實(shí)現(xiàn) vision2020，制定了三大戰(zhàn)略方向，分別為：實(shí)現(xiàn)新技術(shù)先導(dǎo)、新市場(chǎng)創(chuàng)出、新生活方
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某閃存廠商指控蘋果在閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”

　　近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場(chǎng)上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨?！俄n國時(shí)報(bào)》還報(bào)道稱蘋果經(jīng)常采取等待閃存由于供過于求而出現(xiàn)價(jià)格下降時(shí)，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導(dǎo)致閃存廠商的庫存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。　　由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務(wù)對(duì)蘋果依賴甚大，因此他們對(duì)蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價(jià)下調(diào)4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。　　另外一款三
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三星否認(rèn)欲購并英飛凌

　　新聞事件：　　三星表示無意購并英飛凌　　市場(chǎng)上流傳的購并傳聞并不屬實(shí) 　　全球最大存儲(chǔ)器制造商三星電子(Samsung Electronics)發(fā)言人James Chung表示，三星無意購并英飛凌(Infineon)，市場(chǎng)上流傳的購并傳聞并不屬實(shí);此外，英飛凌表示不愿針對(duì)市場(chǎng)臆測(cè)發(fā)表評(píng)論。　　日前市場(chǎng)傳出英飛凌將遭三星購并的消息，造成英飛凌股價(jià)上揚(yáng)，然三星迅速出面否認(rèn)購并的可能性。　　英飛凌為德國半導(dǎo)體大廠，日前遭遇財(cái)務(wù)困難以2.43億歐元(約3.65億美元)將有線通訊事業(yè)賣給私募基
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三星否認(rèn)有意收購德國英飛凌

　　11月25日消息，韓國三星電子周三表示，對(duì)德國芯片廠商英飛凌沒興趣，關(guān)于有意與英飛凌討論并購一事也不正確。
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09年半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑幅度小于預(yù)期，三星表現(xiàn)出色

　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2009年幾乎沒有什么值得高興的事情，營業(yè)收入預(yù)計(jì)下降12.4%，且10大供應(yīng)商中只有一家實(shí)現(xiàn)增長。但是，飽受打擊的芯片制造商還有一點(diǎn)可聊以自慰：情況沒有變得更糟糕。　　“2009年?duì)I業(yè)收入比2008年銳減320多億美元，它將作為全球半導(dǎo)體行業(yè)史上最糟糕的年份之一留在人們的記憶之中，”iSuppli公司的高級(jí)副總裁Dale Ford表示，“但iSuppli公司下滑12.4%的初步估計(jì)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于2009年初預(yù)期的暴跌逾20%。” 　　&
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手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯，NOR風(fēng)光不再

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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三星加速制程微縮　DRAM進(jìn)入40納米世代

　　三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(dá)(Elpida)也將導(dǎo)入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進(jìn)一步下滑。　　三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè)，市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估，
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三星電子將耗資87億美元擴(kuò)大LCD產(chǎn)能

　　根據(jù)彭博報(bào)導(dǎo)，全球最大液晶面板廠韓國三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃以10兆韓元 (折合87億美元)，投入韓國Tangjung廠，以擴(kuò)大面板生產(chǎn)。　　三星發(fā)言人James Chung今天接受電話訪問，證實(shí)東亞日?qǐng)?bào)相關(guān)報(bào)導(dǎo)。他指出，三星將于2011年至2015年進(jìn)行投資，藉此擴(kuò)大液晶顯示器(LCD)生產(chǎn)。
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三星斥資13億美金獲高通15年專利使用權(quán)

　　三星近日斥資13億美元,以獲得未來15年使用高通在CDMA、WCDMA和OFDMA方面專利的權(quán)利。　　三星在提交給首爾證券交易所的聲明中稱,三星通過支付預(yù)付款來獲得使用高通在無線技術(shù)包括CDMA方面技術(shù)的許可,此外三星還將授權(quán)高通使用其在移動(dòng)技術(shù)方面57%的專利,技術(shù)交叉許可協(xié)議中包括使用在手持設(shè)備和基站的4G無線技術(shù)。　　由于三星和高通剛剛修訂了兩家公司特許權(quán)使用費(fèi)的相關(guān)條款,所以三星本次支付的專利授權(quán)使用費(fèi)較以往大大降低。據(jù)悉,根據(jù)三星與高通協(xié)議,三星將支付13億美元來獲得使用高通在CDM
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三星加大半導(dǎo)體制程技術(shù)研發(fā)力度

　　韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術(shù)的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，該中心將與三星現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一起合作，進(jìn)行新半導(dǎo)體材料，晶體管結(jié)構(gòu)以及高性能低功耗半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠除了正在積極準(zhǔn)備45nm制程芯片的量產(chǎn)，同時(shí)作為IBM技術(shù)聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術(shù). 　　三星表示，新研發(fā)中心與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的強(qiáng)強(qiáng)組合，將極大推動(dòng)三星半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
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三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm

　　三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項(xiàng)技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設(shè)計(jì)的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實(shí)際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實(shí)現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可以讓手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)者在存儲(chǔ)模塊上節(jié)省40%的空間和重量。　　三星稱，這項(xiàng)層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵
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集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達(dá)40.7％

　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價(jià)在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價(jià)也在合約價(jià)的帶動(dòng)下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價(jià)格大漲，亦帶動(dòng)DDR2合約價(jià)格的漲勢(shì)，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3相當(dāng)積極，導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價(jià)漲幅高達(dá)31%、現(xiàn)貨價(jià)格漲幅亦高達(dá)30%，漲幅與DDR3不惶多讓。　　第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價(jià)
關(guān)鍵字：三星 DRAM DDR3 DDR2