英特爾嚇退英飛凌 加劇NOR閃存市場的競爭
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近幾個月來,全球NOR型閃存市場競爭過度導致產品價格慘跌,除有部分廠商錯誤估計市場供需情況的原因外,還有英特爾回歸低容量NOR型閃存市場帶來的沖擊作用,其他廠商不得不殺價應對,與英特爾硬拼,以避免市場占有率被搶,但這卻造成NOR型閃存價格幾近崩盤狀態(tài)。
Infineon德國總部發(fā)言人日前證實,盡管公司擁有Twin Flash技術,具備制造NOR型閃存的能力,而且已完成產品原型(prototype)設計,但就現(xiàn)階段全球NOR型閃存市場的狀況來看,現(xiàn)在進入這一市場并沒有任何好處,因此Infineon決定暫不進入NOR型Flash市場,未來將積極轉向NAND型閃存市場。
我國臺灣DRAM制造商們表示,由于NOR型閃存市場現(xiàn)在已慘不忍睹,供貨商們紛紛停止擴充產能,甚至降低整體產出量,到目前為止,NOR型閃存相關IDM或IC設計廠商已經傷痕累累,這促使Infineon對NOR型閃存市場態(tài)度轉趨保守。
DRAM制造商們指出,就整體閃存市場未來成長性來看,NAND型產品確實比NOR型產品更有前景,尤其是在手機上,未來高容量的閃存需求將主要來自NAND型閃存,因此廠商與其花費心力在已近末路的NOR型閃存上,還不如將所有資源投在NAND型閃存上,可能有更大的獲益。
此外,DRAM制造商們也認為,Infineon暫緩投入NOR型閃存市場,對該市場也有“冷卻”的正面效果。
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