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KLA-Tencor推出可解決二次成像挑戰(zhàn)的首款計算光刻機

作者: 時間:2008-07-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

   公司(納斯達克股票代碼:KLAC)今天推出其領先業(yè)界的最新版計算 PROLITH 11。這種新型讓用戶首次得以評估當前的二次成像方案,并以較低的成本針對光刻在設計、材料與制程開發(fā)等方面挑戰(zhàn),嘗試不同的解決方案。這種新型計算還支持單次成像和浸沒技術。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/85606.htm

   制程控制信息部副總裁兼總經(jīng)理 Ed Charrier 指出:“由于光刻復雜性及實驗成本的大幅增加,電路設計師與芯片制造商不得不面對所帶來的挑戰(zhàn)。計算光刻已成為控制這些成本一個必備工具。在計算光刻機中,PROLITH 11 的能力獨具一格,它讓工程師能夠探索多種設計、材料或制程條件來解決特定問題——而不必耗費晶片廠的資源。”

   (DPL) 是通過將圖案分為兩個交錯圖案來構建先進設備之微小部件的一種方法。這表示,一個雙光罩組及新的光阻材料對于 DPL 層必不可少,這會增加制程的復雜性及成本。據(jù)專家預計,在 32 納米節(jié)點的一個光罩組價格超過四百萬美元,這強烈促使晶片廠要徹底衡量和評估一個二次成像、雙光罩、雙光阻策略將如何在自然制程條件范圍下在晶片上沖印,以確保光罩設計、材料和制程參數(shù)在第一次就正確無誤。

  PROLITH 11 讓工程師能夠以前所未有的精確性來制作這種復雜系統(tǒng)的模型,然后通過考察在光罩設計、光阻屬性和掃描曝光機或所印圖案上的參數(shù)中或大或小的變化對二次成像影響,使用該模型對系統(tǒng)進行優(yōu)化。使用 PROLITH 11,晶片廠可避免在產(chǎn)品晶片上進行耗時與昂貴實驗的必要,這些實驗會耽誤進入市場的時間,并造成成千上萬個報廢的加工晶片。

  作為 為解決先進光刻挑戰(zhàn)而設計的一整套系統(tǒng)中的一款光刻機,PROLITH 11 已出貨至美國、日本和臺灣的領先芯片制造商。PROLITH 平臺包含市場上最為廣泛使用的光刻模擬工具套件,安裝在幾乎每家芯片制造商目前正在生產(chǎn)的 65 納米與 45 納米設備的開發(fā)群中。

  PROLITH 11 技術摘要

  基礎與嚴謹?shù)挠嬎?br />    •PROLITH 11 是唯一一部能夠模擬二次成像特定形貌和計算沖印第一層的變率將如何影響第二層的光刻模擬器。
   •PROLITH 11 的結果建立在基本光學與動力學模型之上。
   •PROLITH 能夠適應:
    o復雜的薄膜層積
    o內嵌的基底形貌
   •PROLITH 11 光阻模型能夠使用 IC 制造商、光阻廠商、研究群體及公會提供的數(shù)據(jù)進行校準。

  采用結果外推法解決問題
   •PROLITH 11 模型可用于探索:
    o新型光罩設計
    o新型光阻
    o不同的掃描曝光機設置
    o不同的制程參數(shù)

  補充全芯片模擬器的不足

  全芯片模擬器的設計是在 24 小時內對整個芯片進行優(yōu)化,而 PROLITH 則能補充其不足之處,在數(shù)分鐘內就能夠以完整細節(jié)模擬芯片的一個微小區(qū)域。全芯片模擬器的結果可以應用于一組設計與制程條件,而 PROLITH 的結果則可從產(chǎn)生模型的條件下有效外推,從而能夠探索各種解決方案。PROLITH 的結果可用于判斷全芯片模擬器運作時的最適宜條件。



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