正確選擇數(shù)字隔離器的三要素

多年來，工業(yè)、醫(yī)療和其他隔離系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)安全隔離的手段有限，唯一合理的選擇是光耦合器。如今，數(shù)字隔離器在性能、尺寸、成本、效率和集成度方面均有優(yōu)勢(shì)。了解數(shù)字隔離器三個(gè)關(guān)鍵要素的特點(diǎn)及其相互關(guān)系，對(duì)于正確選擇數(shù)字隔離器十分重要。這三個(gè)要素是：絕緣材料、結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)傳輸方法。

設(shè)計(jì)人員之所以引入隔離，是為了滿足安全法規(guī)或者降低接地環(huán)路的噪聲等。電流隔離確保數(shù)據(jù)傳輸不是通過電氣連接或泄漏路徑，從而避免安全風(fēng)險(xiǎn)。然而，隔離會(huì)帶來延遲、功耗、成本和尺寸等方面的限制。數(shù)字隔離器的目標(biāo)是在盡可能減小不利影響的同時(shí)滿足安全要求。

傳統(tǒng)隔離器——光耦合器則會(huì)帶來非常大的不利影響。它們的功耗極高，而且數(shù)據(jù)速率低于1 Mbps.雖然存在更高效率和更高速度的光耦合器，但其成本也更高。

數(shù)字隔離器問世于10多年前，目的是降低光耦合器相關(guān)的不利影響。數(shù)字隔離器采用基于CMOS的電路，能夠顯著節(jié)省成本和功耗，同時(shí)大大提高數(shù)據(jù)速率。數(shù)字隔離器由上述要素界定。絕緣材料決定其固有的隔離能力，所選材料必須符合安全標(biāo)準(zhǔn)。結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)傳輸方法的選擇應(yīng)以克服上述不利影響為目的。所有三個(gè)要素必須互相配合以平衡設(shè)計(jì)目標(biāo)，但有一個(gè)目標(biāo)必須不折不扣地實(shí)現(xiàn)，那就是符合安全法規(guī)。

絕緣材料

數(shù)字隔離器采用晶圓CMOS工藝制造，僅限于常用的晶圓材料。非標(biāo)準(zhǔn)材料會(huì)使生產(chǎn)復(fù)雜化，導(dǎo)致可制造性變差且成本提高。常用的絕緣材料包括聚合物（如聚酰亞胺PI，它可以旋涂成薄膜）和二氧化硅（SiO2）。二者均具有眾所周知的絕緣特性，并且已經(jīng)在標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝中使用多年。聚合物是許多光耦合器的基礎(chǔ)，作為高壓絕緣體具有悠久的歷史。

安全標(biāo)準(zhǔn)通常規(guī)定1分鐘耐壓額定值（典型值2.5kVrms至5kVrms）和工作電壓（典型值125Vrms至400 V rms）。某些標(biāo)準(zhǔn)也會(huì)規(guī)定更短的持續(xù)時(shí)間、更高的電壓（如10 kV峰值并持續(xù)50μs）作為增強(qiáng)絕緣認(rèn)證的一部分要求?；诰酆衔?聚酰亞胺的隔離器可提供最佳的隔離特性，如表1所示。


表1：隔離特性

基于聚酰亞胺的數(shù)字隔離器與光耦合器相似，在典型工作電壓時(shí)壽命更長(zhǎng)?；赟iO2的隔離器對(duì)浪涌的防護(hù)能力相對(duì)較弱，不能用于醫(yī)療和其他應(yīng)用。

各種薄膜的固有應(yīng)力也不相同。聚酰亞胺薄膜的應(yīng)力低于SiO2薄膜，可以根據(jù)需要增加厚度。SiO2薄膜的厚度有限，因而隔離能力也會(huì)受限；超過15μm時(shí)，應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致晶圓在加工過程中開裂，或者在使用期間分層?；诰埘啺返臄?shù)字隔離器可以使用厚達(dá)26μm的隔離層。

隔離器結(jié)構(gòu)

數(shù)字隔離器使用變壓器或電容將數(shù)據(jù)以磁性方式或容性方式耦合到隔離柵的另一端，光耦合器則是使用LED發(fā)出的光。

如圖1所示，變壓器電流脈沖通過一個(gè)線圈，形成一個(gè)很小的局部磁場(chǎng)，從而在另一個(gè)線圈生成感應(yīng)電流。電流脈沖很短（1ns），因此平均電流很低。


圖1. （a）帶厚聚酰亞胺絕緣層的互感器，電流脈沖產(chǎn)生磁場(chǎng)，在另一個(gè)線圈中感生電流；（b）帶薄SiO2絕緣層的電容，利用低電流電場(chǎng)將數(shù)據(jù)耦合到隔離柵的另一端。

互感器采用差分連接，提供高達(dá)100kV/μs的出色共模瞬變抗擾度（光耦合器通常約為15kV/μs）。磁性耦合對(duì)變壓器線圈間距離的敏感性也弱于容性耦合對(duì)板間距離的依賴性，因此，變壓器線圈之間的絕緣層可以更厚，從而獲得更高的隔離能力。結(jié)合聚酰亞胺薄膜的低應(yīng)力特性，使用聚酰亞胺的變壓器比使用SiO2的電容更容易實(shí)現(xiàn)高級(jí)隔離性能。

電容為單端連接，更容易受共模瞬變影響。雖然可以用差分電容對(duì)來彌補(bǔ)，但這會(huì)增大尺寸并提高成本。

除整體性能外，使用該變壓器還有其他好處：它們支持集成隔離電源。ADI的isoPower技術(shù)集成帶數(shù)據(jù)隔離功能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器，可創(chuàng)建完整的隔離解決方案。畢竟，變壓器是隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵元件?；陔娙莼蚧贚ED的隔離器無法實(shí)現(xiàn)這類解決方案。