廠商將協(xié)作開發(fā)和制造32納米半導體產(chǎn)品

IBM和其聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟伙伴英飛凌和飛思卡爾半導體以及Common Platform技術伙伴特許半導體和三星電子，簽署了一系列半導體工藝開發(fā)和制造協(xié)議，以期在未來繼續(xù)保持技術領先地位。

上述公司簽署的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議包括32納米CMOS（互補性氧化金屬半導體）工藝技術及支持該技術的工藝設計套件（PDK）。在之前90納米、65納米和45納米工藝聯(lián)合開發(fā)和制造協(xié)議大獲成功的基礎上，聯(lián)盟伙伴將能夠生產(chǎn)出高性能、低功耗的32納米芯片。

聯(lián)盟伙伴計劃將各自的專業(yè)技術匯聚起來，在設計、開發(fā)和制造技術方面進行協(xié)作，協(xié)作將一直持續(xù)到2010年。這些技術作為廣泛系統(tǒng)的領先平臺——從下一代手持設備到世界上性能最強的超級計算機，可被五家聯(lián)盟伙伴和其他公司用來解決諸如醫(yī)藥、通訊、交通和安全等領域的現(xiàn)實問題。

協(xié)作創(chuàng)新是保持領先的關鍵所在

“IBM仍然相信，不管是現(xiàn)在還是未來，在一個開放的合作伙伴體系中開展協(xié)作創(chuàng)新，是保持技術領先地位的關鍵所在，”IBM全球工程解決方案部半導體解決方案總經(jīng)理Michael Cadigan說，“今天發(fā)布的新聞驗證了滿足客戶領先技術要求的戰(zhàn)略。隨著我們的協(xié)議擴展至32納米技術——包括我們對已開展逾十年之久的聯(lián)合開發(fā)模式進行補充的研究和制造，IBM正與其聯(lián)盟伙伴密切合作，推出能顯著改變我們生活、工作和娛樂方式的前沿技術。”

“英飛凌繼續(xù)奉行與聯(lián)盟伙伴聯(lián)手開發(fā)和投產(chǎn)最先進技術的成功戰(zhàn)略，”英飛凌基礎技術和服務部門高級副總裁Franz Neppl博士說，“聯(lián)合開發(fā)的技術，加上英飛凌的應用和產(chǎn)品設計能力，將使得英飛凌能夠為其通信和汽車/工業(yè)領域的核心客戶提供經(jīng)濟合算的硅芯片解決方案和制造能力。”

“32納米技術將遭遇材料和器件結構方面新的重大挑戰(zhàn)，”三星電子系統(tǒng)LSI部ASIC/晶圓業(yè)務執(zhí)行副總裁KP Suh說，“我們期望和擁有業(yè)內(nèi)眾多領先技術的伙伴一起努力，推出突破性技術?！?

作為Common Platform技術制造廠商的IBM、特許半導體和三星將能夠利用聯(lián)合開發(fā)出的32納米工藝技術和設計套件，使它們的制造工廠保持同步。這有助于它們在為各自的高產(chǎn)OEM客戶靈活生產(chǎn)幾近相同的芯片，這些OEM客戶要求采用多方外包模式并希望盡早獲得工藝技術。

五家公司在聯(lián)手推出業(yè)內(nèi)領先的、用于高性能低待機功耗產(chǎn)品的技術時，將：

在保持出色性能的同時，專注于降低成本和復雜性；在后端工序（BEOL）應用新材料，如高介電常數(shù)金屬柵極(high-k/metal gate)、先進的應力工程材料，以及超低介電常數(shù)薄膜；應用尖端的浸沒式光刻技術，使密度和芯片尺寸具有競爭力；致力于為數(shù)字通信市場提供優(yōu)秀的模擬產(chǎn)品；為RF CMOS和嵌入式DRAM等衍生技術提供平臺。

此外，通過在制造平臺伙伴采用共同的制造電氣規(guī)格，有助于技術在各伙伴的工廠之間輕松轉(zhuǎn)移。

“業(yè)界已經(jīng)認識到協(xié)作模式在提供高性能及高性價比產(chǎn)品解決方案方面的價值和重要性，”特許半導體技術開發(fā)部門高級副總裁Liang-Choo Hsia說，“在合作模式的第四階段，每個公司將提供獨有的能力和專長，開發(fā)以客戶為中心的產(chǎn)品。我們之間的協(xié)作已經(jīng)成為為客戶提供世界級的靈活外包解決方案的平臺。”

與之前聯(lián)合開發(fā)行動一樣，32納米工藝合作將包括聯(lián)合開發(fā)一個套件（enablement package）。這個套件可支持大多數(shù)通用設計工具，從而允許客戶在具體產(chǎn)品上應用32納米技術時，能夠發(fā)揮該先進技術的全部潛力。

與前幾個階段一樣，32納米工藝開發(fā)活動將在IBM設在紐約州East Fishkill的300毫米尖端晶圓廠進行。飛思卡爾半導體于1月23日宣布加入聯(lián)盟。