MEMS設(shè)備市場規(guī)模2012年渴望達到5億美元

　　法國的市場研究機構(gòu)Yole Development預(yù)期，明年MEMS設(shè)備產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)將持平，不過在慣性MEMS組件、RF開關(guān)、能量采集與微反射鏡(micromirrors)等方面仍有技術(shù)創(chuàng)新的空間。

　　在Yole Development針對全球MEMS設(shè)備與材料市場所做的最新報告中，預(yù)期MEMS量產(chǎn)工具產(chǎn)業(yè)在2009~2010年間的表現(xiàn)持平，不過業(yè)者的MEMS設(shè)備研發(fā)活動仍將積極，以因應(yīng)市場2011年的大幅成長。預(yù)期到2012年，MEMS設(shè)備市場規(guī)?？蛇_到5億美元。

　　Yole指出，MEMS量產(chǎn)技術(shù)趨勢向來是「一種產(chǎn)品、一種制程、一種封裝」，不過現(xiàn)在歐洲的制造廠與研發(fā)機構(gòu)，已紛紛推出標準化的MEMS量產(chǎn)制程模塊。

　　其中的領(lǐng)導(dǎo)廠商包括Silex，該公司的晶圓穿孔(through-wafer via)與晶圓級封裝(WLP)平臺，能提供客戶共享制程，已達到較高的良率與降低成本。另一家業(yè)者CEA-Leti也可提供標準化的8吋晶圓制程。

　　其它標準化MEMS制造技術(shù)還包括硅晶圓穿孔(TSV)、緊密接合(hermetic bonding)與硅薄膜(Si membrane)等。Yole表示，采用TSV技術(shù)進行MEMS組件3D整合，在業(yè)界越來越常見，此趨勢也可望推動深層蝕刻(DRIE)技術(shù)的成長，并使蝕刻速度加快到100μ/ min。

　　至于MEMS材料部分，Yole預(yù)期該市場將在2012年達到4.7億美元規(guī)模。該機構(gòu)指出，目前在大量應(yīng)用的MEMS組件制造上，晶圓尺寸有從6吋轉(zhuǎn)向8吋的趨勢;較厚(0.2~0.6μ)的SOI則是用于犧牲層(sacrificial release)，此外在較高撓度(deflection)的微反射鏡或某些陀螺儀制造上，則有應(yīng)用更厚BOX (大于5μ)的趨勢。