熒光燈驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

在照明應(yīng)用電子變換器實(shí)現(xiàn)中，成本制約因素驅(qū)動(dòng)著技術(shù)的選擇。除下文要介紹的創(chuàng)新的縱向智能功率(VIPower)解決方案外，市場(chǎng)上還存在另外兩種不同的經(jīng)典方法。

第一種方法是基于IC器件，與若干個(gè)外部無(wú)源器件一起，驅(qū)動(dòng)兩個(gè)高壓(通常高于400V)功率MOS晶體管，實(shí)現(xiàn)一個(gè)半橋變換器。

第二種方法基于兩個(gè)高壓雙極晶體管和大量的無(wú)源器件，但是只能實(shí)現(xiàn)前文提到的另外兩個(gè)解決方案集成的具體功能中的部分功能。雙極解決方案被用于成本極其低廉、性能中低的應(yīng)用中。

相對(duì)于經(jīng)典的方法，本文提出了一個(gè)創(chuàng)新的解決方案，它的成本具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，而且性能也可得到增強(qiáng)。

VK06TL采用意法半導(dǎo)體(ST)獨(dú)有的智能功率VIPower M3-3制造技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)允許在同一芯片上集成控制部分和功率級(jí)。功率級(jí)是一個(gè)“發(fā)射極開(kāi)關(guān)”，這個(gè)“發(fā)射極開(kāi)關(guān)”通過(guò)在一個(gè)共射-共基放大器結(jié)構(gòu)中放置一個(gè)雙極高壓達(dá)林頓晶體管和一個(gè)低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管制成的，因此，這個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了雙極器件的低壓降與斷態(tài)時(shí)高擊穿電壓之間的平衡，以及MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)速度快的特性。

由于在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，雙極晶體管級(jí)處于共基極模式，因此，從雙極晶體管的基極抽出貯存電荷的負(fù)基極電流基本上是集電極電流，因?yàn)檫@個(gè)原因，這個(gè)“發(fā)射極開(kāi)關(guān)”結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)很高的頻率(200kHz左右)。

這個(gè)特性使共射-共基放大器結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)性能比一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體高出很多，可與一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管媲美。因此，我們說(shuō)這個(gè)器件沒(méi)有電荷貯存效應(yīng)。這項(xiàng)技術(shù)的控制部分是采用BCD(雙極-互補(bǔ)MOS-雙擴(kuò)散MOS)單元庫(kù)實(shí)現(xiàn)的。

熒光燈鎮(zhèn)流器驅(qū)動(dòng)器

在VIPower M3-3技術(shù)基礎(chǔ)之上，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)熒光燈鎮(zhèn)流器專(zhuān)用的驅(qū)動(dòng)器(VK06TL)。這個(gè)器件采用兩種不同的封裝：SO-16表面組裝封裝和ST19通孔組裝封裝。

在圖1的變換器半橋中，VK06TL被指定用于上橋臂和下橋臂，因?yàn)椴捎脙蓚€(gè)VK06TL，幾乎無(wú)需外部器件，只用兩個(gè)二次繞組就可以導(dǎo)通一次側(cè)扼流圈，所以，設(shè)計(jì)一個(gè)效率極高而成本極低的熒光燈變換器是可行的。

圖1：M3-3 橫截面圖

這個(gè)變換器能夠恰當(dāng)?shù)毓芾硪粋€(gè)高端熒光燈應(yīng)用的全部必備的工作條件：?jiǎn)?dòng)、預(yù)熱頻率和時(shí)長(zhǎng)控制、點(diǎn)火和穩(wěn)態(tài)階段。這個(gè)半橋可以實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)(EOL：燈管壽命終止)、整流效應(yīng)保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)，從而創(chuàng)造一個(gè)全保護(hù)系統(tǒng)。如圖2：VK06TL的簡(jiǎn)化塊圖所示，我們考慮到了以下幾個(gè)因素：

圖2：VK06TL簡(jiǎn)化塊圖

功率級(jí)是由一個(gè)雙極高壓達(dá)林頓晶體管和一個(gè)低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的共射-共基放大器，這個(gè)解決方案實(shí)現(xiàn)了雙極器件的低壓降與斷態(tài)時(shí)高擊穿電壓之間的平衡，以及MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)速度快的特性。這個(gè)功率級(jí)由雙極晶體管的基極上的固定電流供電，并由柵極端子控制。在導(dǎo)通狀態(tài)(Vg > Vthreshold)，集電極電流可以通過(guò)MOS晶體管流向集電極，貯存階段開(kāi)始。

在這個(gè)階段，發(fā)射極電流不再流動(dòng)，而且集電極電流變成負(fù)基極電流。因?yàn)榘l(fā)射機(jī)開(kāi)關(guān)操作，貯存時(shí)長(zhǎng)降低到幾百納秒(無(wú)貯存效應(yīng))。一旦所有的基極電荷都被抽空，功率級(jí)就進(jìn)入斷態(tài)。由于貯存時(shí)間短，功率級(jí)能夠以高于標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管的頻率工作(最高500KHz)，同時(shí)還能維持一個(gè)很高的標(biāo)準(zhǔn)功率MOS無(wú)法達(dá)到的耐壓能力(最高1KV)，而且導(dǎo)通損耗極低。

控制級(jí)和功率級(jí)都是由Vcc引腳供電，Vcc引腳通過(guò)一個(gè)電阻電容(R-C)網(wǎng)絡(luò)與直流總線(xiàn)相連。在啟動(dòng)階段，電容通過(guò)一個(gè)高阻值的電阻器充電，因此，只需幾百微安。由于功率雙極晶體貯存基極電流是在通過(guò)‘Vcc充電網(wǎng)絡(luò)’連接Vcc引腳的電容上恢復(fù)的，因此，在工作階段，器件是自己給自己供電。

VK06TL這項(xiàng)特殊功能允許使用功耗更小的電阻器，而且上電橋臂電源無(wú)需充電泵。