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國內(nèi)TD前景看好3G芯片市場重新洗牌

作者: 時(shí)間:2008-02-03 來源:中國電子報(bào) 收藏

  當(dāng)人們憧憬著3G夢實(shí)現(xiàn)的時(shí)候,3G芯片供應(yīng)商加緊了自己的技術(shù)研發(fā)和市場拓展。與通信終端廠商尤其是通信巨頭如諾基亞、三星等的合作是無線通訊芯片設(shè)計(jì)商搶占市場份額的重要途徑。在中國,TD-SCDMA相應(yīng)的技術(shù)在去年得到了迅猛的發(fā)展,無論是TD芯片的穩(wěn)定性還是數(shù)據(jù)傳輸速率都達(dá)到了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),有的技術(shù)還處于國際領(lǐng)先地位。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/78641.htm

  牽手國際通信巨頭 搶灘EDGA、W-CDMA

  據(jù)iSuppli的市場調(diào)查,高通已經(jīng)取代TI成為WCDMA基帶芯片的老大,這與2007年全球Top5手機(jī)廠商的WCDMA芯片供應(yīng)鏈發(fā)生很大的變化不無關(guān)系,特別是諾基亞。諾基亞與多家芯片商的合作,醞釀著無線半導(dǎo)體廠商新格局的變化。

  長期以來,TI為諾基亞定制芯片。但是,在3G芯片上,由于諾基亞主導(dǎo)了WCDMA芯片的設(shè)計(jì),TI不能將這些芯片賣給第三方廠商,也就不能進(jìn)入商用化市場,這樣TI成了它實(shí)際意義上的代工廠。好不容易TI進(jìn)入了摩托羅拉手機(jī)WCDMA芯片供應(yīng)商行列,但不巧遇到了摩托羅拉今天業(yè)績的大滑坡,真是“屋漏偏逢連陰雨”。

  再看高通,三星的WCDMA手機(jī)幾乎全部采用高通的芯片,而三星已經(jīng)趕超摩托羅拉位居WCDMA全球第二的位置。高通另一個(gè)成功的策略是大力培養(yǎng)二線手機(jī)廠商,包括國內(nèi)的華為、中興、夏新和聯(lián)想等?,F(xiàn)在華為已成為全球最大的WCDMA數(shù)據(jù)卡廠商,中興的WCDMA手機(jī)出貨量也已過百萬,未來高通仍然是一家獨(dú)大。

  ST(意法半導(dǎo)體)專注于3GPP 和LTE解決方案。ST專用產(chǎn)品部副總裁兼無線多媒體事業(yè)部總經(jīng)理Monica向記者表示,第一代商用芯片將會(huì)是3GPP Release 7,多模(GSM/Edge)多頻帶芯片;電源管理芯片采用的是45nm工藝的CMOS技術(shù),專用混模信號處理;ST多年來在RF-CMOS技術(shù)領(lǐng)域卓有成效的研究,已取得突破性進(jìn)展,不久便會(huì)推出相應(yīng)的產(chǎn)品。2007年8月,ST與諾基亞達(dá)成協(xié)議,前者將有權(quán)設(shè)計(jì)制造基于諾基亞的調(diào)制解調(diào)器技術(shù)的3G芯片組、電源管理芯片和射頻技術(shù),為諾基亞和開放市場提供完整的解決方案。有了諾基亞這個(gè)大客戶,ST前途可觀。

  NXP(恩智浦)在2007年錯(cuò)失了與諾基亞首輪合作的良機(jī)后,不久收購了具有先進(jìn)RF CMOS技術(shù)的Silicon Labs公司無線業(yè)務(wù),從而獲得了該技術(shù)。在EDGE上NXP有非常強(qiáng)的優(yōu)勢,他們在TD-SCDMA與EDGE之間的自動(dòng)切換和TD HSDPA上已經(jīng)領(lǐng)先。目前他們在TD HSDPA上擁有市場上唯一演示速率達(dá)到2.8 Mbps性能的產(chǎn)品。憑借其在EDGE和RF CMOS的領(lǐng)先技術(shù),NXP已經(jīng)具備了為一級客戶提供方案的能力,相信NXP會(huì)跟更多的客戶“聯(lián)姻”。

  2007年8月,博通的單芯片手機(jī)基帶處理器以及配套的電源管理器件被諾基亞選中,用于其未來部分EDGE手機(jī)的設(shè)計(jì)。博通公司已進(jìn)入了LG的WCDMA芯片供應(yīng)商隊(duì)列。10月,博通公司與三星在蜂窩技術(shù)領(lǐng)域合作,兩款三星手機(jī)采用了博通先進(jìn)的3G手機(jī)平臺(tái)解決方案,芯片正是博通的EDGE基帶處理器WCDMA協(xié)處理器。敢從高通的“老虎嘴里拔牙”,足見博通在EDGE、WCDMA的雄心壯志,期待2008年博通的表現(xiàn)。

  英飛凌提供通信IC產(chǎn)品已逾15年,客戶包括移動(dòng)電話市場上所有的大型廠商,如諾基亞、三星、摩托羅拉和索尼愛立信等。他們的優(yōu)勢在于RF-CMOS收發(fā)器,據(jù)悉2008年將重點(diǎn)做TD的RF-CMOS器件,采用65nmCMOS工藝。



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