臺積電、創(chuàng)意攜手16納米制程報(bào)佳音

　　晶圓代工大廠臺積電耕耘16納米FinFET(16FF) 制程技術(shù)有突破!與臺積電合作緊密的IP供應(yīng)商創(chuàng)意表示，DDR4 IP已采用臺積電16納米FinFET(16FF)制程技術(shù)，且通過晶片驗(yàn)證，成為創(chuàng)意第一個采用臺積電16納米FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的IP供應(yīng)商。

　　創(chuàng)意日前已在2014年臺積電北美技術(shù)研討會(TSMC North America Technology Symposium)上接橥16納米DDR4 IP的研發(fā)成果，并讓此技術(shù)首度亮相。

　　創(chuàng)意指出，16納米DDR4的PHY IP運(yùn)作速度高達(dá)每秒3.2Gbps，比DDR3 IP高出50%，且同一速度下，功耗降低25%，展現(xiàn)臺積電16納米制程的優(yōu)勢。另外，在外部回路測試(external loopback)則達(dá)到3.5Gbps的高速，并且以2.7Gbps的高速成功讀寫2.4Gbps規(guī)格的DDR4 DRAM。

　　再者，此IP和DDR4 DRAM連接時，在同一速度下，相較于同一規(guī)格采用28納米制程生產(chǎn)的DDR3 IP，可降低40%的核心功耗，此測試晶片是采用日月光的覆晶封裝(FCBGA)技術(shù)，以及南電的增層覆晶載板(multi-layer build up substrate)，未來可應(yīng)用在各種高速網(wǎng)路架構(gòu)與伺服器上。