英飛凌已經(jīng)向英特爾提供DDR3內(nèi)存原型芯片

    內(nèi)存大廠Infineon已經(jīng)向Intel提供可以工作的DDR3原型芯片，但是對于容量等細節(jié)Infineon守口如瓶。
 
    一位Infineon發(fā)言人在本周一表示公司已經(jīng)開始向Intel提供DDR3芯片，但是他沒有透漏內(nèi)存容量，只是說該芯片并不完全滿足JEDEC要求。同時他確認Infineon將在2006年下半年開始大批出樣DDR3。但是全面量產(chǎn)估計要到2006年底。DDR3芯片剛開始出樣時將采用90nm工藝，之后將轉向70nm工藝。

    此前，在今年2月，三星電子已經(jīng)宣布開發(fā)出512Mbit，800MHz時鐘的DDR3芯片原型，2006年量產(chǎn)。

    大致來說，DDR3比DDR2時鐘更高，電壓和功耗更低。