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意法半導體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV,Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導體器件,同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認證時間表。 電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車,使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領導者,針對汽車所有主要電氣模塊,意法半導體率先推
- 關鍵字: 意法半導體 MOSFET
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝,進一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容

- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝,可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm,輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
- 關鍵字: 英飛凌 SiC-MOSFET
理解超級結(jié)技術(shù)

- 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關轉(zhuǎn)換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前,高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征,以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點。 為了理解兩種技術(shù)的差異,我
- 關鍵字: MOSFET 超級結(jié)結(jié)構(gòu)
意法半導體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網(wǎng)絡、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機會?! ∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件,數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長,運行云計算技術(shù)的服務器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高,人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多
- 關鍵字: 意法半導體 MOSFET
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障

- 為了降低能源成本,設備設計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下,電源設計人員通過增大開關頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關,LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應用越來越普遍。但是,功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個問題。在本文中,我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級 MOSFET 的不良體二極管性能可能導致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障,如在各種異常條件下發(fā)生嚴重的直通
- 關鍵字: 諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET
完全自保護MOSFET功率器件分析

- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設計人員在功率器件中加入故障保護電路,以免器件發(fā)生故障,避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn),但是在更多情況下,設計人員使用完全自保護的MOSFET功率器件來完成?! D1顯示了完全自保護MOSFET的一般拓撲結(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是,大多數(shù)器件都具備三個電路模塊,即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制,為器件提供大部分的保護?! ?nbsp;&n
- 關鍵字: MOSFET 功率器件
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