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基于UC1845的多路輸出雙管反激開(kāi)關(guān)電源方案

作者: 時(shí)間:2014-05-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://2s4d.com/article/258355.htm

引言

隨著器件、工藝水平的飛速發(fā)展,開(kāi)關(guān)型功率變換器已發(fā)展成高效、輕型的直流電源,空間飛行器(星、箭、船等)DC/DC變換器(又稱二次電源)也采用該項(xiàng)技術(shù)。

主要原因是衛(wèi)星電子設(shè)備對(duì)電源的效率、重量、體積和可靠性的要求越來(lái)越高,而傳統(tǒng)的線性電源方案幾乎無(wú)法滿足飛行器系統(tǒng)的需要。在各種類型的DC/DC變換器中,PWM型DC/DC變換器因結(jié)構(gòu)種類多,技術(shù)領(lǐng)先,便于實(shí)現(xiàn),已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。

在航天應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)關(guān)電源的多種拓?fù)渲?,可用?00V高壓母線輸入多路輸出的開(kāi)關(guān)電源,大多數(shù)采用的是兩級(jí)式變換器,如Buck+推挽兩級(jí)式變換器,先通過(guò)Buck電路將母線電壓降壓,這樣母線電壓要經(jīng)過(guò)二次調(diào)整,使電壓調(diào)整率降低;再?gòu)钠骷?shù)量上來(lái)說(shuō),兩級(jí)拓?fù)?,功率開(kāi)關(guān)管至少需要3個(gè),電源體積大且功率密度低,從整體分析不是很理想;而對(duì)于可以承受高壓輸入的雙管正激開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,但其不適合用于多路輸出的場(chǎng)合,輸出交叉調(diào)整率較低,穩(wěn)定度差;適合用于中小功率多路輸出DC-DC變換器的電路拓?fù)溥€有是單管反激電路,其電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,但在高輸入電壓場(chǎng)合中單管反激電路主開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力非常高,選用200V耐壓的MOSFET管根本無(wú)法滿足Ⅰ級(jí)降額的要求,如果選用更高耐壓的MOSFET管,由于其導(dǎo)通電阻更高,勢(shì)必影響電源的轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)還可能帶來(lái)真空環(huán)境下的低氣壓放電問(wèn)題。

因此為了克服以上所提到的問(wèn)題,本文設(shè)計(jì)了一種星上用基于的多路輸出雙管,很適合應(yīng)用于高壓100V母線輸入、多路輸出場(chǎng)合。對(duì)于雙管,首先,其電路拓?fù)浜?jiǎn)單,輸入輸出電氣隔離升/降壓范圍廣,具有輸出多路負(fù)載自動(dòng)均衡等優(yōu)點(diǎn);其次,由于航天電源對(duì)可靠性的要求,所有器件必須滿足一級(jí)降額標(biāo)準(zhǔn),在雙管反激變換電路中,當(dāng)功率管關(guān)斷時(shí),變壓器漏感電流可通過(guò)續(xù)流二極管反饋給電源同時(shí)將開(kāi)關(guān)管兩端的電壓箝位在電源電壓,因此功率管所承受的電壓應(yīng)力和輸入電壓相等,使選管的范圍擴(kuò)大,可靠性提高;再次,雙管電路漏感能量可以回饋到輸入側(cè),無(wú)須增加任何吸收電路,因而轉(zhuǎn)換效率也比單管反激電路高。因此將其運(yùn)用于航天器高壓輸入多路輸出場(chǎng)合,優(yōu)勢(shì)很大,具有實(shí)際的工程應(yīng)用價(jià)值。

1、系統(tǒng)設(shè)計(jì)圖

系統(tǒng)設(shè)計(jì)框圖如圖1所示。


圖1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)框圖

2、雙管反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

雙管反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖2所示。


圖2 雙管反激變換器的主拓?fù)?br />
如圖2所示,VT1和VT2分別串接于變壓器的頂端和底端。兩個(gè)開(kāi)關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通和關(guān)斷,當(dāng)它們導(dǎo)通時(shí),所有初級(jí)和次級(jí)的同名端為正,此時(shí)次級(jí)VD3反偏,次級(jí)無(wú)電流流通,初級(jí)繞組儲(chǔ)存能量;當(dāng)它們關(guān)斷時(shí),存儲(chǔ)于勵(lì)磁電感上的電流使所有繞組電壓極性反向,VD3正偏,勵(lì)磁電感中儲(chǔ)存的能量被傳輸?shù)截?fù)載,而此時(shí)LP同名端電位被二極管VD2鉗位至地,LP異名端電位被二極管VD1鉗位至電源電壓U1.所以,VT1的源極電壓不會(huì)超過(guò)U1,VT2的漏極電壓也不會(huì)超過(guò)U1.漏感尖峰被鉗位,使任一開(kāi)關(guān)管的最大電壓應(yīng)力都不會(huì)超過(guò)最大直流輸入電壓。

雙管反激變換器還有一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)是沒(méi)有漏感能量消耗。開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),存儲(chǔ)于漏感中的所有能量不是消耗于電阻元件或功率開(kāi)關(guān)管內(nèi),而是在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)通過(guò)VT1和VT2回饋給U1.漏感電流從LP的異名端流出,經(jīng)VD1流入U(xiǎn)1的正極,然后從其負(fù)極流出,經(jīng)VD2返回LP的同名端,使漏感能量能回饋到輸入側(cè),提高了整機(jī)的轉(zhuǎn)換效率。

在航天電源中,對(duì)于高壓100V母線輸入電源,雙管反激開(kāi)關(guān)電源便顯示出極大的優(yōu)勢(shì)。

3、控制電路

是由TexasInstruments公司生產(chǎn)的電流控制型PWM控制器,該芯片電路開(kāi)關(guān)頻率可調(diào)節(jié),具有電流反饋和電壓反饋雙環(huán)控制的特點(diǎn),電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率高。其內(nèi)部功能模塊框圖如圖3所示。圖3中,UC1845主要包括:

5.0V基準(zhǔn)電壓源,高增益的誤差放大器,電流比較器,RS觸發(fā)器和欠壓鎖定電源電路。具有8腳封裝的UC1845芯片各引腳功能如下:腳l為誤差放大器輸出,用于環(huán)路補(bǔ)償;腳2是誤差放大器的反相輸入,通常通過(guò)一個(gè)電阻分壓器連至開(kāi)關(guān)電源輸出,起電壓反饋?zhàn)饔?,調(diào)整輸出的占空比,從而穩(wěn)定輸出電壓;腳3為電流取樣引腳,脈寬調(diào)制器使用此信息終止輸出開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通,保護(hù)開(kāi)關(guān)管,避免過(guò)流損壞;腳4用于定時(shí),通過(guò)時(shí)間電阻RT,連接至參考輸出引腳8以及時(shí)間電容CT連接至地,使振蕩器頻率和最大輸出占空比可調(diào),振蕩頻率為f=1.72(RTCT);腳5是控制電路和電源的公共地;腳6是輸出驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)管的方波引腳。為圖騰柱式輸出,可直接驅(qū)動(dòng)功率管MOSFET的柵極;腳7是控制集成電路的正電源(VCC)啟動(dòng)電壓為8.4V,最大輸出電流可以達(dá)到1A,適合驅(qū)動(dòng)MOSFET以及適用于中小功率的DC/DC開(kāi)關(guān)電源;腳8是內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)生5.0V基準(zhǔn)電壓,作為UC1845內(nèi)部電源,經(jīng)衰減得2.5V電壓作為比較放大器基準(zhǔn),并可作為向外電路輸出5V/50mA的電源。UC1845還包括過(guò)壓、欠壓保護(hù)電路,當(dāng)供電電源電壓低于7.6V時(shí),芯片停止工作。

UC1845具有很高的工作溫度范圍,可以在-65~150℃的范圍內(nèi)穩(wěn)定的工作,可滿足航天應(yīng)用。

4、主體電路設(shè)計(jì)

主體電路以雙管反激電路為總的系統(tǒng)框架,用UC1845芯片和相應(yīng)的外圍電路構(gòu)成PWM控制器,反饋電路采用了磁隔離反饋,通過(guò)一個(gè)反饋控制量實(shí)現(xiàn)多路輸出,在輸出端配合應(yīng)用低壓差三端穩(wěn)壓器,可以提高各路輸出負(fù)載穩(wěn)定度。

4.1反饋控制電路設(shè)計(jì)

在常用的隔離反饋技術(shù)中,航天方面選用磁反饋較光耦反饋要更為可靠和穩(wěn)定。相對(duì)于磁反饋而言,光耦反饋雖然更能達(dá)到所需的帶寬,且電路簡(jiǎn)單、元件少,但在高溫下光耦的傳輸比(CTR)會(huì)變小,會(huì)導(dǎo)致運(yùn)放飽和,使輸出電壓的反饋控制失效。磁反饋比光耦反饋壽命長(zhǎng),受溫度影響小。抗輻照能力強(qiáng),故在航天方面選用磁反饋較光耦反饋要更為可靠和穩(wěn)定。


圖3 UC1845內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

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