Ramtron發(fā)布具射頻功能之無(wú)線存儲(chǔ)器MaxArias

　　關(guān)于MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器解決方案

　　Ramtron的首個(gè)MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器系列結(jié)合了最高16-Kb的高性能非易失性F-RAM存儲(chǔ)器和EPC global Class-1 Generation-2 UHF無(wú)線接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，運(yùn)作頻率為860MHz 至 960MHz。結(jié)合優(yōu)化的天線設(shè)計(jì)，MaxArias WM710xx產(chǎn)品系列可以由射頻場(chǎng)感應(yīng)出的能量來(lái)供電。根據(jù)Gen-2標(biāo)準(zhǔn)，MaxArias芯片可接收和處理通過(guò)RFID讀卡器傳輸?shù)闹噶睢?/p>

　　產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)

　　MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器系列首批產(chǎn)品WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位，這些器件具有幾乎無(wú)限的讀/寫(xiě)次數(shù)(寫(xiě)入次數(shù)大約為1014次)，以及20年的數(shù)據(jù)保存期。就工作范圍、持續(xù)的存儲(chǔ)器訪問(wèn)帶寬及可靠性而言，MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器具有完全對(duì)稱的讀/寫(xiě)距離，達(dá)到Gen-2標(biāo)準(zhǔn)的最大數(shù)據(jù)速率。

　　Ramtron的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器具有超越傳統(tǒng)基于 EEPROM的RF ID產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，包括：

• 更高的射頻靈敏度：WM710xx能實(shí)現(xiàn)零功耗寫(xiě)入運(yùn)作，因而在執(zhí)行寫(xiě)入時(shí)不會(huì)影響功率或速度。
• 更大的工作范圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器具有10米或更大范圍的對(duì)稱無(wú)線讀/寫(xiě)功能
• 出色的寫(xiě)入速度：MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器的速度較EEPROM快六倍，能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)存儲(chǔ)區(qū)塊的寫(xiě)入運(yùn)作，更快地存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)，免除基于EEPROM 的器件的“預(yù)備時(shí)間”(soak time)限制
• 區(qū)塊寫(xiě)入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可確保數(shù)據(jù)完整性，防止在全區(qū)塊寫(xiě)入期間出現(xiàn)數(shù)據(jù)損壞
• 磁場(chǎng)和伽瑪輻射耐受能力：由于F-RAM器件完全不受磁場(chǎng)的影響，并具有高伽瑪輻射耐受能力，MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器是需暴露于磁場(chǎng)或輻射干擾之應(yīng)用的理想選擇。
• WM710xx MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器能在整個(gè)工業(yè)溫度范圍運(yùn)作(-40°C 至+85°C)，并備有幾種配置，包括標(biāo)準(zhǔn)RoHS兼容6腳UDFN封裝、凸塊硅片、裸片，或經(jīng)全面測(cè)試的符合ISO-18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的電子標(biāo)簽。