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微波暗箱反射率電平分析與測(cè)量 2

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作者: 時(shí)間:2007-06-12 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  圖(3)、圖(4)分別表示了自由空間的入射、反射波構(gòu)成的駐波和駐波曲線。顯然該方法的實(shí)際物理意義是:在理想狀態(tài)下,暗箱內(nèi)只存在直射波,而投射到吸收材料上的電磁波能量絕大部分被吸收掉了,但當(dāng)有一定的雜散波存在(如反射波、繞射波、散射波等),這些相干波束在極化相同的條件下,當(dāng)兩波間相位相差2nπ(n=1,2,3)時(shí),就形成波峰,而相位差為2(n+1)π的地方,兩波相抵消或部分相抵消形成波節(jié),在圓柱形暗箱內(nèi)出現(xiàn)許多波峰、波節(jié)而形成場(chǎng)結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜的空間駐波分布。因此,在靜區(qū)范圍內(nèi)反射率電平要比其它空間內(nèi)的反射率電平小很多。

5 確定小圓柱形暗箱反射率電平的主要方法

 ?。?) 測(cè)量接收天線的方向圖,在所需要的方位角φ上標(biāo)出相應(yīng)的方向圖電平A1(dB)。

 ?。?) 將天線最大輻射方向指向φ角,橫向移動(dòng)天線并記錄此時(shí)的空間干涉波曲線,如圖(5)所示:

 ?。?) 描繪駐波曲線的包絡(luò),由包絡(luò)線的極大極小值求出Δab,并求出它的平均電平A1(dB),若ED>ER,A1(dB)就是接收天線的方向圖電平。如圖(6):

 ?。?) 在不同的角上,重復(fù)(2)、(3)步驟,就能求出一系列空間駐波曲線,再由駐波曲線的包絡(luò)來(lái)求出Δab值,在ED>ER的情況下,由式(8)就能求出不同方向上的反射率電平。如果ED>ER,則需按下式計(jì)算反射率電平:

  由于ED隨天線的移動(dòng)有規(guī)律的變化,ER無(wú)規(guī)律的變化,在某取向角,如果實(shí)測(cè)空間駐波曲線的平均值出現(xiàn)無(wú)規(guī)律變化時(shí),就能判定ER>ED,或者在這個(gè)取向角上,假定駐波曲線的平均電平比在這個(gè)取向角上方向圖的電平高,也能判定ER>ED。

6 建立小圓柱型暗箱的測(cè)試系統(tǒng)與測(cè)試步驟

  (1)測(cè)試裝置的建立

  暗箱反射率電平的測(cè)試系統(tǒng)主要由發(fā)射信號(hào)源(69347B)、接收機(jī)(MS2667C頻譜分析儀)、計(jì)算機(jī)及接收天線和測(cè)試支架組成,見框圖(7)。其中信號(hào)源為發(fā)射天線輸出一個(gè)微波直射信號(hào),由頻譜分析儀接收來(lái)自各方向的反射及直射信號(hào),并由計(jì)算機(jī)讀出后描繪出一個(gè)空間駐波曲線,并計(jì)算出反射率電平。天線支架用來(lái)控制測(cè)試天線的上下、左右直線移動(dòng)及轉(zhuǎn)角姿態(tài)的變化動(dòng)作。為了能比較準(zhǔn)確地描繪出空間行程駐波曲線,天線移動(dòng)的行程距離必須大于等于兩個(gè)波長(zhǎng)。最后通過(guò)改變接收天線取向角以獲得若干條駐波曲線,從而達(dá)到測(cè)試小圓柱型微波暗箱反射率電平的目的。

 ?。?)測(cè)試過(guò)程

  依據(jù)"VSWR"法的特點(diǎn),我們將接收天線安裝在測(cè)試支架上,使天線處于暗箱中心軸線上,并距離后壁尖劈為15cm處,分別改變天線與中心軸的夾角來(lái)進(jìn)行反射率電平的測(cè)試。

 ?。?)天線測(cè)試狀態(tài)的確定

  這里我們僅選擇垂直極化狀態(tài)進(jìn)行測(cè)試,其次考慮到被測(cè)箱體的限制,在測(cè)試位置上僅選取一點(diǎn),即接收天線距離后壁尖劈為15cm處,俯仰角為

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