英特爾芯片技術(shù)40年來(lái)大突破 漏電量將銳減

　　6月13日消息，英特爾的基本晶體管設(shè)計(jì)取得了一項(xiàng)巨大的進(jìn)步。英特爾披露稱(chēng)，它正在使用兩種全新的材料制作45納米晶體管的絕緣層和開(kāi)關(guān)柵。

　　據(jù)chinapost.com.tw網(wǎng)站報(bào)道，英特爾下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多內(nèi)核處理器將使用數(shù)億個(gè)這種微型晶體管。英特爾稱(chēng)，它有5個(gè)早期版本的產(chǎn)品正在運(yùn)行。這是英特爾計(jì)劃生產(chǎn)的15個(gè)45納米處理器中的第一個(gè)。

　　這種晶體管能夠讓英特爾繼續(xù)提供創(chuàng)紀(jì)錄的臺(tái)式電腦、筆記本電腦和服務(wù)器處理器的速度，同時(shí)減少晶體管的漏電量。晶體管漏電影響到芯片和PC設(shè)計(jì)、尺寸、耗電量、噪聲和成本。這個(gè)技術(shù)還將保證摩爾定律在下一個(gè)10年仍然發(fā)揮作用。

　　英特爾認(rèn)為，通過(guò)推出可以工作的代號(hào)為“Penryn”的45納米處理器，英特爾已經(jīng)把它領(lǐng)先于半導(dǎo)體行業(yè)其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大到了一年以上。

　　英特爾是第一個(gè)在45納米技術(shù)中采用創(chuàng)新方法把新材料結(jié)合在一起的公司。這些新材料將顯著減少晶體管的漏電量和提高性能。英特爾將使用一種屬性稱(chēng)作“high-k”的新材料制作晶體管柵絕緣體，用一種新的金屬材料組合制作晶體管柵電極。

　　英特爾共同創(chuàng)始人Gordon Moore說(shuō)，采用“high-k”和金屬材料標(biāo)志著自從60年代末推出多晶硅柵MOS晶體管以來(lái)晶體管技術(shù)的一個(gè)最大的變化。

　　英特爾高級(jí)研究員Mark Bohr說(shuō)，在45納米工藝技術(shù)中采用“high-k”和金屬柵晶體管將使英特爾能夠提供速度更快、更節(jié)能多內(nèi)核產(chǎn)品，把摩爾定律延續(xù)到下一個(gè)10年。