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Alpha MOS在PFC應(yīng)用中的注意事項(xiàng)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

作者: 時(shí)間:2012-03-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
斷。控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)則要遠(yuǎn)離高壓高頻走線。由于芯片的地線往往遠(yuǎn)離MOS的源級(jí),因此只有在小功率的應(yīng)用中采用芯片直接驅(qū)動(dòng)。較大功率或干擾信號(hào)強(qiáng)的應(yīng)用還是建議帶有驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)的輔助驅(qū)動(dòng)電路。

3 Alpha MOS的并聯(lián)及PCB設(shè)計(jì)

對(duì)于MOS并聯(lián)的情況,首先驅(qū)動(dòng)電路要盡可能隔離。嚴(yán)禁直接將并聯(lián)MOS的驅(qū)動(dòng)端連在一起。由于MOS的漏極電感,結(jié)電容以及門檻電壓等可能有差異,直接將門極相連會(huì)使門極驅(qū)動(dòng)在開關(guān)過程產(chǎn)生振蕩,如圖13所示,振蕩將在低電抗回路中發(fā)生,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致MOS損壞。驅(qū)動(dòng)電阻增大可以對(duì)并聯(lián)振蕩起到衰減作用,最好嚴(yán)格地隔離并聯(lián)驅(qū)動(dòng)。

圖13:直接并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)干擾模型

圖13:直接并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)干擾模型

圖14所示為常見的并聯(lián)方式,并聯(lián)的MOS分別通過驅(qū)動(dòng)電阻與圖騰柱電路相連。但這種隔離還不夠徹底,徹底隔離的方式如圖15電路所示,兩個(gè)MOS分別經(jīng)過各自獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng),只在信號(hào)輸出端相連。不管采用哪種驅(qū)動(dòng)方式,為了提高可靠性,增大驅(qū)動(dòng)電阻,降低dv/dt(比單管更低)都是必要的。

需要說明的是,在并聯(lián)應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)受干擾的問題要優(yōu)先于并聯(lián)的不平衡問題。一般的電路中很難保證并聯(lián)的絕對(duì)平衡。如果驅(qū)動(dòng)電路和PCB布局不能兼顧的情況下,可以適當(dāng)犧牲一些平衡性,但驅(qū)動(dòng)的干擾必須被消除。具體應(yīng)用中需要仔細(xì)權(quán)衡。

圖14:常用并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路

圖14:常用并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路

圖15:完全隔離并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路

圖15:完全隔離并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路

并聯(lián)中PCB布局和走線十分重要,越是高速開關(guān)的MOS,對(duì)并聯(lián)均衡的要求就越高。不均衡的并聯(lián),不但會(huì)導(dǎo)致單個(gè)MOS承受過高的電流沖擊和dv/dt(注意到dv/dt與電流成正比)還會(huì)在電流重分配的過程中產(chǎn)生振蕩,干擾驅(qū)動(dòng)和其他信號(hào)。下面是一些并聯(lián)的例子,綠色為正面走線,紅色為背面走線。

圖16和圖17是最佳的并聯(lián)走線方式,并聯(lián)的MOS各自漏極和源級(jí)的走線長(zhǎng)度相同,驅(qū)動(dòng)走線與主功率走線在不同方向。實(shí)際應(yīng)用中可以增大走線面積以取得更好的效果。

圖16:并聯(lián)MOS散熱片獨(dú)立

圖16:并聯(lián)MOS散熱片獨(dú)立

圖17:并聯(lián)MOS散熱片共用(背靠背)

圖17:并聯(lián)MOS散熱片共用(背靠背)

圖18的MOS布局方式在一些中小功率應(yīng)用中比較常見,采用這種走線方式可以取得均衡的效果,但是實(shí)際應(yīng)用要注意減少走線長(zhǎng)度以減小走線電感。

圖18:并聯(lián)MOS散熱片共用(并排)

圖18:并聯(lián)MOS散熱片共用(并排)

圖19是一種不良走線方式,左邊的MOS上串聯(lián)了一段走線電阻和電感,這可能導(dǎo)致右邊MOS的工作電流更大,dv/dt和di/dt也更大

圖19:并聯(lián)MOS散熱片共用(并排),不良走線

圖19:并聯(lián)MOS散熱片共用(并排),不良走線

在一些中小功率的實(shí)際應(yīng)用中,PCB是單面板,常常采用圖20的方式并聯(lián)。雖然這種方式仍然不能實(shí)現(xiàn)走線電感的均衡,但是通過走線露銅涂錫,減少了電阻的不平衡。

圖20:并聯(lián)MOS散熱片共用(并排),單面板小功率

圖20:并聯(lián)MOS散熱片共用(并排),單面板小功率

圖16和圖17的布局方式不是很容易實(shí)現(xiàn),圖21是單面板PCB,并聯(lián)MOS在散熱片拐角處放置,通過增加走線面積和露銅等方式,可以在一定程度上減少不均衡問題。

圖21:并聯(lián)MOS散熱片直角布局,單面板

圖21:并聯(lián)MOS散熱片直角布局,單面板

總結(jié)

Alpha MOS是AOS新一代高壓產(chǎn)品,它具有導(dǎo)通電阻小,開關(guān)速度快,結(jié)電容小的特點(diǎn)。Alpha MOS在的應(yīng)用需要特別謹(jǐn)慎,盡量通過增大Rg,增加Cgs等方法控制dv/dt小于20V/ns,并控制啟動(dòng)過程抑制沖擊電流。由于Alpha MOS的高速開關(guān)特性,需要注意驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和PCB版布局,盡量減少干擾,在并聯(lián)應(yīng)用中也需要采用獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路和合理的PCB走線。


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