中芯國際牽手飛索投產武漢12英寸廠

　　不見傳說中的“爾必達”，卻見名不見經傳的“飛索”。

　　9月22日，中芯國際(0981.HK；NASDAQ:SMI)武漢12英寸芯片廠——武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”)宣布了12英寸半導體生產線正式投產。然而在投產典禮上，人們并未如期見到先前呼聲很高的日本DRAM大廠爾必達的身影，來自美國的飛索半導體(NASDAQ:SPSN)取而代之，成為了武漢新芯最重要的戰(zhàn)略合作伙伴。

　　當日，武漢新芯、中芯國際和飛索三方達成戰(zhàn)略合作:飛索向中芯國際轉移65納米、43納米相關生產工藝及技術，武漢新芯則作為飛索半導體的重要生產基地，為其提供NAND型記憶體產品代工。

　　武漢新芯于2006年6月28日開工建設，由湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)三級財政共同投資，并委托中芯國際經營管理，中芯國際承諾將根據經營情況未來對武漢新芯進行回購。飛索則是全球最大的NOR閃存芯片供應商。三方戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽署，意味著這一歷時22個月建設期、一期工程耗資100億元人民幣的大規(guī)模集成電路制造項目終于邁出了里程碑的一步。

　　結盟飛索

　　投產典禮當天，中芯國際聯(lián)合飛索也共同宣布達成戰(zhàn)略合作，據了解，此協(xié)議有效期5年，目前該12英寸生產線的月產能為3000片閃存晶圓，雙方預計2010年可達3萬片/月。

　　對外界而言，飛索與中芯國際的合作頗為突然。一直以來，中芯國際與爾必達交往甚密，消息人士透露，雙方本意是以武漢這條12英寸生產線為基地，共同合作生產DRAM產品；不過，因中芯國際、爾必達與武漢市政府三方部分合作條件談不攏，加之DRAM價格持續(xù)大跌，引發(fā)了中芯和武漢方面對未來市場的擔憂，最后此合資設廠案最終流產；隨后爾必達轉向蘇州市政府，與另一合作伙伴在蘇州新設立了一條12英寸生產線，中芯國際則在年初結束與爾必達的合作關系，開始為新芯尋求出路，“飛索正是在此情況下進入了中芯視野”。

　　一直致力于發(fā)展NOR型閃存的飛索半導體是AMD與日本富士通分別剝離旗下NOR業(yè)務成立的合資公司。根據iSuppli的數(shù)據，2008年一季度，飛索產品占據了NOR市場37%的份額，是目前全球最大的NOR產品生產商。

　　閃存是一種非易失性存儲器，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數(shù)據，其存儲特性相當于硬盤，NOR和NAND是閃存的兩類產品。一直以來，飛索面臨著單一銷售NOR芯片的困境，因為NOR閃存的利潤日益微薄，雖然NOR閃存在手機等產品中的用量不斷提高，但邊際利潤逐步縮小，且價格競爭異常激烈。更殘酷的現(xiàn)實是，NAND內存也在侵入手機市場，有可能以犧牲NOR為代價。

　　受累于NOR產品的競爭，飛索自從2004年第2季度以來就一直未能盈利。根據其財務報表，公司累計虧損已達近十億美元，與中芯國際的合作可以在不增加投資支出的情況下擴大生產規(guī)模，這對飛索半導體意義重大。飛索半導體全球CEO Mr Cambou接受本報記者采訪時用“關鍵戰(zhàn)略”形容此次合作。

　　在此之前，臺積電一直是飛索最重要的代工伙伴。Mr Cambou說，雙方去年結束了合作關系，繼而轉向與中芯國際合作。飛索除了技轉65納米ORNAND給中芯，后續(xù)也將委由中芯代工45納米EcoRAM產品和43納米的ORNAND2技術予中芯，并移轉至中芯代管的武漢廠生產。

　　中芯新機會

　　對于與飛索的合作，中芯國際總裁兼執(zhí)行長張汝京接受記者采訪時不吝溢美之詞。然而，對中芯國際而言，與飛索的合作究竟是不是一個發(fā)展的新機會呢？

　　就在投產典禮前夕，中芯國際剛剛發(fā)布了2008財年半年度報。財報顯示，今年上半年公司收入7.05億美元，相比2007年的7.63億美元，減少7.6%；凈利潤則虧損2.7億美元，相比去年同期的670萬美元，同比減少4000%。對于巨虧原因，中芯國際表示，是因為公司退出價格下降迅速的DRAM存儲芯片市場，以及北京工廠的存儲芯片生產線轉為邏輯芯片生產線。

　　中芯國際分別在武漢、北京、上海擁有三條12英寸生產線(武漢生產線目前為國有，按規(guī)定中芯國際未來將進行回購)，并計劃在深圳分別投資一條8英寸和12英寸芯片生產線。在中芯北京廠產品由存儲芯片轉為邏輯芯片后，該廠傳出了裁員消息。據消息人士透露，中芯國際引入戰(zhàn)略投資者計劃近來進展不順，很有可能暫時擱置，因此對張汝京來說，現(xiàn)在可能是中芯國際成立以來面臨的最艱難時刻。

　　某種程度上看，與飛索的合作為中芯國際未來發(fā)展提供了一個新契機。根據雙方計劃，未來五年內武漢新芯都將是飛索重要的代工伙伴，這意味著中芯獲得了一個長久穩(wěn)定的重要客戶；另一方面，飛索對中芯國際的技術轉讓可以幫助中芯避開與臺積電的專利官司帶來的潛在風險，因為根據美國加州法院裁定文件，未來若中芯將其0.13微米以下工藝技術轉移給具有伙伴關系的第三者，須具文告知臺積電，也就是未來若新芯與中芯有相關制程合作，臺積電對此舉動有提出異議的權利。

　　張汝京說，飛索目前擁有電荷捕獲(NAND生產中的一項主流技術)技術的3000多項專利，更為重要的是，飛索NAND生產的設備和工藝與邏輯產品的工藝非常相似，可以很容易利用同樣設備在邏輯芯片與閃存芯片產品之間切換，如果將來新芯的技術從65納米升級到32納米，除光刻機外，新芯只需增加光刻機設備，這樣一來可以節(jié)約大量的設備投資開支。

　　武漢新芯總經理劉丹平向記者表示，發(fā)展大型半導體制造工業(yè)必須具備五個要素，即資本、完整團隊、專利技術授權、市場(明確的大客戶)和政府的決心及政策，武漢新芯有資本和團隊，但市場和技術卻不能由政府所把控，飛索的到來幫助新芯解決了市場和專利技術授權問題。

　　瓦森納協(xié)議風險

　　根據雙方披露的信息，未來武漢新芯將采用65納米和43納米工藝技術生產閃存芯片，事實上，雙方有關更高階的32納米級工藝授權協(xié)議也已簽署，這意味著武漢新芯將成為國內最先進半導體工藝生產線，比英特爾位于大連的12英寸工廠所采用的90納米工藝高出一至兩個世代。

　　這引發(fā)了外界的擔憂，飛索向中芯國際轉移如此先進工藝技術，是否會引來美國政府的不滿或者受限于瓦森納協(xié)議？

　　美國政府對高技術產品的出口管制，是美國半導體企業(yè)對外發(fā)展必須要過的第一道關隘。美國政府參照的是1995年由28個國家共同制定的“瓦森納協(xié)議”(Wassenaar Arrangement)。這個協(xié)議中，對敏感軍用和軍民兩用技術出口到發(fā)展中國家進行嚴格管制，其中對半導體的限制是0.25微米。但這是一個早已過時的管制。2004年，中芯國際已達到了0.18微米的量產?，F(xiàn)在，美國也將上限調整到0.18微米。

　　“我對瓦森納協(xié)議的理解是，這是一個方向性的協(xié)議，實際上不是針對某個具體的技術型號的。在當時最領先的科技肯定要受到嚴格審查，而不那么前沿的科技，出口許可證則要視產品的最終用戶和用途而定。”市場研究公司ICinsights的主席比爾·邁克里恩說。

　　“這的確是個非常敏感的問題。”飛索半導體CEO Mr.Cambou對記者表示，不過，美國對出口技術的限制主要是技術含量較高的邏輯產品，對于存儲的設備產品出口管制不是很嚴格；另外，限制的技術主要是針對軍事用品，目前飛索轉移至武漢新芯的技術所生產的產品全部系民用，因此也不存在違規(guī)的問題，有關于設備工藝產品的進口許可問題，主要由中芯國際方面負責協(xié)調。

　　張汝京坦言，說服眾多瓦森納協(xié)議相關國家及地區(qū)獲得工藝和產品出口許可是一項“非常具有挑戰(zhàn)性”的任務，在此之前，由于受到相關公司及政府部門的阻撓，中芯國際在購買美國半導體工藝設備方面遇到了很大阻力。

　　雖然中芯國際可以很輕易地從日本和荷蘭購買到同樣的芯片制造設備，但是張汝京并沒有放棄在美國的努力，因為公司大多數(shù)工程師在美國培訓，對美國廠商的設備和工藝更加熟悉，張曾和中芯國際公司的其它高層數(shù)次飛赴華盛頓進行游說。

　　“目前公司已經拿到65納米和43納米相關工藝產品的出口許可，而更高階的32納米出口許可也已獲得，將自2009年1月1日開始正式生效。”張汝京說。