基于DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在 溫度變化時保持恒定的靜態(tài)電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。這篇應用筆記對采用DS4303實現模擬偏置方案進行了說明。

DS4303概述

DS4303 (圖1)是采樣和無限保持電壓基準，可接受模擬輸入電壓并利用一個12位數/模轉換器(DAC)在其輸出端恢復該電壓。一旦輸出端恢復了輸入電壓，芯片將 輸出編碼保存至EEPROM，產生非易失模擬基準電壓。輸出電壓由內部低溫度系數的基準產生，并通過滿擺幅運放進行緩沖。

圖1. DS4303功能框圖

DS4303 LDMOS偏置電路

圖 2所示電路可用于對LDMOS的柵極電壓進行溫度補償。該電路的輸出電壓等于DS4303的VOUT乘以2再加上PNP的VBE。經過兩倍壓后的 DS4303電壓是具有低溫度系數的電壓源。PNP管VBE的溫度系數大約為+2mV/°C，為LDMOS提供溫度補償。假定PNP管與LDMOS具有良 好的導熱通道，則該電路可以為LDMOS提供良好的溫度補償。 為對該電路進行較準，將所要求的DS4303輸出電壓接至VIN引腳，并調節(jié)信號拉低以觸發(fā)DS4303更新輸出電壓。一旦DS4303完成更新，采用電 流檢測放大器測量靜態(tài)電流；并重復該過程，直到達到合適的偏置電壓。必須保持連接到DS4303的輸入穩(wěn)定，以保證其輸出電壓達到正確數值。

圖2. DS4303 LDMOS

RF功放偏置電路

DS4303 偏置電路與DS1870方案的比較 DS4303模擬電路解決方案的主要優(yōu)勢是簡便、成本低。如果該電路靠近LDMOS放置，PNP管與LDMOS之間良好的導熱通道可以使柵極電壓隨著溫度 正確變化。相對于查找表來說，該解決方案的另一優(yōu)點是易于編程，因為編程針對的是單個溫度偏置點。該方案在初始化編程完成后為全模擬方式，所以一旦系統校 準完畢，更新查找表不會造成輸出瞬變。

DS1870提供的方案可以實現靈活的校準過程，可針對不同應用進行定制。該芯片能夠根據溫度和漏極 電壓對LDMOS柵極電壓進行偏置。可根據需要提供非線性或線性增益補償。因為DS1870具有不同增益，即使芯片與LDMOS之間沒有很好的導熱通道， 也可以進行有效的溫度補償。與其它混合信號LDMOS偏置電路不同，DS1870可由工廠編程，作為獨立的偏置電路工作。通過I²C兼容的串行總線訪問芯 片內部的5路ADC，監(jiān)控系統的運行狀態(tài)；此外，還可以根據需要設置監(jiān)控參數，產生報警信號，用來驅動處理器中斷或關閉放大器。有關DS1870的詳細資 料，可從Maxim網站下載。