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采用突波吸收電容減小UPS直流總線電壓

作者: 時(shí)間:2012-03-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
 繼續(xù)加大至30μF時(shí),上的峰峰值降低到20V(如圖6所示),IGBT上的吸收回路在環(huán)境溫度為25°C時(shí),電阻R的溫度在45°C達(dá)到平衡。該方案獲得了成功。


  如果繼續(xù)加大Ct的容量至60μF,則上的峰峰值降低到10V,這說明通過增加Ct的容量以降低的效果在逐步下降,而突波電容的容量在成倍上升,其Ct安裝位置空間不足的矛盾開始突出(如圖7所示)。對(duì)于400V的逆變電路而言,20V的紋波已經(jīng)可以忍受, 因此選擇Ct的容量為30μF是較為適合的。


圖7 突波電容容量與紋波抑制效果

  綜上可見,在高頻逆變電路中采用高頻等效串聯(lián)電阻小的能達(dá)到很好的抑制直流總線紋波的效果,具有經(jīng)濟(jì)、可靠、發(fā)熱量小、工藝簡單等優(yōu)點(diǎn),但是要注意結(jié)合電路選擇接入點(diǎn)和合適的電容容量。

參考文獻(xiàn)

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3. 林勝陽,陳道煉.電力電子變換器及內(nèi)輔助開關(guān)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).電源世界.2003,1

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