高頻開(kāi)關(guān)用變壓器耦合驅(qū)動(dòng)

　　1）進(jìn)行電氣隔離

　　當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路的浮地電位與被驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)管源極電位不同時(shí)，應(yīng)該采用電位隔離的方式驅(qū)動(dòng)，其方法之一是用變壓器耦合隔離驅(qū)動(dòng)，這樣可以傳輸足夠大的驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流。

　　2）電路

　　采用變壓器耦合的驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。圖中V1和V2為控制集成芯片的輸出級(jí)，V3為加人的功率放大級(jí)以驅(qū)動(dòng)變壓器的初級(jí)。變壓器的初、次級(jí)對(duì)應(yīng)端用“·”表示。

　?。?）上升沿：驅(qū)動(dòng)脈沖電壓前沿V3導(dǎo)通，帶“·”的A端為正，變壓器次級(jí)繞組的電壓us為正，“·”端的輸出電流經(jīng)D1、D2、R4，對(duì)V5功率MOSFET管的柵一源極之間的電容充電，迅速建立起驅(qū)動(dòng)電壓。

　　 圖1采用變壓器耦合的驅(qū)動(dòng)電路

　?。?）下降沿：V3截止時(shí)，“·”端a為負(fù)，經(jīng)過(guò)R2產(chǎn)生V4基極電流，經(jīng)V4放大后有足夠的集電極電流使V5的柵一源極之間電容CGS迅速放電。