英特爾高級(jí)院士馬博：誰(shuí)能影響摩爾定律

　　Mark T. Bohr(馬博)：英特爾高級(jí)院士，技術(shù)與制造事業(yè)部工藝架構(gòu)與集成部門總監(jiān)。1978 年加盟英特爾，曾負(fù)責(zé)開發(fā)：英特爾首次推出的 CMOS 技術(shù)、全球首項(xiàng) CMOS DRAM 技術(shù)、英特爾首項(xiàng) BiCMOS 技術(shù)，以及新近推出的采用應(yīng)變硅晶體管以及銅和低 K互連技術(shù)的90nm和65nm技術(shù)；目前領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)英特爾45nm技術(shù)。

　　馬博在伊利諾伊大學(xué)香檳分校獲得工業(yè)工程學(xué)士和電氣工程碩士學(xué)位。他于2003年獲得 IEEE 安德魯·格魯夫獎(jiǎng)，2005 年當(dāng)選美國(guó)國(guó)家工程學(xué)院院士。馬博在集成電路工藝領(lǐng)域擁有 31 項(xiàng)專利。

　　1997年，美國(guó)計(jì)算學(xué)會(huì)(ACM)為紀(jì)念成立50周年，邀請(qǐng)了圖靈獎(jiǎng)獲得者等20位計(jì)算權(quán)威預(yù)測(cè)未來(lái)50年的計(jì)算，并集結(jié)成《超越計(jì)算：未來(lái)50年的電腦》一書，因?yàn)閷?duì)未來(lái)的展望是對(duì)歷史最好的紀(jì)念。

　　今年是集成電路發(fā)明50周年。4月3日，英特爾半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域首位高級(jí)院士馬博在上海舉辦的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)上接受了本報(bào)記者的獨(dú)家專訪。我們希望通過對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)未來(lái)面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇的探討，來(lái)紀(jì)念過去50年來(lái)集成電路對(duì)電子工業(yè)乃至整個(gè)人類社會(huì)做出的貢獻(xiàn)。

　　摩爾定律邁過一坎兒

　　記者：半導(dǎo)體公司都在積極地探索HkMG(高k材料和金屬柵極材料)，英特爾找到合適的HkHG的過程，是像牛頓從蘋果落地而發(fā)現(xiàn)萬(wàn)有引力定律那樣靈機(jī)一動(dòng)，還是像愛迪生尋找合適的燈絲材料那樣經(jīng)過無(wú)數(shù)次試驗(yàn)？

　　馬博：和愛迪生的經(jīng)歷更為相似。我們多年來(lái)系統(tǒng)地測(cè)試了各種各樣的材料，并且將試驗(yàn)工作和理論工作相結(jié)合，以確定最佳的HkMG。

　　記者：經(jīng)過了多少次試驗(yàn)，數(shù)千次？

　　馬博：我不知道是否能給出確切數(shù)字?；蛟S不到一千種，但可以確定地說(shuō)，至少研究了上百種不同的材料或材料組合。

　　記者：英特爾2007年在45nm工藝上引入HkMG，是CMOS工藝40年來(lái)最重要的革命。的確，無(wú)論是重啟了晶體管體積縮小的進(jìn)程，還是為未來(lái)數(shù)代加工工藝的實(shí)現(xiàn)掃清了障礙，HkMG都有重要的意義。你如何看HkMG對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)的價(jià)值？

　　馬博：我認(rèn)為HkMG晶體管的發(fā)明對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)具有巨大價(jià)值。若沒有此項(xiàng)發(fā)明，按照摩爾定律，行業(yè)發(fā)展即使不會(huì)陷于停滯，發(fā)展速度也會(huì)大大降低。現(xiàn)在我們正處在一個(gè)開發(fā)新材料、新結(jié)構(gòu)至關(guān)重要的時(shí)期，如同縮小物理尺寸一樣重要。

　　記者：HkMG縮小的是晶體管柵極絕緣層的厚度，而非投影面積。請(qǐng)問HkMG對(duì)芯片集成度是否有直接的貢獻(xiàn)？

　　馬博：水平尺度主要是受光刻技術(shù)能力的制約。但是，HkMG技術(shù)的確能提供更好的性能和顯著降低漏電流，這對(duì)于將更多的晶體管集成到芯片上是至關(guān)重要的。可以說(shuō)是間接提高了集成度。

　　記者：隨著線寬的縮小，工藝的生命周期也在不斷變短，請(qǐng)問HkMG最終能夠有效支持的線寬是多少？

　　馬博：我們認(rèn)為尺寸還可以縮小到35nm、25nm。至于進(jìn)一步超過這一水平，我想還需要新的發(fā)明。但HkMG至少有助于縮小45nm之后至少兩代的尺寸。

　　記者：之后呢？

　　馬博：我們的研究部門在繼續(xù)探索45nm之后可能出現(xiàn)的各種晶體管，例如薄膜晶體管，或者采用多種半導(dǎo)體相結(jié)合的晶體管。我們還沒有做出決定和對(duì)外宣布將采用何種新型晶體管。

　　光刻技術(shù)的變遷

　　記者：光刻技術(shù)應(yīng)該是左右制造工藝升級(jí)換代的主要因素，據(jù)報(bào)道193nm浸沒式光刻技術(shù)能夠保證45nm和32nm制造技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。請(qǐng)問其繼任者157nm光刻技術(shù)能支持哪幾代工藝？

　　馬博：對(duì)于32nm技術(shù)，我們的確對(duì)關(guān)鍵層采用了193nm浸沒式光刻技術(shù)。浸沒式光刻技術(shù)在分辨率上有顯著提高，盡管這種光刻技術(shù)價(jià)格更為昂貴。同時(shí)我們認(rèn)為浸沒式光刻技術(shù)可以沿用到32nm之后的22nm。再往下，大家過去曾探索過157nm波長(zhǎng)，但由于與157nm波長(zhǎng)兼容的光源和透鏡實(shí)現(xiàn)起來(lái)十分困難，已被半導(dǎo)體行業(yè)所放棄。行業(yè)現(xiàn)在主要關(guān)注的是130nm極紫外(EUV)光刻技術(shù)，將其視作193nm浸沒式光刻技術(shù)最有可能的后繼技術(shù)。

　　記者：光源的波長(zhǎng)決定了光刻工藝，目前，45nm工藝使用的是波長(zhǎng)為193nm的準(zhǔn)分子激光ArF。我們知道，目前科學(xué)儀器中分辨率最高或者說(shuō)波長(zhǎng)最短的是基于德布羅意波的電子顯微鏡等電子束儀器。請(qǐng)問這類電子束技術(shù)在未來(lái)光刻技術(shù)中的應(yīng)用價(jià)值？

　　馬博：電子束光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是一種備選方案，因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)非常小的外形尺寸，但電子束光刻技術(shù)的問題是，它是一種非常慢的技術(shù)，也許不適合大規(guī)模制造，所以英特爾并不認(rèn)為目前電子束是一種可用于制造工藝的現(xiàn)實(shí)選擇。

　　記者：2001年的諾貝爾物理獎(jiǎng)?lì)C給了玻色-愛因斯坦凝聚方面的研究，而這種研究將使波長(zhǎng)極短的原子激光器成為可能，請(qǐng)問未來(lái)原子激光器在光刻領(lǐng)域的應(yīng)用前景？

　　馬博：我對(duì)這種技術(shù)并不十分熟悉，不過毫無(wú)疑問，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)任何高強(qiáng)度、短波長(zhǎng)的光源都十分感興趣。波長(zhǎng)為130nm的EUV仍是下一步最有可能被采用的技術(shù)，在這之后我們還可能尋求更短的波長(zhǎng)。但我現(xiàn)在不能確定具體是何種技術(shù)。

　　記者：在過去的50年中，硅片上的引線線寬不斷變窄，但引線材料變化卻很小——只是從鋁升級(jí)到銅。請(qǐng)問銅互連技術(shù)最終能支持的線寬是多少？而下一代的碳納米管引線技術(shù)能否用平面工藝實(shí)現(xiàn)？

　　馬博：顯然，銅引線材料仍然是一種十分實(shí)用的技術(shù)，我們相信它可以縮小到20nm。然而在如此微小的尺度下，引線的電阻率會(huì)急劇升高，所以我們的研究部門正在探索碳納米管等替代材料。不過目前碳納米管在技術(shù)上仍面臨著兩大挑戰(zhàn)：其中之一是如何恰到好處地在襯底上的恰當(dāng)位置形成碳納米管，以及制作碳納米管之間的連接電路，同時(shí)還要確保低電阻。盡管存在技術(shù)挑戰(zhàn)，但我們?nèi)匀婚_展了積極的研究。

　　不應(yīng)忽視的封裝與測(cè)試

　　記者：在SoC的趨勢(shì)下，當(dāng)前，將邏輯電路與模擬電路、射頻電路集成在一起會(huì)有多大挑戰(zhàn)？

　　馬博：這是可以實(shí)現(xiàn)的，當(dāng)然會(huì)出現(xiàn)一些問題和復(fù)雜情況。但這樣做不一定最佳。我們應(yīng)當(dāng)始終牢記真正的目標(biāo)，即：將所有功能集成到盡可能小的尺寸內(nèi)。這不一定意味著要將不同部件集成到同一個(gè)管芯上，兩個(gè)管芯并列或者堆疊起來(lái)的芯片或許尺寸同樣小，但卻更加易于制造。

　　記者：50年來(lái)平面工藝一直是集成電路的標(biāo)準(zhǔn)工藝，現(xiàn)在已經(jīng)有了堆疊式的立體封裝技術(shù)，請(qǐng)問在前道上引入立體工藝有多大價(jià)值？

　　馬博：我個(gè)人對(duì)在工藝流程中將晶體管層堆疊起來(lái)持懷疑態(tài)度，因?yàn)橄虿煌瑢用娴木w管提供電源是個(gè)十分復(fù)雜的問題，而且還要在運(yùn)行過程中實(shí)現(xiàn)不同層面晶體管的散熱。所以我個(gè)人認(rèn)為這在最近的將來(lái)還不太可能出現(xiàn)。當(dāng)然芯片的堆疊在封裝中已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，并且我們將繼續(xù)采用這一技術(shù)。

　　記者：通常大家都很關(guān)注制造技術(shù)升級(jí)帶來(lái)的挑戰(zhàn)，卻容易忽視伴隨晶體管數(shù)量增加和芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜化對(duì)測(cè)試技術(shù)帶來(lái)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。你是如何看待這個(gè)問題的？

　　馬博：的確，測(cè)試復(fù)雜的大規(guī)模處理器在技術(shù)上是一項(xiàng)困難的挑戰(zhàn)。不過我們解決該問題的手段之一是在處理器芯片上安裝一些自測(cè)試電路。所以處理器可自行進(jìn)行內(nèi)部測(cè)試，而無(wú)需完全依賴外部測(cè)試。所以這一困難是可以控制的。

　　記者：現(xiàn)在的芯片測(cè)試主要與頻率和溫度相關(guān)，即在給定的時(shí)鐘頻率和溫度范圍內(nèi)測(cè)試芯片邏輯是否正常，但卻很難對(duì)芯片做基于時(shí)間的壓力測(cè)試。但是，隨著線寬的進(jìn)一步變窄，在長(zhǎng)期高溫環(huán)境下，材料的缺陷和引線金屬原子的遷移引發(fā)的故障幾率將大大增加，那么，以往模擬芯片所關(guān)心的時(shí)間漂移問題現(xiàn)象，是否會(huì)在邏輯芯片上出現(xiàn)？

　　馬博：這在理論上是可能的，但是我們?cè)陂_發(fā)階段進(jìn)行了廣泛的長(zhǎng)期測(cè)試，使得我們開發(fā)的技術(shù)可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)久的可靠性。我們只有在證明電路和工藝具備良好的長(zhǎng)期可靠性時(shí)，才會(huì)發(fā)售相關(guān)產(chǎn)品。

　　記者：在線寬越來(lái)越窄的情況下如何解決長(zhǎng)期可靠性的問題？

　　馬博：在這種情況下，某些可靠性問題的確不斷加劇。但我們借助新型材料，通過廣泛的測(cè)試，來(lái)確保更窄的線寬在預(yù)期的工作年限和電壓范圍內(nèi)保持可靠性。

　　半導(dǎo)體市場(chǎng)門檻

　　記者：2002年底，英特爾當(dāng)時(shí)的CTO基辛格在接受我采訪時(shí)表示，如果一個(gè)半導(dǎo)體廠商每年在應(yīng)用技術(shù)上的投資不足10億美元，那么，它已經(jīng)跟不上摩爾定律的步伐了。事實(shí)上，當(dāng)時(shí)只有英特爾、TSMC(臺(tái)積電)、三星、UMC(聯(lián)華電子)、IBM、ST(意法半導(dǎo)體)這6家廠商的投資超過10億美元。到了2005年，他又告訴我，這一門檻已經(jīng)提高到15億美元。請(qǐng)問現(xiàn)在的門檻有多高？跟上摩爾定律的廠商數(shù)目是增加了還是減少了？

　　馬博：基辛格說(shuō)得對(duì)。跟上摩爾定律需要大量投資，而且投資門檻也提高了。我并不是英特爾的財(cái)務(wù)專家，所以無(wú)法斷言今天的市場(chǎng)進(jìn)入門檻究竟有多高，但的確價(jià)格不菲。而且我相信正是由于這樣高的門檻，更多的公司將在跟上摩爾定律的競(jìng)爭(zhēng)中被淘汰。

　　記者：有沒有一個(gè)大概的數(shù)字？

　　馬博：這個(gè)問題有點(diǎn)復(fù)雜，因?yàn)橛行┕驹噲D組成聯(lián)盟。這或許是整合資源的一種合理模式。比如，IBM、AMD和三星在邏輯技術(shù)方面組成聯(lián)盟。這樣或許能整合多家公司的財(cái)力，以便跟上摩爾定律的步伐。我的觀點(diǎn)是，這一模式或許有助于解決資金緊張的問題，但是如何使多家合作伙伴就怎樣開發(fā)一項(xiàng)特定技術(shù)達(dá)成共識(shí)仍是一個(gè)復(fù)雜的問題。因此，盡管他們或許能籌集足夠的投資，但要達(dá)成共識(shí)并著手開發(fā)工作，或許要花更長(zhǎng)的時(shí)間。因而公司聯(lián)盟是否能成為一種行之有效的模式，目前還難以斷言。

　　記者：作為全球最大的半導(dǎo)體廠商，英特爾工廠規(guī)模也應(yīng)是最大的，能否透露一下英特爾現(xiàn)在有多少個(gè)Fab(工廠)。但隨著大直徑晶圓對(duì)產(chǎn)能的提升，以及Fab投資費(fèi)用攀升帶來(lái)的壓力，英特爾 Fab數(shù)量會(huì)不會(huì)逐步減少，你認(rèn)為，合理的數(shù)目應(yīng)該是多少？

　　馬博：我沒有掌握相關(guān)數(shù)字，但我們不斷建立新的Fab，或者在某些情況下改造老的Fab以適應(yīng)新技術(shù)。就我們的45nm工藝而言，我們有兩個(gè)生產(chǎn)芯片的大型Fab，一個(gè)在俄勒岡州，另一個(gè)在亞利桑那州。我們正在以色列建一個(gè)全新的Fab，這將成為第三個(gè)。第四個(gè)將落戶新墨西哥州，是由現(xiàn)有的90nm工藝升級(jí)到45nm工藝而成。到今年年底，我們將有四家工廠采用45nm技術(shù)。

　　記者：建設(shè)一個(gè)新的Fab，比如采用32nm技術(shù)，需要多長(zhǎng)時(shí)間？

　　馬博：這取決于多方面的因素。比如在一個(gè)原先沒有Fab的地點(diǎn)新建，花的時(shí)間要長(zhǎng)一些。還取決于當(dāng)?shù)爻邪逃卸嗌俳ㄔO(shè)經(jīng)驗(yàn)。不過我想，位于亞利桑那州與其他兩個(gè)較老的Fab比鄰的Fab 32建設(shè)的過程非常快，只是我不記得具體用了多長(zhǎng)時(shí)間。

　　芯片廠商的核心競(jìng)爭(zhēng)力

　　記者：通常，軟件可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，比如說(shuō)，6＝1＋5，也可以2＋4，或者3＋3。而半導(dǎo)體的制造就沒有那么幸運(yùn)了，眾多的知識(shí)產(chǎn)權(quán)就像布滿地雷的地帶，其他廠商既無(wú)法繞行又很難穿行。除了生產(chǎn)設(shè)施上的財(cái)富較量之外，知識(shí)產(chǎn)權(quán)的壁壘作用是否也構(gòu)成了半導(dǎo)體制造上的競(jìng)爭(zhēng)力？

　　馬博：英特爾和包括一些競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在內(nèi)的許多公司簽訂了專利交叉許可協(xié)議，以確保我們都能正常開展業(yè)務(wù)，而不是把大量的金錢都花在互相打官司上。所以交叉許可有助于最大限度地減少專利權(quán)爭(zhēng)議。不過也有些公司不愿或不能和我們進(jìn)行專利交叉許可，所以專利權(quán)問題對(duì)它們或許構(gòu)成了一種障礙。但是絕大部分公司都學(xué)會(huì)了如何規(guī)避這一問題，因?yàn)榇蠹叶汲钟袛?shù)量彼此相當(dāng)?shù)膶＠?，那么最好的辦法也許是互相交換專利許可。

　　記者： 基辛格還表示，未來(lái)半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)是英特爾這樣對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造過程同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化的商業(yè)模式和像TSMC那樣用標(biāo)準(zhǔn)的制造過程為不同公司制造不同產(chǎn)品的商業(yè)模式之間的比賽。在90nm引入上，F(xiàn)oundry(標(biāo)準(zhǔn)工藝制造商)和Fabless(無(wú)生產(chǎn)線芯片制造商)已經(jīng)落后于英特爾這樣的IDM(集成器件制造商)。經(jīng)過65nm，現(xiàn)在到了45nm，這兩種模式之間目前的差距有多大？

　　馬博：顯然，兩種模式差別顯著。但我想這兩種模式是服務(wù)于不同市場(chǎng)和不同用途的。Foundry模式適于企業(yè)規(guī)模較小、產(chǎn)量不大、難以自行開發(fā)工藝技術(shù)的公司。我想對(duì)于這些公司而言，這種模式是非常成功的。然而對(duì)于英特爾而言，由于我們產(chǎn)量高，開發(fā)自己的工藝技術(shù)就顯得十分必要。而且這也給我們帶來(lái)了特定的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槲覀兡軌蚋玫貙⒐に嚭彤a(chǎn)品設(shè)計(jì)相匹配，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化。這也使得英特爾能以比其他公司更快的步伐推出新產(chǎn)品。

　　記者：隨著工藝技術(shù)的發(fā)展，兩種模式之間的差距是否越拉越遠(yuǎn)？

　　馬博：我想英特爾在開發(fā)任何技術(shù)節(jié)點(diǎn)方面已經(jīng)大幅度領(lǐng)先TSMC。不過他們?nèi)允且患页錾墓?。他們雄心勃勃，并且將繼續(xù)取得進(jìn)步。但我想他們不太可能在產(chǎn)品出貨量、縮小產(chǎn)品尺寸和類似HkMG的技術(shù)創(chuàng)新方面趕上英特爾。

　　記者：隨著制造工藝不斷變窄，可選的技術(shù)路徑是否會(huì)越來(lái)越少？

　　馬博：我想可以肯定的是，隨著尺寸變小，好的解決方案會(huì)越來(lái)越少。半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)不約而同地采用少數(shù)幾種解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的技術(shù)。即使是在今天，對(duì)于65nm技術(shù)而言，我們和我們的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間并不存在太大不同。我們都采用銅引線材料、低K絕緣材料，以及十分相似的晶體管結(jié)構(gòu)。所以我想公司之間的不同之處會(huì)越來(lái)越少，不同的解決方案會(huì)越來(lái)越少。不過不可避免的是，少數(shù)優(yōu)勝者將會(huì)嶄露頭角。

　　摩爾定律與半導(dǎo)體路線圖

　　記者：在ITRS(國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖)最新公布的半導(dǎo)體工藝路線圖中，從45nm、32nm、22nm直到16nm，線寬每3年更新一次，而且45nm工藝是在2010年引入。為什么從引入的時(shí)間點(diǎn)和更新周期上都與英特爾以兩年為周期的Tick-Tock策略有很大的差異？

　　馬博：在1995年之前，英特爾和業(yè)內(nèi)其他公司一樣，每三年推出新一代制造技術(shù)。但在1995年，隨著我們的0.35μm技術(shù)的推出，英特爾開始加快推出新技術(shù)的步伐。英特爾將兩代技術(shù)之間的周期縮短到兩年。并且我們將繼續(xù)每?jī)赡晖瞥鲂乱淮夹g(shù)。其他一些公司曾和英特爾一樣，實(shí)現(xiàn)了每?jī)赡晖瞥鲂录夹g(shù)的步伐，不過后來(lái)似乎又放慢步伐，回到每三年一代的周期。ITRS的路線圖反映了業(yè)界的某種共識(shí)，反映了其他公司的看法，但卻不一定反映英特爾的看法。

　　記者：半導(dǎo)體線寬的升級(jí)周期由摩爾定律來(lái)決定，但升級(jí)的幅度是誰(shuí)來(lái)決定的，比如說(shuō)未來(lái)從45nm升級(jí)到32nm，為什么不是35nm或者30nm呢？

　　馬博：我不得不率先承認(rèn)，我們的45nm技術(shù)并非在任何維度上剛好都是45nm。在某些維度上尺寸更小，比如柵極的長(zhǎng)度僅為35nm，而在其他維度上則可能大于45nm。不過似乎英特爾和業(yè)界其他公司針對(duì)每一代技術(shù)采用了一套通用的命名法，所以我們都用90nm、65nm以及目前的45nm來(lái)表示各代技術(shù)。盡管如此，并非所有的公司都采用這種名義尺寸。所以可以說(shuō)，并非所有45nm都是相同的，某些公司的尺寸定義可能更為寬松。不過這套通用的命名法反映的是每一代大約比上一代減少0.7×的尺寸，只是常常選用整十或者整五的數(shù)字來(lái)近似地表示而已。

　　記者：我們能從ITRS公布的路線圖看的最遠(yuǎn)的就是2022年的11nm工藝。請(qǐng)問這是摩爾定律速度上的拐點(diǎn)，還是半導(dǎo)體工藝的極限？

　　馬博：或許我們能預(yù)見到未來(lái)兩代技術(shù)的情況，但如果再遠(yuǎn)一些，就很難斷言何種技術(shù)是可以實(shí)現(xiàn)的。我希望今后幾年內(nèi)我們能預(yù)見到11nm一代以及之后的情形，但目前來(lái)說(shuō)，如何才能實(shí)現(xiàn)11nm甚至更先進(jìn)的技術(shù)還很不明朗。

　　來(lái)自極限的挑戰(zhàn)

　　記者：你會(huì)如何回答“挑戰(zhàn)與機(jī)會(huì)：未來(lái)五十年的半導(dǎo)體技術(shù)”這個(gè)問題？

　　馬博：挑戰(zhàn)之一是我們終將達(dá)到電子的尺度。問題是我們是否仍將采用基于電子的電路，還是采用非基于電子的器件，例如自旋電子學(xué)，這是擺在我們面前的一個(gè)主要問題。另一大挑戰(zhàn)是，當(dāng)芯片集成了數(shù)十億個(gè)晶體管時(shí)，如何在功耗有限的情況下運(yùn)行如此之多的晶體管。

　　記者：錢成不成問題？

　　馬博：好的產(chǎn)品總能找到足夠的資金。

　　記者：量子效應(yīng)、光刻技術(shù)、電子級(jí)硅材料純度、制造工藝一致性、超純?cè)噭┑榷紤?yīng)該是影響摩爾定律的因素。請(qǐng)問最終是哪個(gè)因素阻礙了半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，還是說(shuō)上述諸多因素綜合影響的結(jié)果？

　　馬博：我不認(rèn)為任何個(gè)別因素會(huì)單獨(dú)起制約作用。我認(rèn)為是多種因素的結(jié)合將制約我們。

　　記者：哪個(gè)因素最重要？

　　馬博：這很難說(shuō)，因?yàn)槲覀兡壳斑€沒有達(dá)到極限。許多尺寸因素在十年前被認(rèn)為是極限，但事實(shí)證明，我們已繞過了這些“極限”。最近例子之一便是柵極氧化物，二氧化硅達(dá)到了極限，但我們卻找到了替代物高k材料。

　　記者：我們知道知識(shí)產(chǎn)權(quán)對(duì)半導(dǎo)體廠商至關(guān)重要。量子計(jì)算和生物計(jì)算與半導(dǎo)體技術(shù)相去甚遠(yuǎn)，那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入巨大財(cái)力和智力積累的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，豈不浪費(fèi)了？

　　馬博：半導(dǎo)體的知識(shí)產(chǎn)權(quán)本來(lái)就是有一定時(shí)效性的，專利最終會(huì)過期失效。我想半導(dǎo)體技術(shù)和其他替代技術(shù)之間的過渡期會(huì)延續(xù)許多年，所以我一點(diǎn)也不覺得投資于半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)是一種浪費(fèi)。將來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)可能得到其他技術(shù)的強(qiáng)化，或者作為其他技術(shù)的補(bǔ)充，但我相信，半導(dǎo)體技術(shù)將始終是計(jì)算解決方案的一部分。